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Nr.Nom de partieDescriptionFabricant
201MAX20-100.0CA100.00V; 5.0A; 20000W puissance de crête d'impulsion; haute transitoire suppresseur de tension (TVS) diode courant. Pour les applications bipolairesMDE Semiconductor
202MAX20-110.0C110.00V; 5.0A; 20000W puissance de crête d'impulsion; haute transitoire suppresseur de tension (TVS) diode courant. Pour les applications bipolairesMDE Semiconductor
203MAX20-110.0CA110.00V; 5.0A; 20000W puissance de crête d'impulsion; haute transitoire suppresseur de tension (TVS) diode courant. Pour les applications bipolairesMDE Semiconductor
204MAX20-120.0C120.00V; 5.0A; 20000W puissance de crête d'impulsion; haute transitoire suppresseur de tension (TVS) diode courant. Pour les applications bipolairesMDE Semiconductor
205MAX20-120.0CA120.00V; 5.0A; 20000W puissance de crête d'impulsion; haute transitoire suppresseur de tension (TVS) diode courant. Pour les applications bipolairesMDE Semiconductor
206MAX20-130.0C130.00V; 5.0A; 20000W puissance de crête d'impulsion; haute transitoire suppresseur de tension (TVS) diode courant. Pour les applications bipolairesMDE Semiconductor
207MAX20-130.0CA130.00V; 5.0A; 20000W puissance de crête d'impulsion; haute transitoire suppresseur de tension (TVS) diode courant. Pour les applications bipolairesMDE Semiconductor
208MAX20-150.0C150.00V; 5.0A; 20000W puissance de crête d'impulsion; haute transitoire suppresseur de tension (TVS) diode courant. Pour les applications bipolairesMDE Semiconductor
209MAX20-150.0CA150.00V; 5.0A; 20000W puissance de crête d'impulsion; haute transitoire suppresseur de tension (TVS) diode courant. Pour les applications bipolairesMDE Semiconductor
210MAX40-100.0C100.00V; 5.0A; 40000W puissance de crête d'impulsion; haute transitoire suppresseur de tension (TVS) diode courant. Pour les applications bipolairesMDE Semiconductor
211MAX40-100.0CA100.00V; 5.0A; 40000W puissance de crête d'impulsion; haute transitoire suppresseur de tension (TVS) diode courant. Pour les applications bipolairesMDE Semiconductor
212MAX40-110.0C110.00V; 5.0A; 40000W puissance de crête d'impulsion; haute transitoire suppresseur de tension (TVS) diode courant. Pour les applications bipolairesMDE Semiconductor
213MAX40-110.0CA110.00V; 5.0A; 40000W puissance de crête d'impulsion; haute transitoire suppresseur de tension (TVS) diode courant. Pour les applications bipolairesMDE Semiconductor
214MAX40-130.0C130.00V; 5.0A; 40000W puissance de crête d'impulsion; haute transitoire suppresseur de tension (TVS) diode courant. Pour les applications bipolairesMDE Semiconductor
215MAX40-130.0CA130.00V; 5.0A; 40000W puissance de crête d'impulsion; haute transitoire suppresseur de tension (TVS) diode courant. Pour les applications bipolairesMDE Semiconductor
216MAX40-140.0C140.00V; 5.0A; 40000W puissance de crête d'impulsion; haute transitoire suppresseur de tension (TVS) diode courant. Pour les applications bipolairesMDE Semiconductor
217MAX40-140.0CA140.00V; 5.0A; 40000W puissance de crête d'impulsion; haute transitoire suppresseur de tension (TVS) diode courant. Pour les applications bipolairesMDE Semiconductor
218MAX40-150.0C150.00V; 5.0A; 40000W puissance de crête d'impulsion; haute transitoire suppresseur de tension (TVS) diode courant. Pour les applications bipolairesMDE Semiconductor
219MAX40-150.0CA150.00V; 5.0A; 40000W puissance de crête d'impulsion; haute transitoire suppresseur de tension (TVS) diode courant. Pour les applications bipolairesMDE Semiconductor
220MDE-10D101K100V; max courant de crête: 3500A; varistance à oxyde métallique. D standard disque série de 10mmMDE Semiconductor
221MDE-10D102K1000V; max courant de crête: 3500A; varistance à oxyde métallique. D standard disque série de 10mmMDE Semiconductor
