| Nr. | Nome da parte | Descrição | Fabricante |
| 46121 | 2N4123TAR | Amplificador Da Finalidade Geral de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 46122 | 2N4123TF | Amplificador Da Finalidade Geral de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 46123 | 2N4123TFR | Amplificador Da Finalidade Geral de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 46124 | 2N4124 | Amplificador Da Finalidade Geral de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 46125 | 2N4124 | Transistor Pequeno Do Sinal (NPN) | Vishay |
| 46126 | 2N4124 | Transistor Pequenos Do Sinal (NPN) | General Semiconductor |
| 46127 | 2N4124 | TRANSISTOR EPITAXIAL PLANAR DO SILICONE DE NPN | Micro Electronics |
| 46128 | 2N4124 | Transistor da finalidade geral de NPN | Philips |
| 46129 | 2N4124 | Transistor 625mW Da Finalidade Geral Do Silicone de NPN | Micro Commercial Components |
| 46130 | 2N4124 | Finalidade Geral Do Transistor Pequeno Leaded Do Sinal | Central Semiconductor |
| 46131 | 2N4124 | Transistor Da Finalidade Geral - NPN | ON Semiconductor |
| 46132 | 2N4124 | TRANSISTOR EPITAXIAL DO SILICONE DE NPN | Samsung Electronic |
| 46133 | 2N4124 | TRANSISTOR PEQUENO DO SINAL DE NPN | TRSYS |
| 46134 | 2N4124 | Planar epitaxial passivadas NPN transistor de silício. 25V, 200mA. | General Electric Solid State |
| 46135 | 2N4124 | Ic = 200mA, Vce = 1.0V transistor | MCC |
| 46136 | 2N4124 | 25 V, NPN transistor pequeno sinal | TRANSYS Electronics Limited |
| 46137 | 2N4124 | Transistor de uso geral. Tensão coletor-emissor: 25V = VCEO. Tensão colector-base: 30V = VCBO. Dissipação Collector: Pc (max) = 625mW. | USHA India LTD |
| 46138 | 2N4124BU | Amplificador Da Finalidade Geral de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 46139 | 2N4124TA | Amplificador Da Finalidade Geral de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 46140 | 2N4124TAR | Amplificador Da Finalidade Geral de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 46141 | 2N4124TF | Amplificador Da Finalidade Geral de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 46142 | 2N4124TFR | Amplificador Da Finalidade Geral de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 46143 | 2N4124_J18Z | Amplificador Da Finalidade Geral de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 46144 | 2N4125 | Amplificador Da Finalidade Geral de PNP | Fairchild Semiconductor |
| 46145 | 2N4125 | Finalidade Geral Do Transistor Pequeno Leaded Do Sinal | Central Semiconductor |
| 46146 | 2N4125 | TRANSISTOR EPITAXIAL DO SILICONE DE PNP | Samsung Electronic |
| 46147 | 2N4125 | Planar epitaxial passivadas PNP transistor de silício. -30V, 200mA. | General Electric Solid State |
| 46148 | 2N4125 | Transistores amplificador. Tensão coletor-emissor: VCEO = -30V. Tensão colector-base: VCBO = -30V. Dissipação Collector: Pc (max) = 625mW. | USHA India LTD |
| 46149 | 2N4125BU | Amplificador Da Finalidade Geral de PNP | Fairchild Semiconductor |
| 46150 | 2N4125TA | Amplificador Da Finalidade Geral de PNP | Fairchild Semiconductor |
| 46151 | 2N4125TAR | Amplificador Da Finalidade Geral de PNP | Fairchild Semiconductor |
| 46152 | 2N4125TF | Amplificador Da Finalidade Geral de PNP | Fairchild Semiconductor |
| 46153 | 2N4125TFR | Amplificador Da Finalidade Geral de PNP | Fairchild Semiconductor |
| 46154 | 2N4126 | Amplificador Da Finalidade Geral de PNP | Fairchild Semiconductor |
| 46155 | 2N4126 | Transistor Pequeno Do Sinal (PNP) | Vishay |
| 46156 | 2N4126 | Transistor Pequenos Do Sinal (PNP) | General Semiconductor |
| 46157 | 2N4126 | Transistor da finalidade geral de PNP | Philips |
| 46158 | 2N4126 | Finalidade Geral Do Transistor Pequeno Leaded Do Sinal | Central Semiconductor |
| 46159 | 2N4126 | TRANSISTOR EPITAXIAL DO SILICONE DE PNP | Samsung Electronic |
| 46160 | 2N4126 | TRANSISTOR PEQUENO DO SINAL DE PNP | TRSYS |
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