| Nr. | Nome da parte | Descrição | Fabricante |
| 45721 | 2N3866 | Transistor epitaxial planar da folha de prova do silicone | Philips |
| 45722 | 2N3866 | Finalidade Geral Do Transistor Pequeno Leaded Do Sinal | Central Semiconductor |
| 45723 | 2N3866 | TRANSISTOR DA ALTA FREQÜÊNCIA DO SILICONE DE NPN | Advanced Semiconductor |
| 45724 | 2N3866 | TRANSISTOR DE PODER BAIXOS DISCRETOS DO RF & DA MICROONDA | Microsemi |
| 45725 | 2N3866 | Tipo Polaridade 1007 Da Geometria de 2C3866A Da Microplaqueta NPN | Semicoa Semiconductor |
| 45726 | 2N3866A | TRANSISTOR DE PODER BAIXOS DISCRETOS DO RF & DA MICROONDA | Microsemi |
| 45727 | 2N3866A | Tipo Polaridade 1007 Da Geometria de 2C3866A Da Microplaqueta NPN | Semicoa Semiconductor |
| 45728 | 2N3866AF | Chip: geometria 1007; polaridade NPN | Semicoa Semiconductor |
| 45729 | 2N3866AUB | Tipo Polaridade 1007 Da Geometria de 2C3866A Da Microplaqueta NPN | Semicoa Semiconductor |
| 45730 | 2N3867 | Transistor de PNP | Microsemi |
| 45731 | 2N3867 | Transistor de PNP | Microsemi |
| 45732 | 2N3867 | Finalidade Geral Do Transistor Pequeno Leaded Do Sinal | Central Semiconductor |
| 45733 | 2N3867 | 1.000W Uso Geral PNP metal pode transistor. VCEO 40V, 3.000A Ic, 40-200 hFE. | Continental Device India Limited |
| 45734 | 2N3867S | Transistor de PNP | Microsemi |
| 45735 | 2N3868 | Transistor de PNP | Microsemi |
| 45736 | 2N3868 | Transistor de PNP | Microsemi |
| 45737 | 2N3868 | Finalidade Geral Do Transistor Pequeno Leaded Do Sinal | Central Semiconductor |
| 45738 | 2N3868S | Transistor de PNP | Microsemi |
| 45739 | 2N3870 | Silicone Rectifiers(Reverse Controlado Que Obstrui Tiristores Do Triode) | Motorola |
| 45740 | 2N3870 | 35A silício retificador controlado. Vrsom (não-rep) 150V. | General Electric Solid State |
| 45741 | 2N3871 | Silicone Rectifiers(Reverse Controlado Que Obstrui Tiristores Do Triode) | Motorola |
| 45742 | 2N3871 | 35A silício retificador controlado. Vrsom (não-rep) 330V. | General Electric Solid State |
| 45743 | 2N3872 | Silicone Rectifiers(Reverse Controlado Que Obstrui Tiristores Do Triode) | Motorola |
| 45744 | 2N3872 | 35A silício retificador controlado. Vrsom (não-rep) 660V. | General Electric Solid State |
| 45745 | 2N3873 | Silicone Rectifiers(Reverse Controlado Que Obstrui Tiristores Do Triode) | Motorola |
| 45746 | 2N3873 | 35A silício retificador controlado. Vrsom (não-rep) 700V. | General Electric Solid State |
| 45747 | 2N3878 | TRANSISTOR PLANAR EPITAXIAL DE ALTA VELOCIDADE DO SILICONE NPN DO COLETOR | General Electric Solid State |
| 45748 | 2N3878 | TRANSISTOR PLANAR EPITAXIAL DE ALTA VELOCIDADE DO SILICONE NPN DO COLETOR | General Electric Solid State |
| 45749 | 2N3879 | Transistor de NPN | Microsemi |
| 45750 | 2N3879 | Alta velocidade, epitaxial de silício coletor NPN planar transistor. | General Electric Solid State |
| 45751 | 2N3884 | Média do SCR 175 Amoeres Do Controle Da Fase 1200 Volts | Powerex Power Semiconductors |
| 45752 | 2N3884-2N3895 | Média do SCR 175 Amoeres Do Controle Da Fase 1200 Volts | Powerex Power Semiconductors |
| 45753 | 2N3885 | Média do SCR 175 Amoeres Do Controle Da Fase 1200 Volts | Powerex Power Semiconductors |
| 45754 | 2N3886 | Média do SCR 175 Amoeres Do Controle Da Fase 1200 Volts | Powerex Power Semiconductors |
| 45755 | 2N3887 | Média do SCR 175 Amoeres Do Controle Da Fase 1200 Volts | Powerex Power Semiconductors |
| 45756 | 2N3888 | Média do SCR 175 Amoeres Do Controle Da Fase 1200 Volts | Powerex Power Semiconductors |
| 45757 | 2N3889 | Média do SCR 175 Amoeres Do Controle Da Fase 1200 Volts | Powerex Power Semiconductors |
| 45758 | 2N3890 | Média do SCR 175 Amoeres Do Controle Da Fase 1200 Volts | Powerex Power Semiconductors |
| 45759 | 2N3891 | Média do SCR 175 Amoeres Do Controle Da Fase 1200 Volts | Powerex Power Semiconductors |
| 45760 | 2N3892 | Média do SCR 175 Amoeres Do Controle Da Fase 1200 Volts | Powerex Power Semiconductors |
| | | |
