| Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
| 551 | P6KE150A | 128.00V; 1 mA; 600W de puissance crête de l'impulsion; verre Jonction passivée tension transitoire suppresseur (TVS) diode. Pour les applications bipolaires | MDE Semiconductor |
| 552 | P6KE160 | 130.00V; 1 mA; 600W de puissance crête de l'impulsion; verre Jonction passivée tension transitoire suppresseur (TVS) diode. Pour les applications bipolaires | MDE Semiconductor |
| 553 | P6KE160A | 136.00V; 1 mA; 600W de puissance crête de l'impulsion; verre Jonction passivée tension transitoire suppresseur (TVS) diode. Pour les applications bipolaires | MDE Semiconductor |
| 554 | P6KE170 | 138.00V; 1 mA; 600W de puissance crête de l'impulsion; verre Jonction passivée tension transitoire suppresseur (TVS) diode. Pour les applications bipolaires | MDE Semiconductor |
| 555 | P6KE170A | 145.00V; 1 mA; 600W de puissance crête de l'impulsion; verre Jonction passivée tension transitoire suppresseur (TVS) diode. Pour les applications bipolaires | MDE Semiconductor |
| 556 | P6KE180 | 146.00V; 1 mA; 600W de puissance crête de l'impulsion; verre Jonction passivée tension transitoire suppresseur (TVS) diode. Pour les applications bipolaires | MDE Semiconductor |
| 557 | P6KE180A | 154.00V; 1 mA; 600W de puissance crête de l'impulsion; verre Jonction passivée tension transitoire suppresseur (TVS) diode. Pour les applications bipolaires | MDE Semiconductor |
| 558 | P6KE200 | 162.00V; 1 mA; 600W de puissance crête de l'impulsion; verre Jonction passivée tension transitoire suppresseur (TVS) diode. Pour les applications bipolaires | MDE Semiconductor |
| 559 | P6KE200A | 171.00V; 1 mA; 600W de puissance crête de l'impulsion; verre Jonction passivée tension transitoire suppresseur (TVS) diode. Pour les applications bipolaires | MDE Semiconductor |
| 560 | P6KE220 | 175.00V; 1 mA; 600W de puissance crête de l'impulsion; verre Jonction passivée tension transitoire suppresseur (TVS) diode. Pour les applications bipolaires | MDE Semiconductor |
| 561 | P6KE220A | 185.00V; 1 mA; 600W de puissance crête de l'impulsion; verre Jonction passivée tension transitoire suppresseur (TVS) diode. Pour les applications bipolaires | MDE Semiconductor |
| 562 | P6KE250 | 202.00V; 1 mA; 600W de puissance crête de l'impulsion; verre Jonction passivée tension transitoire suppresseur (TVS) diode. Pour les applications bipolaires | MDE Semiconductor |
| 563 | P6KE250A | 202.00V; 1 mA; 600W de puissance crête de l'impulsion; verre Jonction passivée tension transitoire suppresseur (TVS) diode. Pour les applications bipolaires | MDE Semiconductor |
| 564 | P6KE300 | 243.00V; 1 mA; 600W de puissance crête de l'impulsion; verre Jonction passivée tension transitoire suppresseur (TVS) diode. Pour les applications bipolaires | MDE Semiconductor |
| 565 | P6KE300A | 256.00V; 1 mA; 600W de puissance crête de l'impulsion; verre Jonction passivée tension transitoire suppresseur (TVS) diode. Pour les applications bipolaires | MDE Semiconductor |
| 566 | P6KE350 | 284.00V; 1 mA; 600W de puissance crête de l'impulsion; verre Jonction passivée tension transitoire suppresseur (TVS) diode. Pour les applications bipolaires | MDE Semiconductor |
| 567 | P6KE350A | 300.00V; 1 mA; 600W de puissance crête de l'impulsion; verre Jonction passivée tension transitoire suppresseur (TVS) diode. Pour les applications bipolaires | MDE Semiconductor |
| 568 | P6KE400 | 324.00V; 1 mA; 600W de puissance crête de l'impulsion; verre Jonction passivée tension transitoire suppresseur (TVS) diode. Pour les applications bipolaires | MDE Semiconductor |
| 569 | P6KE400A | 342.00V; 1 mA; 600W de puissance crête de l'impulsion; verre Jonction passivée tension transitoire suppresseur (TVS) diode. Pour les applications bipolaires | MDE Semiconductor |
| 570 | P6KE440 | 356.00V; 1 mA; 600W de puissance crête de l'impulsion; verre Jonction passivée tension transitoire suppresseur (TVS) diode. Pour les applications bipolaires | MDE Semiconductor |
| 571 | P6KE440A | 376.00V; 1 mA; 600W de puissance crête de l'impulsion; verre Jonction passivée tension transitoire suppresseur (TVS) diode. Pour les applications bipolaires | MDE Semiconductor |
| 572 | SA100 | 100.00V; 1 mA; 500W de puissance crête de l'impulsion; verre Jonction passivée tension transitoire suppresseur (TVS) diode. Pour les applications bipolaires | MDE Semiconductor |
| 573 | SA100A | 100.00V; 1 mA; 500W de puissance crête de l'impulsion; verre Jonction passivée tension transitoire suppresseur (TVS) diode. Pour les applications bipolaires | MDE Semiconductor |
| 574 | SA110 | 110.00V; 1 mA; 500W de puissance crête de l'impulsion; verre Jonction passivée tension transitoire suppresseur (TVS) diode. Pour les applications bipolaires | MDE Semiconductor |
| 575 | SA110A | 110.00V; 1 mA; 500W de puissance crête de l'impulsion; verre Jonction passivée tension transitoire suppresseur (TVS) diode. Pour les applications bipolaires | MDE Semiconductor |
