| Nr. | Nome da parte | Descrição | Fabricante |
| 501801 | HN1A01FE | Transistor de amplificação de baixa freqüência pequenos sinais 2 em 1 | TOSHIBA |
| 501802 | HN1A01FU | Tipo Epitaxial Do Silicone PNP Do Transistor (Processo) do Pct Aplicações Do Amplificador Da Finalidade Geral De Freqüência Audio | TOSHIBA |
| 501803 | HN1A02F | Transistor de amplificação de baixa freqüência pequenos sinais 2 em 1 | TOSHIBA |
| 501804 | HN1A07F | Transistor de amplificação de baixa freqüência pequenos sinais 2 em 1 | TOSHIBA |
| 501805 | HN1A26FS | Transistor de amplificação de baixa freqüência pequenos sinais 2 em 1 | TOSHIBA |
| 501806 | HN1B01F | Tipo Epitaxial Do Silicone PNP Do Transistor (Processo) Tipo Epitaxial do Pct Do Silicone NPN (Processo) do Pct Aplicações Do Amplificador Da Finalidade Geral De Freqüência Audio | TOSHIBA |
| 501807 | HN1B01FDW1T1 | Complementar General Purpose dupla amplificador transistorizado | ON Semiconductor |
| 501808 | HN1B01FDW1T1-D | Transistor duplo complementar PNP do amplificador da finalidade geral e de superfície de NPN montagem | ON Semiconductor |
| 501809 | HN1B01FU | Tipo Epitaxial Do Silicone PNP Do Transistor (Processo) Tipo Epitaxial do Pct Do Silicone NPN (Processo) do Pct Aplicações Do Amplificador Da Finalidade Geral De Freqüência Audio | TOSHIBA |
| 501810 | HN1B04F | Transistor de amplificação de baixa freqüência pequenos sinais 2 em 1 | TOSHIBA |
| 501811 | HN1B04FE | Transistor de amplificação de baixa freqüência pequenos sinais 2 em 1 | TOSHIBA |
| 501812 | HN1B04FU | Tipo Epitaxial Do Silicone NPN Do Transistor (Processo) Tipo Epitaxial do Pct Do Silicone PNP (Processo) do Pct Aplicações Do Amplificador Da Finalidade Geral De Freqüência Audio | TOSHIBA |
| 501813 | HN1B26FS | Transistor de amplificação de baixa freqüência pequenos sinais 2 em 1 | TOSHIBA |
| 501814 | HN1C01F | Tipo Epitaxial Do Silicone NPN Do Transistor (Processo) do Pct Aplicações Do Amplificador Da Finalidade Geral De Freqüência Audio | TOSHIBA |
| 501815 | HN1C01FE | Transistor de amplificação de baixa freqüência pequenos sinais 2 em 1 | TOSHIBA |
| 501816 | HN1C01FU | Tipo Epitaxial Do Silicone NPN Do Transistor (Processo) do Pct Aplicações Do Amplificador Da Finalidade Geral De Freqüência Audio | TOSHIBA |
| 501817 | HN1C03F | Tipo Epitaxial Do Silicone NPN Do Transistor (Processo do Pct) Para Aplicações Muting E Comutando | TOSHIBA |
| 501818 | HN1C03FU | Tipo epitaxial de Npn do silicone do transistor (processo do PCT) para aplicações muting e comutando | TOSHIBA |
| 501819 | HN1C05FE | Transistor de amplificação de baixa freqüência pequenos sinais 2 em 1 | TOSHIBA |
| 501820 | HN1C07F | Transistor de amplificação de baixa freqüência pequenos sinais 2 em 1 | TOSHIBA |
| 501821 | HN1C26FS | Transistor de amplificação de baixa freqüência pequenos sinais 2 em 1 | TOSHIBA |
| 501822 | HN1D01F | Tipo Planar Epitaxial Aplicação Ultra De alta velocidade Do Silicone Do Diodo Do Switching | TOSHIBA |
| 501823 | HN1D01FE | Diodo de comutação | TOSHIBA |
| 501824 | HN1D01FU | Tipo Planar Epitaxial Aplicação Ultra De alta velocidade Do Silicone Do Diodo Do Switching | TOSHIBA |
| 501825 | HN1D02F | Tipo Planar Epitaxial Aplicação Ultra De alta velocidade Do Silicone Do Diodo Do Switching | TOSHIBA |
| 501826 | HN1D02FE | Diodo de comutação | TOSHIBA |
| 501827 | HN1D02FU | Tipo Planar Epitaxial Aplicação Ultra De alta velocidade Do Silicone Do Diodo Do Switching | TOSHIBA |
| 501828 | HN1D03F | Tipo Planar Epitaxial Aplicação Ultra De alta velocidade Do Silicone Do Diodo Do Switching | TOSHIBA |
| 501829 | HN1D03FU | Tipo Planar Epitaxial Aplicação Ultra De alta velocidade Do Silicone Do Diodo Do Switching | TOSHIBA |
| 501830 | HN1D04FU | Diodo de comutação | TOSHIBA |
| 501831 | HN1J02FU | Tipo Aplicações Análogas Do MOS Da Canaleta Do Silicone P Do Transistor De Efeito De Campo Do Interruptor Das Aplicações De alta velocidade Do Switching | TOSHIBA |
| 501832 | HN1K02FU | Tipo Aplicações Análogas do MOS Da Canaleta Do Silicone N Do Transistor De Efeito De Campo Do Interruptor Das Aplicações De alta velocidade Do Switching | TOSHIBA |
| 501833 | HN1K03FU | Tipo Aplicações Análogas do MOS Da Canaleta Do Silicone N Do Transistor De Efeito De Campo Do Interruptor Das Aplicações De alta velocidade Do Switching | TOSHIBA |
| 501834 | HN1K04FU | Tipo Aplicações Análogas do MOS Da Canaleta Do Silicone N Do Transistor De Efeito De Campo Do Interruptor Das Aplicações De alta velocidade Do Switching | TOSHIBA |
| 501835 | HN1K05FU | Tipo do MOS Da Canaleta Do Silicone N Do Transistor De Efeito De Campo Para Aplicações De alta velocidade Da Relação Das Aplicações Do Switching Dos Dispositivos Portáteis | TOSHIBA |
| 501836 | HN1K06FU | Tipo Aplicações Análogas do MOS Da Canaleta Do Silicone N Do Transistor De Efeito De Campo Do Interruptor Das Aplicações De alta velocidade Do Switching | TOSHIBA |
| 501837 | HN1L02FU | Tipo Aplicações Análogas do MOS Da Canaleta Do Silicone N-P Do Transistor De Efeito De Campo Do Interruptor Das Aplicações De alta velocidade Do Switching | TOSHIBA |
| 501838 | HN1L03FU | Tipo Aplicações Análogas do MOS Da Canaleta Do Silicone N-P Do Transistor De Efeito De Campo Do Interruptor Das Aplicações De alta velocidade Do Switching | TOSHIBA |
| 501839 | HN1V01H | Aplicações Ajustando Da Faixa De rádio Variável do Am Do Diodo Da Capacidade | TOSHIBA |
| 501840 | HN1V02H | Aplicações Ajustando Da Faixa De rádio Variável do Am Do Diodo Da Capacidade | TOSHIBA |
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