| Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
| 501 | MDE-7D391M | 390V; max courant de crête: 1750A; varistance à oxyde métallique. D standard disque série de 7mm | MDE Semiconductor |
| 502 | MDE-7D431M | 430V; max courant de crête: 1750A; varistance à oxyde métallique. D standard disque série de 7mm | MDE Semiconductor |
| 503 | MDE-7D470M | 47V; max courant de crête: 500A; varistance à oxyde métallique. D standard disque série de 7mm | MDE Semiconductor |
| 504 | MDE-7D471M | 470V; max courant de crête: 1750A; varistance à oxyde métallique. D standard disque série de 7mm | MDE Semiconductor |
| 505 | MDE-7D511M | 510V; max courant de crête: 1750A; varistance à oxyde métallique. D standard disque série de 7mm | MDE Semiconductor |
| 506 | MDE-7D560M | 56V; max courant de crête: 500A; varistance à oxyde métallique. D standard disque série de 7mm | MDE Semiconductor |
| 507 | MDE-7D561M | 560V; max courant de crête: 1750A; varistance à oxyde métallique. D standard disque série de 7mm | MDE Semiconductor |
| 508 | MDE-7D621M | 620V; max courant de crête: 1750A; varistance à oxyde métallique. D standard disque série de 7mm | MDE Semiconductor |
| 509 | MDE-7D680M | 68V; max courant de crête: 500A; varistance à oxyde métallique. D standard disque série de 7mm | MDE Semiconductor |
| 510 | MDE-7D681M | 680V; max courant de crête: 1750A; varistance à oxyde métallique. D standard disque série de 7mm | MDE Semiconductor |
| 511 | MDE-7D820M | 82V; max courant de crête: 1750A; varistance à oxyde métallique. D standard disque série de 7mm | MDE Semiconductor |
| 512 | P4KE100 | 81.00V; 1 mA; 400W de puissance crête de l'impulsion; verre Jonction passivée tension transitoire suppresseur (TVS) diode. Pour les applications bipolaires | MDE Semiconductor |
| 513 | P4KE100A | 85.50V; 1 mA; 400W de puissance crête de l'impulsion; verre Jonction passivée tension transitoire suppresseur (TVS) diode. Pour les applications bipolaires | MDE Semiconductor |
| 514 | P4KE110 | 89.20V; 1 mA; 400W de puissance crête de l'impulsion; verre Jonction passivée tension transitoire suppresseur (TVS) diode. Pour les applications bipolaires | MDE Semiconductor |
| 515 | P4KE110A | 94.00V; 1 mA; 400W de puissance crête de l'impulsion; verre Jonction passivée tension transitoire suppresseur (TVS) diode. Pour les applications bipolaires | MDE Semiconductor |
| 516 | P4KE120 | 97.20V; 1 mA; 400W de puissance crête de l'impulsion; verre Jonction passivée tension transitoire suppresseur (TVS) diode. Pour les applications bipolaires | MDE Semiconductor |
| 517 | P4KE120A | 102.00V; 1 mA; 400W de puissance crête de l'impulsion; verre Jonction passivée tension transitoire suppresseur (TVS) diode. Pour les applications bipolaires | MDE Semiconductor |
| 518 | P4KE130 | 105.00V; 1 mA; 400W de puissance crête de l'impulsion; verre Jonction passivée tension transitoire suppresseur (TVS) diode. Pour les applications bipolaires | MDE Semiconductor |
| 519 | P4KE130A | 111.00V; 1 mA; 400W de puissance crête de l'impulsion; verre Jonction passivée tension transitoire suppresseur (TVS) diode. Pour les applications bipolaires | MDE Semiconductor |
| 520 | P4KE150 | 121.00V; 1 mA; 400W de puissance crête de l'impulsion; verre Jonction passivée tension transitoire suppresseur (TVS) diode. Pour les applications bipolaires | MDE Semiconductor |
| 521 | P4KE150A | 128.00V; 1 mA; 400W de puissance crête de l'impulsion; verre Jonction passivée tension transitoire suppresseur (TVS) diode. Pour les applications bipolaires | MDE Semiconductor |
| 522 | P4KE160 | 130.00V; 1 mA; 400W de puissance crête de l'impulsion; verre Jonction passivée tension transitoire suppresseur (TVS) diode. Pour les applications bipolaires | MDE Semiconductor |
| 523 | P4KE160A | 136.00V; 1 mA; 400W de puissance crête de l'impulsion; verre Jonction passivée tension transitoire suppresseur (TVS) diode. Pour les applications bipolaires | MDE Semiconductor |
| 524 | P4KE170 | 138.00V; 1 mA; 400W de puissance crête de l'impulsion; verre Jonction passivée tension transitoire suppresseur (TVS) diode. Pour les applications bipolaires | MDE Semiconductor |
| 525 | P4KE170A | 145.00V; 1 mA; 400W de puissance crête de l'impulsion; verre Jonction passivée tension transitoire suppresseur (TVS) diode. Pour les applications bipolaires | MDE Semiconductor |
| 526 | P4KE180 | 146.00V; 1 mA; 400W de puissance crête de l'impulsion; verre Jonction passivée tension transitoire suppresseur (TVS) diode. Pour les applications bipolaires | MDE Semiconductor |