| 576 | SA120 | 120.00V; 1 mA; 500W de puissance crête de l'impulsion; verre Jonction passivée tension transitoire suppresseur (TVS) diode. Pour les applications bipolaires | MDE Semiconductor |
| 577 | SA120A | 120.00V; 1 mA; 500W de puissance crête de l'impulsion; verre Jonction passivée tension transitoire suppresseur (TVS) diode. Pour les applications bipolaires | MDE Semiconductor |
| 578 | SA130 | 130.00V; 1 mA; 500W de puissance crête de l'impulsion; verre Jonction passivée tension transitoire suppresseur (TVS) diode. Pour les applications bipolaires | MDE Semiconductor |
| 579 | SA130A | 130.00V; 1 mA; 500W de puissance crête de l'impulsion; verre Jonction passivée tension transitoire suppresseur (TVS) diode. Pour les applications bipolaires | MDE Semiconductor |
| 580 | SA150 | 150.00V; 1 mA; 500W de puissance crête de l'impulsion; verre Jonction passivée tension transitoire suppresseur (TVS) diode. Pour les applications bipolaires | MDE Semiconductor |
| 581 | SA150A | 150.00V; 1 mA; 500W de puissance crête de l'impulsion; verre Jonction passivée tension transitoire suppresseur (TVS) diode. Pour les applications bipolaires | MDE Semiconductor |
| 582 | SA160 | 160.00V; 1 mA; 500W de puissance crête de l'impulsion; verre Jonction passivée tension transitoire suppresseur (TVS) diode. Pour les applications bipolaires | MDE Semiconductor |
| 583 | SA160A | 160.00V; 1 mA; 500W de puissance crête de l'impulsion; verre Jonction passivée tension transitoire suppresseur (TVS) diode. Pour les applications bipolaires | MDE Semiconductor |
| 584 | SA170 | 170.00V; 1 mA; 500W de puissance crête de l'impulsion; verre Jonction passivée tension transitoire suppresseur (TVS) diode. Pour les applications bipolaires | MDE Semiconductor |
| 585 | SA170A | 170.00V; 1 mA; 500W de puissance crête de l'impulsion; verre Jonction passivée tension transitoire suppresseur (TVS) diode. Pour les applications bipolaires | MDE Semiconductor |
| 586 | SA180 | 180.00V; 1 mA; 500W de puissance crête de l'impulsion; verre Jonction passivée tension transitoire suppresseur (TVS) diode. Pour les applications bipolaires | MDE Semiconductor |
| 587 | SA180A | 180.00V; 1 mA; 500W de puissance crête de l'impulsion; verre Jonction passivée tension transitoire suppresseur (TVS) diode. Pour les applications bipolaires | MDE Semiconductor |
| 588 | SMAJ100 | 100.00V; 1 mA; 400W de puissance crête de l'impulsion; montage en surface transitoire suppresseur de tension transitoire. Pour les applications bipolaires | MDE Semiconductor |
| 589 | SMAJ100A | 100.00V; 1 mA; 400W de puissance crête de l'impulsion; montage en surface transitoire suppresseur de tension transitoire. Pour les applications bipolaires | MDE Semiconductor |
| 590 | SMAJ110 | 110.00V; 1 mA; 400W de puissance crête de l'impulsion; montage en surface transitoire suppresseur de tension transitoire. Pour les applications bipolaires | MDE Semiconductor |
| 591 | SMAJ110A | 110.00V; 1 mA; 400W de puissance crête de l'impulsion; montage en surface transitoire suppresseur de tension transitoire. Pour les applications bipolaires | MDE Semiconductor |
| 592 | SMAJ120 | 120.00V; 1 mA; 400W de puissance crête de l'impulsion; montage en surface transitoire suppresseur de tension transitoire. Pour les applications bipolaires | MDE Semiconductor |
| 593 | SMAJ120A | 120.00V; 1 mA; 400W de puissance crête de l'impulsion; montage en surface transitoire suppresseur de tension transitoire. Pour les applications bipolaires | MDE Semiconductor |
| 594 | SMAJ130 | 130.00V; 1 mA; 400W de puissance crête de l'impulsion; montage en surface transitoire suppresseur de tension transitoire. Pour les applications bipolaires | MDE Semiconductor |
| 595 | SMAJ130A | 130.00V; 1 mA; 400W de puissance crête de l'impulsion; montage en surface transitoire suppresseur de tension transitoire. Pour les applications bipolaires | MDE Semiconductor |
| 596 | SMAJ150 | 150.00V; 1 mA; 400W de puissance crête de l'impulsion; montage en surface transitoire suppresseur de tension transitoire. Pour les applications bipolaires | MDE Semiconductor |
| 597 | SMAJ150A | 150.00V; 1 mA; 400W de puissance crête de l'impulsion; montage en surface transitoire suppresseur de tension transitoire. Pour les applications bipolaires | MDE Semiconductor |
| 598 | SMAJ160 | 160.00V; 1 mA; 400W de puissance crête de l'impulsion; montage en surface transitoire suppresseur de tension transitoire. Pour les applications bipolaires | MDE Semiconductor |
| 599 | SMAJ160A | 160.00V; 1 mA; 400W de puissance crête de l'impulsion; montage en surface transitoire suppresseur de tension transitoire. Pour les applications bipolaires | MDE Semiconductor |
| 600 | SMAJ170 | 170.00V; 1 mA; 400W de puissance crête de l'impulsion; montage en surface transitoire suppresseur de tension transitoire. Pour les applications bipolaires | MDE Semiconductor |
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