| Nr. | Nome da parte | Descrição | Fabricante |
| 1082401 | SD1107BD | 100 V, 4 ohms, realce-mode N-canal D-MOS FET de potência | Topaz Semiconductor |
| 1082402 | SD1107CHP | 100 V, 4 ohms, realce-mode N-canal D-MOS FET de potência | Topaz Semiconductor |
| 1082403 | SD1107DD | 100 V, 4 ohms, realce-mode N-canal D-MOS FET de potência | Topaz Semiconductor |
| 1082404 | SD1107HD | 100 V, 4 ohms, realce-mode N-canal D-MOS FET de potência | Topaz Semiconductor |
| 1082405 | SD1107N | 100 V, 4 ohms, realce-mode N-canal D-MOS FET de potência | Topaz Semiconductor |
| 1082406 | SD110OC04C | Diodo de recuperação padrão | International Rectifier |
| 1082407 | SD110OC04L | Diodo de recuperação padrão | International Rectifier |
| 1082408 | SD110OC08C | Diodo de recuperação padrão | International Rectifier |
| 1082409 | SD110OC08L | Diodo de recuperação padrão | International Rectifier |
| 1082410 | SD110OC12C | Diodo de recuperação padrão | International Rectifier |
| 1082411 | SD110OC12L | Diodo de recuperação padrão | International Rectifier |
| 1082412 | SD110OC16C | Diodo de recuperação padrão | International Rectifier |
| 1082413 | SD110OC16L | Diodo de recuperação padrão | International Rectifier |
| 1082414 | SD110OC20C | Diodo de recuperação padrão | International Rectifier |
| 1082415 | SD110OC20L | Diodo de recuperação padrão | International Rectifier |
| 1082416 | SD110OC25C | Diodo de recuperação padrão | International Rectifier |
| 1082417 | SD110OC25L | Diodo de recuperação padrão | International Rectifier |
| 1082418 | SD110OC30C | Diodo de recuperação padrão | International Rectifier |
| 1082419 | SD110OC30L | Diodo de recuperação padrão | International Rectifier |
| 1082420 | SD110OC32C | Diodo de recuperação padrão | International Rectifier |
| 1082421 | SD110OC32L | Diodo de recuperação padrão | International Rectifier |
| 1082422 | SD1112BD | 200 V, 7 ohm, realce-mode N-canal de alta tensão D-MOS FET de potência | Topaz Semiconductor |
| 1082423 | SD1112CHP | 200 V, 7 ohm, realce-mode N-canal de alta tensão D-MOS FET de potência | Topaz Semiconductor |
| 1082424 | SD1112DD | 200 V, 7 ohm, realce-mode N-canal de alta tensão D-MOS FET de potência | Topaz Semiconductor |
| 1082425 | SD1112HD | 200 V, 7 ohm, realce-mode N-canal de alta tensão D-MOS FET de potência | Topaz Semiconductor |
| 1082426 | SD1113BD | 200 V, 10 ohm, realce-mode N-canal de alta tensão D-MOS FET de potência | Topaz Semiconductor |
| 1082427 | SD1113CHP | 200 V, 10 ohm, realce-mode N-canal de alta tensão D-MOS FET de potência | Topaz Semiconductor |
| 1082428 | SD1113DD | 200 V, 10 ohm, realce-mode N-canal de alta tensão D-MOS FET de potência | Topaz Semiconductor |
| 1082429 | SD1113HD | 200 V, 10 ohm, realce-mode N-canal de alta tensão D-MOS FET de potência | Topaz Semiconductor |
| 1082430 | SD1117BD | 60 V, 2,5 ohm, realce-mode N-canal D-MOS FET de potência | Topaz Semiconductor |
| 1082431 | SD1117CHP | 60 V, 2,5 ohm, realce-mode N-canal D-MOS FET de potência | Topaz Semiconductor |
| 1082432 | SD1117DD | 60 V, 2,5 ohm, realce-mode N-canal D-MOS FET de potência | Topaz Semiconductor |
| 1082433 | SD1117HD | 60 V, 2,5 ohm, realce-mode N-canal D-MOS FET de potência | Topaz Semiconductor |
| 1082434 | SD1117N | 60 V, 2,5 ohm, realce-mode N-canal D-MOS FET de potência | Topaz Semiconductor |
| 1082435 | SD1122BD | 200 V, 10 ohm, realce-mode N-canal de alta tensão D-MOS FET de potência | Topaz Semiconductor |
| 1082436 | SD1122CHP | 200 V, 10 ohm, realce-mode N-canal de alta tensão D-MOS FET de potência | Topaz Semiconductor |
| 1082437 | SD1127 | RF NPN Transistor | Microsemi |
| 1082438 | SD1127BD | 60 V, 4 ohms, N-canal realce-modo vertical D-MOS FET ultra-baixo vazamento | Topaz Semiconductor |
| 1082439 | SD1127CHP | 60 V, 4 ohms, N-canal realce-modo vertical D-MOS FET ultra-baixo vazamento | Topaz Semiconductor |
| 1082440 | SD1134 | UHF Aplicações Móveis de RF e microondas TRANSISTORS | SGS Thomson Microelectronics |
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