| 527 | P4KE180A | 154.00V; 1 mA; 400W de puissance crête de l'impulsion; verre Jonction passivée tension transitoire suppresseur (TVS) diode. Pour les applications bipolaires | MDE Semiconductor |
| 528 | P4KE200 | 162.00V; 1 mA; 400W de puissance crête de l'impulsion; verre Jonction passivée tension transitoire suppresseur (TVS) diode. Pour les applications bipolaires | MDE Semiconductor |
| 529 | P4KE200A | 171.00V; 1 mA; 400W de puissance crête de l'impulsion; verre Jonction passivée tension transitoire suppresseur (TVS) diode. Pour les applications bipolaires | MDE Semiconductor |
| 530 | P4KE220 | 175.00V; 1 mA; 400W de puissance crête de l'impulsion; verre Jonction passivée tension transitoire suppresseur (TVS) diode. Pour les applications bipolaires | MDE Semiconductor |
| 531 | P4KE220A | 185.00V; 1 mA; 400W de puissance crête de l'impulsion; verre Jonction passivée tension transitoire suppresseur (TVS) diode. Pour les applications bipolaires | MDE Semiconductor |
| 532 | P4KE250 | 202.00V; 1 mA; 400W de puissance crête de l'impulsion; verre Jonction passivée tension transitoire suppresseur (TVS) diode. Pour les applications bipolaires | MDE Semiconductor |
| 533 | P4KE250A | 214.00V; 1 mA; 400W de puissance crête de l'impulsion; verre Jonction passivée tension transitoire suppresseur (TVS) diode. Pour les applications bipolaires | MDE Semiconductor |
| 534 | P4KE300 | 243.00V; 1 mA; 400W de puissance crête de l'impulsion; verre Jonction passivée tension transitoire suppresseur (TVS) diode. Pour les applications bipolaires | MDE Semiconductor |
| 535 | P4KE300A | 256.00V; 1 mA; 400W de puissance crête de l'impulsion; verre Jonction passivée tension transitoire suppresseur (TVS) diode. Pour les applications bipolaires | MDE Semiconductor |
| 536 | P4KE350 | 284.00V; 1 mA; 400W de puissance crête de l'impulsion; verre Jonction passivée tension transitoire suppresseur (TVS) diode. Pour les applications bipolaires | MDE Semiconductor |
| 537 | P4KE350A | 300.00V; 1 mA; 400W de puissance crête de l'impulsion; verre Jonction passivée tension transitoire suppresseur (TVS) diode. Pour les applications bipolaires | MDE Semiconductor |
| 538 | P4KE400 | 324.00V; 1 mA; 400W de puissance crête de l'impulsion; verre Jonction passivée tension transitoire suppresseur (TVS) diode. Pour les applications bipolaires | MDE Semiconductor |
| 539 | P4KE400A | 342.00V; 1 mA; 400W de puissance crête de l'impulsion; verre Jonction passivée tension transitoire suppresseur (TVS) diode. Pour les applications bipolaires | MDE Semiconductor |
| 540 | P4KE440 | 356.00V; 1 mA; 400W de puissance crête de l'impulsion; verre Jonction passivée tension transitoire suppresseur (TVS) diode. Pour les applications bipolaires | MDE Semiconductor |
| 541 | P4KE440A | 376.00V; 1 mA; 400W de puissance crête de l'impulsion; verre Jonction passivée tension transitoire suppresseur (TVS) diode. Pour les applications bipolaires | MDE Semiconductor |
| 542 | P6KE100 | 81.00V; 1 mA; 600W de puissance crête de l'impulsion; verre Jonction passivée tension transitoire suppresseur (TVS) diode. Pour les applications bipolaires | MDE Semiconductor |
| 543 | P6KE100A | 85.50V; 1 mA; 600W de puissance crête de l'impulsion; verre Jonction passivée tension transitoire suppresseur (TVS) diode. Pour les applications bipolaires | MDE Semiconductor |
| 544 | P6KE110 | 89.20V; 1 mA; 600W de puissance crête de l'impulsion; verre Jonction passivée tension transitoire suppresseur (TVS) diode. Pour les applications bipolaires | MDE Semiconductor |
| 545 | P6KE110A | 94.00V; 1 mA; 600W de puissance crête de l'impulsion; verre Jonction passivée tension transitoire suppresseur (TVS) diode. Pour les applications bipolaires | MDE Semiconductor |
| 546 | P6KE120 | 97.20V; 1 mA; 600W de puissance crête de l'impulsion; verre Jonction passivée tension transitoire suppresseur (TVS) diode. Pour les applications bipolaires | MDE Semiconductor |
| 547 | P6KE120A | 102.00V; 1 mA; 600W de puissance crête de l'impulsion; verre Jonction passivée tension transitoire suppresseur (TVS) diode. Pour les applications bipolaires | MDE Semiconductor |
| 548 | P6KE130 | 105.00V; 1 mA; 600W de puissance crête de l'impulsion; verre Jonction passivée tension transitoire suppresseur (TVS) diode. Pour les applications bipolaires | MDE Semiconductor |
| 549 | P6KE130A | 111.00V; 1 mA; 600W de puissance crête de l'impulsion; verre Jonction passivée tension transitoire suppresseur (TVS) diode. Pour les applications bipolaires | MDE Semiconductor |
| 550 | P6KE150 | 121.00V; 1 mA; 600W de puissance crête de l'impulsion; verre Jonction passivée tension transitoire suppresseur (TVS) diode. Pour les applications bipolaires | MDE Semiconductor |
| | | |
