| Nr. | Nome da parte | Descrição | Fabricante |
| 249761 | BC298 | EXCITADORES AUDIO | ST Microelectronics |
| 249762 | BC298 | V (CES): 30V; V (CEO): 25V; V (EBO): 5V; 1A; driver de áudio | SGS Thomson Microelectronics |
| 249763 | BC2I4 | AMPLIFICADORES & EXCITADORES PEQUENOS DO SINAL DO AF DO SILICONE COMPLEMENTAR | Micro Electronics |
| 249764 | BC2I4L | AMPLIFICADORES & EXCITADORES PEQUENOS DO SINAL DO AF DO SILICONE COMPLEMENTAR | Micro Electronics |
| 249765 | BC300 | AMPLIFICADORES E INTERRUPTORES MÉDIOS DE PODER DO AF DO SILICONE DE NPN | Micro Electronics |
| 249766 | BC300 | Finalidade Geral Do Transistor Pequeno Leaded Do Sinal | Central Semiconductor |
| 249767 | BC300 | 0.850W Uso Geral NPN metal pode transistor. 80V VCEO, 0.500A Ic, 40-240 hFE. | Continental Device India Limited |
| 249768 | BC300-4 | 0.850W Uso Geral NPN metal pode transistor. 80V VCEO, 0.500A Ic, 40-80 hFE. | Continental Device India Limited |
| 249769 | BC300-5 | 0.850W Uso Geral NPN metal pode transistor. 80V VCEO, 0.500A Ic, 70-140 hFE. | Continental Device India Limited |
| 249770 | BC300-6 | 0.850W Uso Geral NPN metal pode transistor. VCEO 80V, 0.500A Ic, 120-240 hFE. | Continental Device India Limited |
| 249771 | BC301 | AMPLIFICADORES E INTERRUPTORES MÉDIOS DE PODER DO AF DO SILICONE DE NPN | Micro Electronics |
| 249772 | BC301 | Finalidade Geral Do Transistor Pequeno Leaded Do Sinal | Central Semiconductor |
| 249773 | BC301 | 0.850W Uso Geral NPN metal pode transistor. 60V VCEO, 0.500A Ic, 40-240 hFE. | Continental Device India Limited |
| 249774 | BC301-4 | 0.850W Uso Geral NPN metal pode transistor. 60V VCEO, 0.500A Ic, 40-80 hFE. | Continental Device India Limited |
| 249775 | BC301-5 | 0.850W Uso Geral NPN metal pode transistor. 60V VCEO, 0.500A Ic, 70-140 hFE. | Continental Device India Limited |
| 249776 | BC301-6 | 0.850W Uso Geral NPN metal pode transistor. VCEO 60V, 0.500A Ic, 120-240 hFE. | Continental Device India Limited |
| 249777 | BC302 | AMPLIFICADORES E INTERRUPTORES MÉDIOS DE PODER DO AF DO SILICONE DE NPN | Micro Electronics |
| 249778 | BC302 | Finalidade Geral Do Transistor Pequeno Leaded Do Sinal | Central Semiconductor |
| 249779 | BC302 | 0.850W Uso Geral NPN metal pode transistor. 45V VCEO, 0.500A Ic, 40-240 hFE. | Continental Device India Limited |
| 249780 | BC302-4 | 0.850W Uso Geral NPN metal pode transistor. 45V VCEO, 0.500A Ic, 40-80 hFE. | Continental Device India Limited |
| 249781 | BC302-5 | 0.850W Uso Geral NPN metal pode transistor. 45V VCEO, 0.500A Ic, 70-140 hFE. | Continental Device India Limited |
| 249782 | BC302-6 | 0.850W Uso Geral NPN metal pode transistor. VCEO 45V, 0.500A Ic, 120-240 hFE. | Continental Device India Limited |
| 249783 | BC303 | AMPLIFICADORES E INTERRUPTORES MÉDIOS DE PODER DO AF DO SILICONE DE PNP | Micro Electronics |
| 249784 | BC303 | Finalidade Geral Do Transistor Pequeno Leaded Do Sinal | Central Semiconductor |
| 249785 | BC303 | 0.850W Uso Geral PNP metal pode transistor. 60V VCEO, 0.500A Ic, 40-240 hFE. | Continental Device India Limited |
| 249786 | BC303-4 | 0.850W Uso Geral PNP metal pode transistor. 60V VCEO, 0.500A Ic, 40-80 hFE. | Continental Device India Limited |
| 249787 | BC303-5 | 0.850W Uso Geral PNP metal pode transistor. 60V VCEO, 0.500A Ic, 70-140 hFE. | Continental Device India Limited |
| 249788 | BC303-6 | 0.850W Uso Geral PNP metal pode transistor. VCEO 60V, 0.500A Ic, 120-240 hFE. | Continental Device India Limited |
| 249789 | BC304 | AMPLIFICADORES E INTERRUPTORES MÉDIOS DE PODER DO AF DO SILICONE DE PNP | Micro Electronics |
| 249790 | BC304 | Finalidade Geral Do Transistor Pequeno Leaded Do Sinal | Central Semiconductor |
| 249791 | BC304 | 0.850W Uso Geral PNP metal pode transistor. 45V VCEO, 0.500A Ic, 40-240 hFE. | Continental Device India Limited |
| 249792 | BC307 | Aplicações do switching e do amplificador | Fairchild Semiconductor |
| 249793 | BC307 | Transistor Da Finalidade Geral | Korea Electronics (KEC) |
| 249794 | BC307 | Mocy de Tranzystor ma.ej cz?otliwo.ci ma.ej | Ultra CEMI |
| 249795 | BC307 | TRANSISTOR EPITAXIAL PLANAR DO SILICONE DE PNP | Micro Electronics |
| 249796 | BC307 | Transistor da finalidade geral de PNP | Philips |
| 249797 | BC307 | Amplificador Transistors(PNP) | Motorola |
| 249798 | BC307 | Amplificador Transistor PNP | ON Semiconductor |
| 249799 | BC307 | 0.350W Uso Geral PNP plástico com chumbo Transistor. VCEO 45V, 0.100A Ic, 120-800 hFE | Continental Device India Limited |
| 249800 | BC307 | Transistor. Aplicações de comutação e amplificador. Tensão coletor-base de Vcbo = -50V. Tensão coletor-emissor VCEO = -45V. Tensão emissor-base Vebo = 5V. Dissipação Collector Pc (max) = 500mW. Coletor de corrente Ic = -100mA. | USHA India LTD |
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