| Nr. | Nome da parte | Descrição | Fabricante |
| 46041 | 2N4035 | Finalidade Geral Do Transistor Pequeno Leaded Do Sinal | Central Semiconductor |
| 46042 | 2N4036 | AMPLIFICADORES E INTERRUPTORES MÉDIOS DE PODER DO AF DO SILICONE | Micro Electronics |
| 46043 | 2N4036 | INTERRUPTOR DE MEDIUM-SPEED | SGS Thomson Microelectronics |
| 46044 | 2N4036 | TRANSISTOR PLANAR DO SILICONE DE PNP | Boca Semiconductor Corporation |
| 46045 | 2N4036 | Transistor do switching de PNP | Philips |
| 46046 | 2N4036 | CASO 79.04, ESTILO 1 TO-39 (TO-205AD) | Motorola |
| 46047 | 2N4036 | Finalidade Geral Do Transistor Pequeno Leaded Do Sinal | Central Semiconductor |
| 46048 | 2N4036 | INTERRUPTOR DE MEDIUM-SPEED | ST Microelectronics |
| 46049 | 2N4036 | 1.000W Uso Geral PNP metal pode transistor. VCEO 65V, 1.000A Ic, 20 hFE. | Continental Device India Limited |
| 46050 | 2N4036 | PNP transistor de propósito geral. | Fairchild Semiconductor |
| 46051 | 2N4036 | Poder silício Médio NPN planar transistor. | General Electric Solid State |
| 46052 | 2N4037 | TRANSISTOR DO SILICONE | Micro Electronics |
| 46053 | 2N4037 | CASO 79.04, ESTILO 1 TO-39 (TO-205AD) | Motorola |
| 46054 | 2N4037 | Finalidade Geral Do Transistor Pequeno Leaded Do Sinal | Central Semiconductor |
| 46055 | 2N4037 | 1.000W Uso Geral PNP metal pode transistor. VCEO 40V, 1.000A Ic, 50-250 hFE. | Continental Device India Limited |
| 46056 | 2N4037 | PNP transistor de propósito geral. | Fairchild Semiconductor |
| 46057 | 2N4037 | Poder silício Médio NPN planar transistor. | General Electric Solid State |
| 46058 | 2N404 | Transistor | Advanced Semiconductor |
| 46059 | 2N404 | Transistor | Central Semiconductor |
| 46060 | 2N4046 | Finalidade Geral Do Transistor Pequeno Leaded Do Sinal | Central Semiconductor |
| 46061 | 2N4047 | Finalidade Geral Do Transistor Pequeno Leaded Do Sinal | Central Semiconductor |
| 46062 | 2N4058 | TRANSISTOR PEQUENOS DO SINAL DO AF DO SILICONE | Micro Electronics |
| 46063 | 2N4058 | Finalidade Geral Do Transistor Pequeno Leaded Do Sinal | Central Semiconductor |
| 46064 | 2N4059 | TRANSISTOR PEQUENOS DO SINAL DO AF DO SILICONE | Micro Electronics |
| 46065 | 2N4060 | TRANSISTOR PEQUENOS DO SINAL DO AF DO SILICONE | Micro Electronics |
| 46066 | 2N4061 | TRANSISTOR PEQUENOS DO SINAL DO AF DO SILICONE | Micro Electronics |
| 46067 | 2N4062 | TRANSISTOR PEQUENOS DO SINAL DO AF DO SILICONE | Micro Electronics |
| 46068 | 2N4063 | De alta tensão silício NPN planar transistor. | General Electric Solid State |
| 46069 | 2N4064 | De alta tensão silício NPN planar transistor. | General Electric Solid State |
| 46070 | 2N4068 | Finalidade Geral Do Transistor Pequeno Leaded Do Sinal | Central Semiconductor |
| 46071 | 2N4091 | N Canaliza o Mosfet | Microsemi |
| 46072 | 2N4091 | Finalidade Geral Leaded de JFET | Central Semiconductor |
| 46073 | 2N4092 | N Canaliza o Mosfet | Microsemi |
| 46074 | 2N4092 | Finalidade Geral Leaded de JFET | Central Semiconductor |
| 46075 | 2N4093 | N Canaliza o Mosfet | Microsemi |
| 46076 | 2N4093 | Finalidade Geral Leaded de JFET | Central Semiconductor |
| 46077 | 2N4101 | RETIFICADORES CONTROLADOS DO SILICONE 5-A | General Electric Solid State |
| 46078 | 2N4101 | RETIFICADORES CONTROLADOS DO SILICONE 5-A | General Electric Solid State |
| 46079 | 2N4103 | SCR Leaded Do Tiristor | Central Semiconductor |
| 46080 | 2N4103 | 12.5A silício retificador controlado. VRM (não-rep) 700V. | General Electric Solid State |
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