| Nr. | Nome da parte | Descrição | Fabricante |
| 249721 | BC239 | TRANSISTOR EPITAXIAL PLANAR DO SILICONE DE NPN | Micro Electronics |
| 249722 | BC239 | Transistor Do Amplificador | Motorola |
| 249723 | BC239 | 0.350W Uso Geral NPN plástico com chumbo Transistor. VCEO 25V, 0.100A Ic, 120-800 hFE | Continental Device India Limited |
| 249724 | BC239 | Transistor. Aplicações de comutação e amplificador. Tensão coletor-base de Vcbo = 30V. Tensão coletor-emissor VCEO = 25V. Tensão emissor-base Vebo = 6V. Dissipação Collector Pc (max) = 500mW. Coletor de corrente Ic = 100mA. | USHA India LTD |
| 249725 | BC239ABU | Transistor Epitaxial Do Silicone de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 249726 | BC239ATA | Transistor Epitaxial Do Silicone de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 249727 | BC239B | 0.350W Uso Geral NPN plástico com chumbo Transistor. VCEO 25V, 0.100A Ic, 200-460 hFE | Continental Device India Limited |
| 249728 | BC239BBU | Transistor Epitaxial Do Silicone de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 249729 | BC239BTA | Transistor Epitaxial Do Silicone de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 249730 | BC239C | Transistor Do Amplificador | Motorola |
| 249731 | BC239C | Silicone NPN Do Transistor | ON Semiconductor |
| 249732 | BC239C | 0.350W Uso Geral NPN plástico com chumbo Transistor. VCEO 25V, 0.100A Ic, 380 - hFE | Continental Device India Limited |
| 249733 | BC239CBU | Transistor Epitaxial Do Silicone de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 249734 | BC239CTA | Transistor Epitaxial Do Silicone de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 249735 | BC243A | PODER TRANSISTORS(6A, 65w) | MOSPEC Semiconductor |
| 249736 | BC251 | SILICONE DOS TRANSISTOR PNP DO AMPLIFICADOR | Motorola |
| 249737 | BC251A | SILICONE DOS TRANSISTOR PNP DO AMPLIFICADOR | Motorola |
| 249738 | BC251B | SILICONE DOS TRANSISTOR PNP DO AMPLIFICADOR | Motorola |
| 249739 | BC251C | SILICONE DOS TRANSISTOR PNP DO AMPLIFICADOR | Motorola |
| 249740 | BC252 | SILICONE DOS TRANSISTOR PNP DO AMPLIFICADOR | Motorola |
| 249741 | BC252A | SILICONE DOS TRANSISTOR PNP DO AMPLIFICADOR | Motorola |
| 249742 | BC252B | SILICONE DOS TRANSISTOR PNP DO AMPLIFICADOR | Motorola |
| 249743 | BC252C | SILICONE DOS TRANSISTOR PNP DO AMPLIFICADOR | Motorola |
| 249744 | BC256 | SILICONE DOS TRANSISTOR PNP DO AMPLIFICADOR | Motorola |
| 249745 | BC256A | SILICONE DOS TRANSISTOR PNP DO AMPLIFICADOR | Motorola |
| 249746 | BC256B | SILICONE DOS TRANSISTOR PNP DO AMPLIFICADOR | Motorola |
| 249747 | BC257 | TRANSISTOR EPITAXIAL PLANAR DO SILICONE DE PNP | Micro Electronics |
| 249748 | BC258 | TRANSISTOR EPITAXIAL PLANAR DO SILICONE DE PNP | Micro Electronics |
| 249749 | BC259 | TRANSISTOR EPITAXIAL PLANAR DO SILICONE DE PNP | Micro Electronics |
| 249750 | BC261 | DO SILICONE BAIXO ELEVADO DO RUÍDO DO GANHO DE PNP TRANSISTOR EPITAXIAL PLANAR | Micro Electronics |
| 249751 | BC262 | DO SILICONE BAIXO ELEVADO DO RUÍDO DO GANHO DE PNP TRANSISTOR EPITAXIAL PLANAR | Micro Electronics |
| 249752 | BC263 | DO SILICONE BAIXO ELEVADO DO RUÍDO DO GANHO DE PNP TRANSISTOR EPITAXIAL PLANAR | Micro Electronics |
| 249753 | BC264 | Transistor De Efeito De Campo Da Junção Da Canaleta De N | Micro Electronics |
| 249754 | BC264 | Transistor De Efeito De Campo Da Junção Da Canaleta De N | Philips |
| 249755 | BC264 | Fet De N | SemeLAB |
| 249756 | BC27 | TRANSISTORS SOT23 NPN SILICONE PLANAR DARLINGTON | Diodes |
| 249757 | BC297 | EXCITADORES AUDIO | ST Microelectronics |
| 249758 | BC297 | EXCITADORES AUDIO | ST Microelectronics |
| 249759 | BC297 | V (CES): 50V; V (CEO): 45V; V (EBO): 5V; 1A; driver de áudio | SGS Thomson Microelectronics |
| 249760 | BC298 | EXCITADORES AUDIO | ST Microelectronics |
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