Nr. | Nome da parte | Descrição | Fabricante |
250241 | BC448 | TRANSISTOR EPITAXIAL PLANAR DO SILICONE DE PNP | Continental Device India Limited |
250242 | BC448A | TRANSISTOR EPITAXIAL PLANAR DO SILICONE DE PNP | Continental Device India Limited |
250243 | BC448A | TRANSISTOR EPITAXIAL PLANAR DO SILICONE DE PNP | Continental Device India Limited |
250244 | BC448B | TRANSISTOR EPITAXIAL PLANAR DO SILICONE DE PNP | Continental Device India Limited |
250245 | BC448B | TRANSISTOR EPITAXIAL PLANAR DO SILICONE DE PNP | Continental Device India Limited |
250246 | BC449 | Transistor De alta tensão | ON Semiconductor |
250247 | BC449 | V (CEO): 100V; V (CBO): 100V; V (EBO): 5V; tensão NPN transistor de silício | Motorola |
250248 | BC449A | Transistor De alta tensão | ON Semiconductor |
250249 | BC449A | V (CEO): 100V; V (CBO): 100V; V (EBO): 5V; tensão NPN transistor de silício | Motorola |
250250 | BC449B | V (CEO): 100V; V (CBO): 100V; V (EBO): 5V; tensão NPN transistor de silício | Motorola |
250251 | BC450 | TRANSISTOR DO SILICONE DE PNP | Micro Electronics |
250252 | BC450 | Transistor De alta tensão | Motorola |
250253 | BC450 | 0.625W Uso Geral PNP plástico com chumbo Transistor. 100V VCEO, 0.300A Ic, 50-220 hFE | Continental Device India Limited |
250254 | BC450A | Transistor De alta tensão | Motorola |
250255 | BC450A | 0.625W Uso Geral PNP plástico com chumbo Transistor. 100V VCEO, 0.300A Ic, 120-220 hFE | Continental Device India Limited |
250256 | BC450B | TRANSISTOR EPITAXIAL PLANAR DO SILICONE DE PNP | Continental Device India Limited |
250257 | BC450B | TRANSISTOR EPITAXIAL PLANAR DO SILICONE DE PNP | Continental Device India Limited |
250258 | BC460 | AMPLIFICADORES E INTERRUPTORES MÉDIOS DE PODER DO AF DO SILICONE | Micro Electronics |
250259 | BC460 | Finalidade Geral Do Transistor Pequeno Leaded Do Sinal | Central Semiconductor |
250260 | BC460 | 10.000W Uso Geral PNP metal pode Transistor. 40V VCEO, Um Ic, 40-250 hFE. | Continental Device India Limited |
250261 | BC461 | AMPLIFICADORES E INTERRUPTORES MÉDIOS DE PODER DO AF DO SILICONE | Micro Electronics |
250262 | BC461 | Finalidade Geral Do Transistor Pequeno Leaded Do Sinal | Central Semiconductor |
250263 | BC461 | 10.000W Uso Geral PNP metal pode Transistor. 60V VCEO, Um Ic, 40-250 hFE. | Continental Device India Limited |
250264 | BC477 | Finalidade Geral Do Transistor Pequeno Leaded Do Sinal | Central Semiconductor |
250265 | BC477 | AMPLIFICADORES AUDIO BAIXOS DE FINALIDADE GERAL DO RUÍDO | ST Microelectronics |
250266 | BC477 | 1.200W Uso Geral PNP metal pode transistor. 80V VCEO, 0.100A Ic, 30 hFE. | Continental Device India Limited |
250267 | BC477 | ft min 100 MHz hfe min 50 Transistor polaridade PNP Ic corrente contínua max 0,15 A Tensão Vcbo 90 V de tensão VCEO 80 V Ic atual (HFE) 2 mA de energia Ptot 360 mW | SGS Thomson Microelectronics |
250268 | BC478 | AMPLIFICADORES AUDIO BAIXOS DE FINALIDADE GERAL DO RUÍDO | ST Microelectronics |
250269 | BC478 | Baixo ruído AMPLIFIERS FINALIDADE GERAL DE ÁUDIO | SGS Thomson Microelectronics |
250270 | BC478B | Dispositivo bipolar de PNP em um pacote hermetically selado do metal TO18. | SemeLAB |
250271 | BC478B | Dispositivo bipolar de PNP em um pacote hermetically selado do metal TO18. | SemeLAB |
250272 | BC479 | AMPLIFICADORES AUDIO BAIXOS DE FINALIDADE GERAL DO RUÍDO | ST Microelectronics |
250273 | BC479 | Baixo ruído AMPLIFIERS FINALIDADE GERAL DE ÁUDIO | SGS Thomson Microelectronics |
250274 | BC485 | TRANSISTOR EPITAXIAL PLANAR DO SILICONE DE NPN | Micro Electronics |
250275 | BC486 | TRANSISTOR EPITAXIAL PLANAR DO SILICONE DE PNP | Micro Electronics |
250276 | BC487 | TRANSISTOR EPITAXIAL PLANAR DO SILICONE DE NPN | Micro Electronics |
250277 | BC487 | Altas Transistores atuais | ON Semiconductor |
250278 | BC488 | TRANSISTOR EPITAXIAL PLANAR DO SILICONE DE PNP | Micro Electronics |
250279 | BC488B | Altas Transistores atuais | ON Semiconductor |
250280 | BC489 | TRANSISTOR EPITAXIAL PLANAR DO SILICONE DE NPN | Micro Electronics |
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