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Nr.Nome da parteDescriçãoFabricante
315801CM18198-2 Diagrama De Circuito do PWBSamsung Electronic
315802CM18298-2 Diagrama De Circuito do PWBSamsung Electronic
315803CM1829-1429Diagrama De Circuito do PWBSamsung Electronic
315804CM1901-7RConversores De 50 Watts DC-DCPower-One
315805CM20-12ATRANSISTOR DE PODER DO RF DO SILICONE DE NPNAdvanced Semiconductor
315806CM2006Circuito Companion Porta VGA para monitoresON Semiconductor
315807CM2009Circuito Portuário Do Companheiro de VGACalifornia Micro Devices Corp
315808CM2009Porta VGA Circuito CompanionON Semiconductor
315809CM2009-00QRCircuito Portuário Do Companheiro de VGACalifornia Micro Devices Corp
315810CM2009-00QSCircuito Portuário Do Companheiro de VGACalifornia Micro Devices Corp
315811CM2009-01QRCircuito Portuário Do Companheiro de VGACalifornia Micro Devices Corp
315812CM2009-01QSCircuito Portuário Do Companheiro de VGACalifornia Micro Devices Corp
315813CM2009-02QRCircuito Portuário Do Companheiro de VGACalifornia Micro Devices Corp
315814CM2009-02QSCircuito Portuário Do Companheiro de VGACalifornia Micro Devices Corp
315815CM200DU-12FMódulos de IGBT: 600VMitsubishi Electric Corporation
315816CM200DU-12FVolts Duplos Do Projeto IGBTMOD.?00 Amperes/600 Da Porta Da TrincheiraPowerex Power Semiconductors
315817CM200DU-12HMódulos de IGBT: 600VMitsubishi Electric Corporation
315818CM200DU-12HTIPO ISOLADO USO DO SWITCHING DO PODER ELEVADO DOS MÓDULOS DE IGBTMitsubishi Electric Corporation
315819CM200DU-12HVolts Amperes/600 Duplos de IGBTMOD 200Powerex Power Semiconductors



315820CM200DU-12NFHUSO DO SWITCHING DO PODER ELEVADOMitsubishi Electric Corporation
315821CM200DU-24FIGBT Modules:1200VMitsubishi Electric Corporation
315822CM200DU-24FUSO DO SWITCHING DO PODER ELEVADO DOS MÓDULOS DE MITSUBISHI IGBTMitsubishi Electric Corporation
315823CM200DU-24FVolts Duplos Do Projeto IGBTMOD.?00 Amperes/1200 Da Porta Da TrincheiraPowerex Power Semiconductors
315824CM200DU-24HIGBT Modules:1200VMitsubishi Electric Corporation
315825CM200DU-24HTIPO ISOLADO USO DO SWITCHING DO PODER ELEVADO DOS MÓDULOS DE IGBTMitsubishi Electric Corporation
315826CM200DU-24HVolts Amperes/1200 Duplos de IGBTMOD 200Powerex Power Semiconductors
315827CM200DU-24NFHUSO DO SWITCHING DO PODER ELEVADOMitsubishi Electric Corporation
315828CM200DU-34KAIGBT Modules:1700VMitsubishi Electric Corporation
315829CM200DU-34KAVolts Amperes/1700 Duplos Do Módulo 200 Da KA-Série de IGBTMODPowerex Power Semiconductors
315830CM200DY-12HMódulos de IGBT: 600VMitsubishi Electric Corporation
315831CM200DY-12HTIPO ISOLADO USO MÓDULOS DO SWITCHING DO PODER ELEVADO DE IGBTMitsubishi Electric Corporation
315832CM200DY-12HVolts Amperes/600 Duplos de IGBTMOD 200Powerex Power Semiconductors
315833CM200DY-12NFUSO DO SWITCHING DO PODER ELEVADOMitsubishi Electric Corporation
315834CM200DY-24AUSO DO SWITCHING DO PODER ELEVADOMitsubishi Electric Corporation
315835CM200DY-24HIGBT Modules:1200VMitsubishi Electric Corporation
315836CM200DY-24HTIPO ISOLADO USO DO SWITCHING DO PODER ELEVADO DOS MÓDULOS DE MITSUBISHI IGBTMitsubishi Electric Corporation
315837CM200DY-24HVolts Amperes/1200 Duplos de IGBTMOD 200Powerex Power Semiconductors
315838CM200DY-24NFMÓDULOS DE MITSUBISHI IGBTMitsubishi Electric Corporation
315839CM200DY-28HIGBT Modules:1400VMitsubishi Electric Corporation
315840CM200DY-28HTIPO ISOLADO USO DO SWITCHING DO PODER ELEVADO DOS MÓDULOS DE MITSUBISHI IGBTMitsubishi Electric Corporation
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