222MDE-10D112K1100V; max courant de crête: 3500A; varistance à oxyde métallique. D standard disque série de 10mmMDE Semiconductor
223MDE-10D121K120V; max courant de crête: 3500A; varistance à oxyde métallique. D standard disque série de 10mmMDE Semiconductor
224MDE-10D151K150V; max courant de crête: 3500A; varistance à oxyde métallique. D standard disque série de 10mmMDE Semiconductor
225MDE-10D180M18V; max courant de crête: 1000A; varistance à oxyde métallique. D standard disque série de 10mmMDE Semiconductor



226MDE-10D181K180V; max courant de crête: 3500A; varistance à oxyde métallique. D standard disque série de 10mmMDE Semiconductor
227MDE-10D182K1800V; max courant de crête: 3500A; varistance à oxyde métallique. D standard disque série de 10mmMDE Semiconductor
228MDE-10D201K200V; max courant de crête: 3500A; varistance à oxyde métallique. D standard disque série de 10mmMDE Semiconductor
229MDE-10D220M22V; max courant de crête: 1000A; varistance à oxyde métallique. D standard disque série de 10mmMDE Semiconductor
230MDE-10D221K220V; max courant de crête: 3500A; varistance à oxyde métallique. D standard disque série de 10mmMDE Semiconductor
231MDE-10D241K240V; max courant de crête: 3500A; varistance à oxyde métallique. D standard disque série de 10mmMDE Semiconductor
232MDE-10D270K27V; max courant de crête: 1000A; varistance à oxyde métallique. D standard disque série de 10mmMDE Semiconductor
233MDE-10D271K270V; max courant de crête: 3500A; varistance à oxyde métallique. D standard disque série de 10mmMDE Semiconductor
234MDE-10D301K300V; max courant de crête: 3500A; varistance à oxyde métallique. D standard disque série de 10mmMDE Semiconductor
235MDE-10D330K33V; max courant de crête: 1000A; varistance à oxyde métallique. D standard disque série de 10mmMDE Semiconductor
236MDE-10D331K330V; max courant de crête: 3500A; varistance à oxyde métallique. D standard disque série de 10mmMDE Semiconductor
237MDE-10D361K360V; max courant de crête: 3500A; varistance à oxyde métallique. D standard disque série de 10mmMDE Semiconductor
238MDE-10D390K39V; max courant de crête: 1000A; varistance à oxyde métallique. D standard disque série de 10mmMDE Semiconductor
239MDE-10D391K390V; max courant de crête: 3500A; varistance à oxyde métallique. D standard disque série de 10mmMDE Semiconductor
240MDE-10D431K430V; max courant de crête: 3500A; varistance à oxyde métallique. D standard disque série de 10mmMDE Semiconductor
241MDE-10D470K47V; max courant de crête: 1000A; varistance à oxyde métallique. D standard disque série de 10mmMDE Semiconductor
242MDE-10D471K470V; max courant de crête: 3500A; varistance à oxyde métallique. D standard disque série de 10mmMDE Semiconductor
243MDE-10D511K510V; max courant de crête: 3500A; varistance à oxyde métallique. D standard disque série de 10mmMDE Semiconductor
244MDE-10D560K56V; max courant de crête: 1000A; varistance à oxyde métallique. D standard disque série de 10mmMDE Semiconductor
245MDE-10D561K560V; max courant de crête: 3500A; varistance à oxyde métallique. D standard disque série de 10mmMDE Semiconductor
246MDE-10D621K620V; max courant de crête: 3500A; varistance à oxyde métallique. D standard disque série de 10mmMDE Semiconductor
247MDE-10D680K68V; max courant de crête: 1000A; varistance à oxyde métallique. D standard disque série de 10mmMDE Semiconductor
248MDE-10D681K680V; max courant de crête: 3500A; varistance à oxyde métallique. D standard disque série de 10mmMDE Semiconductor
249MDE-10D751K750V; max courant de crête: 3500A; varistance à oxyde métallique. D standard disque série de 10mmMDE Semiconductor
250MDE-10D781K780V; max courant de crête: 3500A; varistance à oxyde métallique. D standard disque série de 10mmMDE Semiconductor

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