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Nr.Nome da parteDescriçãoFabricante
1198161TC58V64BFTBOCADOS de 64-MBIT (8M x 8) CMOS NAND E2PROMTOSHIBA
1198162TC59O TC59 é uma saída baixa, regulador de tensão negativo da saída projetado especificamente para sistemas battery-operated. Sua construção cheia do CMOS elimina a corrente à terra desperdiçada típica de LDOs bipolar. Este signifMicrochip
1198163TC593002ECBSaída Baixa, Regulador De Tensão Negativo Da SaídaMicrochip
1198164TC593002ECBSaída Baixa, Regulador De Tensão Negativo Da SaídaMicrochip
1198165TC593002ECBTRLow dropout, regulador negativo da tensão de saída, 3.0V tensão de saídaMicrochip
1198166TC595002ECBSaída Baixa, Regulador De Tensão Negativo Da SaídaMicrochip
1198167TC595002ECBSaída Baixa, Regulador De Tensão Negativo Da SaídaMicrochip
1198168TC595002ECBTRLow dropout, regulador negativo da tensão de saída, 5.0V tensão de saídaMicrochip
1198169TC59LM806CFTRede FCRAMTMTOSHIBA
1198170TC59LM806CFT-50rede FCRAM ou 8,388,608-WORDSx4BANKSx8-BITS FCRAM da rede de 4,194,304-WORDSx4 BANKSx16-BITSTOSHIBA
1198171TC59LM806CFT-55rede FCRAM ou 8,388,608-WORDSx4BANKSx8-BITS FCRAM da rede de 4,194,304-WORDSx4 BANKSx16-BITSTOSHIBA
1198172TC59LM806CFT-60rede FCRAM ou 8,388,608-WORDSx4BANKSx8-BITS FCRAM da rede de 4,194,304-WORDSx4 BANKSx16-BITSTOSHIBA
1198173TC59LM806CFTIRede FCRAMTMTOSHIBA
1198174TC59LM814CFTRede FCRAMTMTOSHIBA
1198175TC59LM814CFT-50rede FCRAM ou 8,388,608-WORDSx4BANKSx8-BITS FCRAM da rede de 4,194,304-WORDSx4 BANKSx16-BITSTOSHIBA
1198176TC59LM814CFT-55rede FCRAM ou 8,388,608-WORDSx4BANKSx8-BITS FCRAM da rede de 4,194,304-WORDSx4 BANKSx16-BITSTOSHIBA
1198177TC59LM814CFT-60rede FCRAM ou 8,388,608-WORDSx4BANKSx8-BITS FCRAM da rede de 4,194,304-WORDSx4 BANKSx16-BITSTOSHIBA
1198178TC59LM814CFTIRede FCRAMTMTOSHIBA



1198179TC59LM818DMBRede FCRAMTMTOSHIBA
1198180TC59LM818DMBIRede FCRAMTMTOSHIBA
1198181TC59LM836DKBRede FCRAMTMTOSHIBA
1198182TC59LM905AMBRede FCRAMTMTOSHIBA
1198183TC59LM906AMGRede FCRAMTMTOSHIBA
1198184TC59LM913AMBRede FCRAMTMTOSHIBA
1198185TC59LM914AMGRede FCRAMTMTOSHIBA
1198186TC59S6404SILICONE DO CIRCUITO INTEGRADO DO MOS DIGITAL MONOLÍTICOTOSHIBA
1198187TC59S6404SILICONE DO CIRCUITO INTEGRADO DO MOS DIGITAL MONOLÍTICOTOSHIBA
1198188TC59S6404BFTSILICONE DO CIRCUITO INTEGRADO DO MOS DIGITAL MONOLÍTICOTOSHIBA
1198189TC59S6404BFTSILICONE DO CIRCUITO INTEGRADO DO MOS DIGITAL MONOLÍTICOTOSHIBA
1198190TC59S6404BFT-10SILICONE DO CIRCUITO INTEGRADO DO MOS DIGITAL MONOLÍTICOTOSHIBA
1198191TC59S6404BFT-10SILICONE DO CIRCUITO INTEGRADO DO MOS DIGITAL MONOLÍTICOTOSHIBA
1198192TC59S6404BFT-80SILICONE DO CIRCUITO INTEGRADO DO MOS DIGITAL MONOLÍTICOTOSHIBA
1198193TC59S6404BFT-80SILICONE DO CIRCUITO INTEGRADO DO MOS DIGITAL MONOLÍTICOTOSHIBA
1198194TC59S6404BFT/BFTL-80RAM DINÂMICA SYNCHRONOUS De 1,048,576/2,097,152/4,194,304-WORDSx4BANKSx16/8/4-BIT STOSHIBA
1198195TC59S6404BFT/BFTL-80RAM DINÂMICA SYNCHRONOUS De 1,048,576/2,097,152/4,194,304-WORDSx4BANKSx16/8/4-BIT STOSHIBA
1198196TC59S6404BFT/BFTL10RAM DINÂMICA SYNCHRONOUS De 1,048,576/2,097,152/4,194,304-WORDSx4BANKSx16/8/4-BIT STOSHIBA
1198197TC59S6404BFT/BFTL10RAM DINÂMICA SYNCHRONOUS De 1,048,576/2,097,152/4,194,304-WORDSx4BANKSx16/8/4-BIT STOSHIBA
1198198TC59S6404BFTLSILICONE DO CIRCUITO INTEGRADO DO MOS DIGITAL MONOLÍTICOTOSHIBA
1198199TC59S6404BFTLSILICONE DO CIRCUITO INTEGRADO DO MOS DIGITAL MONOLÍTICOTOSHIBA
1198200TC59S6404BFTL-104.194.304-palavras x 4BANKS x 4 bits RAM dinâmica síncronaTOSHIBA
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