Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
201 | MAX20-100.0CA | 100.00V; 5.0A; 20000W puissance de crête d'impulsion; haute transitoire suppresseur de tension (TVS) diode courant. Pour les applications bipolaires | MDE Semiconductor |
202 | MAX20-110.0C | 110.00V; 5.0A; 20000W puissance de crête d'impulsion; haute transitoire suppresseur de tension (TVS) diode courant. Pour les applications bipolaires | MDE Semiconductor |
203 | MAX20-110.0CA | 110.00V; 5.0A; 20000W puissance de crête d'impulsion; haute transitoire suppresseur de tension (TVS) diode courant. Pour les applications bipolaires | MDE Semiconductor |
204 | MAX20-120.0C | 120.00V; 5.0A; 20000W puissance de crête d'impulsion; haute transitoire suppresseur de tension (TVS) diode courant. Pour les applications bipolaires | MDE Semiconductor |
205 | MAX20-120.0CA | 120.00V; 5.0A; 20000W puissance de crête d'impulsion; haute transitoire suppresseur de tension (TVS) diode courant. Pour les applications bipolaires | MDE Semiconductor |
206 | MAX20-130.0C | 130.00V; 5.0A; 20000W puissance de crête d'impulsion; haute transitoire suppresseur de tension (TVS) diode courant. Pour les applications bipolaires | MDE Semiconductor |
207 | MAX20-130.0CA | 130.00V; 5.0A; 20000W puissance de crête d'impulsion; haute transitoire suppresseur de tension (TVS) diode courant. Pour les applications bipolaires | MDE Semiconductor |
208 | MAX20-150.0C | 150.00V; 5.0A; 20000W puissance de crête d'impulsion; haute transitoire suppresseur de tension (TVS) diode courant. Pour les applications bipolaires | MDE Semiconductor |
209 | MAX20-150.0CA | 150.00V; 5.0A; 20000W puissance de crête d'impulsion; haute transitoire suppresseur de tension (TVS) diode courant. Pour les applications bipolaires | MDE Semiconductor |
210 | MAX40-100.0C | 100.00V; 5.0A; 40000W puissance de crête d'impulsion; haute transitoire suppresseur de tension (TVS) diode courant. Pour les applications bipolaires | MDE Semiconductor |
211 | MAX40-100.0CA | 100.00V; 5.0A; 40000W puissance de crête d'impulsion; haute transitoire suppresseur de tension (TVS) diode courant. Pour les applications bipolaires | MDE Semiconductor |
212 | MAX40-110.0C | 110.00V; 5.0A; 40000W puissance de crête d'impulsion; haute transitoire suppresseur de tension (TVS) diode courant. Pour les applications bipolaires | MDE Semiconductor |
213 | MAX40-110.0CA | 110.00V; 5.0A; 40000W puissance de crête d'impulsion; haute transitoire suppresseur de tension (TVS) diode courant. Pour les applications bipolaires | MDE Semiconductor |
214 | MAX40-130.0C | 130.00V; 5.0A; 40000W puissance de crête d'impulsion; haute transitoire suppresseur de tension (TVS) diode courant. Pour les applications bipolaires | MDE Semiconductor |
215 | MAX40-130.0CA | 130.00V; 5.0A; 40000W puissance de crête d'impulsion; haute transitoire suppresseur de tension (TVS) diode courant. Pour les applications bipolaires | MDE Semiconductor |
216 | MAX40-140.0C | 140.00V; 5.0A; 40000W puissance de crête d'impulsion; haute transitoire suppresseur de tension (TVS) diode courant. Pour les applications bipolaires | MDE Semiconductor |
217 | MAX40-140.0CA | 140.00V; 5.0A; 40000W puissance de crête d'impulsion; haute transitoire suppresseur de tension (TVS) diode courant. Pour les applications bipolaires | MDE Semiconductor |
218 | MAX40-150.0C | 150.00V; 5.0A; 40000W puissance de crête d'impulsion; haute transitoire suppresseur de tension (TVS) diode courant. Pour les applications bipolaires | MDE Semiconductor |
219 | MAX40-150.0CA | 150.00V; 5.0A; 40000W puissance de crête d'impulsion; haute transitoire suppresseur de tension (TVS) diode courant. Pour les applications bipolaires | MDE Semiconductor |
220 | MDE-10D101K | 100V; max courant de crête: 3500A; varistance à oxyde métallique. D standard disque série de 10mm | MDE Semiconductor |
221 | MDE-10D102K | 1000V; max courant de crête: 3500A; varistance à oxyde métallique. D standard disque série de 10mm | MDE Semiconductor |
