| Nr. | Nome da parte | Descrição | Fabricante |
| 251041 | BC640_J61Z | Transistor Epitaxial Do Silicone de PNP | Fairchild Semiconductor |
| 251042 | BC646BDW1T1 | A Finalidade Geral Dupla Transistors(NPN Duals) | Leshan Radio Company |
| 251043 | BC647BDW1T1 | A Finalidade Geral Dupla Transistors(NPN Duals) | Leshan Radio Company |
| 251044 | BC647CDW1T1 | A Finalidade Geral Dupla Transistors(NPN Duals) | Leshan Radio Company |
| 251045 | BC648BDW1T1 | A Finalidade Geral Dupla Transistors(NPN Duals) | Leshan Radio Company |
| 251046 | BC648CDW1T1 | A Finalidade Geral Dupla Transistors(NPN Duals) | Leshan Radio Company |
| 251047 | BC68-25PA | 20 V, 2 A NPN transistor de média potência | NXP Semiconductors |
| 251048 | BC68PA | 20 V, 2 A NPN transistor de média potência | NXP Semiconductors |
| 251049 | BC69-16PA | 20 V, 2 A PNP transistor de média potência | NXP Semiconductors |
| 251050 | BC69-25PA | 20 V, 2 A PNP transistor de média potência | NXP Semiconductors |
| 251051 | BC69PA | 20 V, 2 A PNP transistor de média potência | NXP Semiconductors |
| 251052 | BC727 | TRANSISTOR DE PODER MÉDIOS DO AF DO SILICONE DE PNP | Micro Electronics |
| 251053 | BC728 | TRANSISTOR DE PODER MÉDIOS DO AF DO SILICONE DE PNP | Micro Electronics |
| 251054 | BC737 | TRANSISTOR DE PODER MÉDIOS DO AF DO SILICONE DE NPN | Micro Electronics |
| 251055 | BC738 | TRANSISTOR DE PODER MÉDIOS DO AF DO SILICONE DE NPN | Micro Electronics |
| 251056 | BC807 | Transistor da finalidade geral de PNP | Philips |
| 251057 | BC807 | Transistor Epitaxial Do Silicone de PNP | Fairchild Semiconductor |
| 251058 | BC807 | Transistor Da Finalidade Geral | Korea Electronics (KEC) |
| 251059 | BC807 | Transistor Pequenos Do Sinal (PNP) | Vishay |
| 251060 | BC807 | TRANSISTOR DE PODER MÉDIO PLANAR DO SILICONE DE SOT23 PNP | Zetex Semiconductors |
| 251061 | BC807 | Transistor Pequenos Do Sinal (PNP) | General Semiconductor |
| 251062 | BC807 | Transistor do Af Do Silicone de PNP | Infineon |
| 251063 | BC807 | Transistor do AF do silicone de PNP (para o ganho atual elevado elevado de corrente de coletor das aplicações gerais do AF) | Siemens |
| 251064 | BC807 | Transistor do silicone de PNP (aplicação atual elevada do switching da aplicação) | AUK Corp |
| 251065 | BC807 | Silicone De Transistors(PNP Da Finalidade Geral) | Leshan Radio Company |
| 251066 | BC807 | TRANSISTOR DA MONTAGEM DA SUPERFÍCIE DE PNP | Diodes |
| 251067 | BC807 | Montagem de superfície PlanarTransistors Silicone-si-Epitaxial | Diotec Elektronische |
| 251068 | BC807 | 45 V, 500 mA PNP de uso geral | NXP Semiconductors |
| 251069 | BC807 | 0.250W Uso Geral PNP Transistor SMD. 45V VCEO, 0.500A Ic, 40 hFE. BC817 Complementar | Continental Device India Limited |
| 251070 | BC807-16 | Transistor da finalidade geral de PNP | Philips |
| 251071 | BC807-16 | Amplificador Da Finalidade Geral de PNP | Fairchild Semiconductor |
| 251072 | BC807-16 | TRANSISTOR DE PODER MÉDIO PLANAR DO SILICONE DE SOT23 PNP | Zetex Semiconductors |
| 251073 | BC807-16 | Transistor Bipolares | Diodes |
| 251074 | BC807-16 | Transistor da finalidade geral - pacote SOT23 | Infineon |
| 251075 | BC807-16 | Transistor do AF do silicone de PNP (para o ganho atual elevado elevado de corrente de coletor das aplicações gerais do AF) | Siemens |
| 251076 | BC807-16 | Transistor, Rf & Af | Vishay |
| 251077 | BC807-16 | Montagem de superfície PlanarTransistors Silicone-si-Epitaxial | Diotec Elektronische |
| 251078 | BC807-16 | 45 V, 500 mA PNP de uso geral | NXP Semiconductors |
| 251079 | BC807-16 | 0.250W Uso Geral PNP Transistor SMD. VCEO 45V, 0.500A Ic, 100-250 hFE. BC817-16 Complementar | Continental Device India Limited |
| 251080 | BC807-16 | Sinal Pequeno transistor (PNP) | General Semiconductor |
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