222 | MDE-10D112K | 1100V; max courant de crête: 3500A; varistance à oxyde métallique. D standard disque série de 10mm | MDE Semiconductor |
223 | MDE-10D121K | 120V; max courant de crête: 3500A; varistance à oxyde métallique. D standard disque série de 10mm | MDE Semiconductor |
224 | MDE-10D151K | 150V; max courant de crête: 3500A; varistance à oxyde métallique. D standard disque série de 10mm | MDE Semiconductor |
225 | MDE-10D180M | 18V; max courant de crête: 1000A; varistance à oxyde métallique. D standard disque série de 10mm | MDE Semiconductor |
226 | MDE-10D181K | 180V; max courant de crête: 3500A; varistance à oxyde métallique. D standard disque série de 10mm | MDE Semiconductor |
227 | MDE-10D182K | 1800V; max courant de crête: 3500A; varistance à oxyde métallique. D standard disque série de 10mm | MDE Semiconductor |
228 | MDE-10D201K | 200V; max courant de crête: 3500A; varistance à oxyde métallique. D standard disque série de 10mm | MDE Semiconductor |
229 | MDE-10D220M | 22V; max courant de crête: 1000A; varistance à oxyde métallique. D standard disque série de 10mm | MDE Semiconductor |
230 | MDE-10D221K | 220V; max courant de crête: 3500A; varistance à oxyde métallique. D standard disque série de 10mm | MDE Semiconductor |
231 | MDE-10D241K | 240V; max courant de crête: 3500A; varistance à oxyde métallique. D standard disque série de 10mm | MDE Semiconductor |
232 | MDE-10D270K | 27V; max courant de crête: 1000A; varistance à oxyde métallique. D standard disque série de 10mm | MDE Semiconductor |
233 | MDE-10D271K | 270V; max courant de crête: 3500A; varistance à oxyde métallique. D standard disque série de 10mm | MDE Semiconductor |
234 | MDE-10D301K | 300V; max courant de crête: 3500A; varistance à oxyde métallique. D standard disque série de 10mm | MDE Semiconductor |
235 | MDE-10D330K | 33V; max courant de crête: 1000A; varistance à oxyde métallique. D standard disque série de 10mm | MDE Semiconductor |
236 | MDE-10D331K | 330V; max courant de crête: 3500A; varistance à oxyde métallique. D standard disque série de 10mm | MDE Semiconductor |
237 | MDE-10D361K | 360V; max courant de crête: 3500A; varistance à oxyde métallique. D standard disque série de 10mm | MDE Semiconductor |
238 | MDE-10D390K | 39V; max courant de crête: 1000A; varistance à oxyde métallique. D standard disque série de 10mm | MDE Semiconductor |
239 | MDE-10D391K | 390V; max courant de crête: 3500A; varistance à oxyde métallique. D standard disque série de 10mm | MDE Semiconductor |
240 | MDE-10D431K | 430V; max courant de crête: 3500A; varistance à oxyde métallique. D standard disque série de 10mm | MDE Semiconductor |
241 | MDE-10D470K | 47V; max courant de crête: 1000A; varistance à oxyde métallique. D standard disque série de 10mm | MDE Semiconductor |
242 | MDE-10D471K | 470V; max courant de crête: 3500A; varistance à oxyde métallique. D standard disque série de 10mm | MDE Semiconductor |
243 | MDE-10D511K | 510V; max courant de crête: 3500A; varistance à oxyde métallique. D standard disque série de 10mm | MDE Semiconductor |
244 | MDE-10D560K | 56V; max courant de crête: 1000A; varistance à oxyde métallique. D standard disque série de 10mm | MDE Semiconductor |
245 | MDE-10D561K | 560V; max courant de crête: 3500A; varistance à oxyde métallique. D standard disque série de 10mm | MDE Semiconductor |
246 | MDE-10D621K | 620V; max courant de crête: 3500A; varistance à oxyde métallique. D standard disque série de 10mm | MDE Semiconductor |
247 | MDE-10D680K | 68V; max courant de crête: 1000A; varistance à oxyde métallique. D standard disque série de 10mm | MDE Semiconductor |
248 | MDE-10D681K | 680V; max courant de crête: 3500A; varistance à oxyde métallique. D standard disque série de 10mm | MDE Semiconductor |
249 | MDE-10D751K | 750V; max courant de crête: 3500A; varistance à oxyde métallique. D standard disque série de 10mm | MDE Semiconductor |
250 | MDE-10D781K | 780V; max courant de crête: 3500A; varistance à oxyde métallique. D standard disque série de 10mm | MDE Semiconductor |
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