Nr. | Nome da parte | Descrição | Fabricante |
569321 | IRFF113 | N-canal de energia do modo de aprimoramento de efeito de campo transistor. Escorra-sourge 60V tensão. Dreno contínua 3.0A atual. | General Electric Solid State |
569322 | IRFF113 | N-canal porta-mode aprimoramento silício TMOS pequenos sinais de efeito de campo transistor. | Motorola |
569323 | IRFF120 | 100V escolhem o MOSFET da N-Canaleta hi-Rel-Rel em um pacote de TO-205AF | International Rectifier |
569324 | IRFF120 | 6.0A/ 100V/ Mosfet Do Poder Da N-Canaleta De 0.300 Ohm | Intersil |
569325 | IRFF120 | N-canal de energia do modo de aprimoramento de efeito de campo transistor. Escorra-sourge 100V de tensão. Dreno contínua 6.0A atual. | General Electric Solid State |
569326 | IRFF121 | N-canal de energia do modo de aprimoramento de efeito de campo transistor. Escorra-sourge 50V tensão. Dreno contínua 6.0A atual. | General Electric Solid State |
569327 | IRFF122 | N-canal de energia do modo de aprimoramento de efeito de campo transistor. Escorra-sourge 100V de tensão. Dreno contínua 5.0A atual. | General Electric Solid State |
569328 | IRFF123 | N-canal de energia do modo de aprimoramento de efeito de campo transistor. Escorra-sourge 60V tensão. Dreno contínua 5.0A atual. | General Electric Solid State |
569329 | IRFF130 | 100V escolhem o MOSFET da N-Canaleta hi-Rel-Rel em um pacote de TO-205AF | International Rectifier |
569330 | IRFF130 | 8.0A/ 100V/ Mosfet Do Poder Da N-Canaleta De 0.180 Ohm | Intersil |
569331 | IRFF130 | N-canal de energia do modo de aprimoramento de efeito de campo transistor. Escorra-sourge 100V de tensão. Dreno contínua 8.0A atual. | General Electric Solid State |
569332 | IRFF131 | N-canal de energia do modo de aprimoramento de efeito de campo transistor. Escorra-sourge 60V tensão. Dreno contínua 8.0A atual. | General Electric Solid State |
569333 | IRFF132 | N-canal de energia do modo de aprimoramento de efeito de campo transistor. Escorra-sourge 100V de tensão. Dreno contínua 7.0A atual. | General Electric Solid State |
569334 | IRFF133 | N-canal de energia do modo de aprimoramento de efeito de campo transistor. Escorra-sourge 60V tensão. Dreno contínua 7.0A atual. | General Electric Solid State |
569335 | IRFF210 | 200V escolhem o MOSFET da N-Canaleta hi-Rel-Rel em um pacote de TO-205AF | International Rectifier |
569336 | IRFF210 | 2.2A/ 200V/ Mosfet Do Poder Da N-Canaleta De 1.500 Ohm | Intersil |
569337 | IRFF220 | 200V escolhem o MOSFET da N-Canaleta hi-Rel-Rel em um pacote de TO-205AF | International Rectifier |
569338 | IRFF220 | 3.5A/ 200V/ Mosfet Do Poder Da N-Canaleta De 0.800 Ohm | Intersil |
569339 | IRFF230 | 200V escolhem o MOSFET da N-Canaleta hi-Rel-Rel em um pacote de TO-205AF | International Rectifier |
569340 | IRFF230 | 5.5A/ 200V/ Mosfet Do Poder Da N-Canaleta De 0.400 Ohm | Intersil |
569341 | IRFF310 | 400V escolhem o MOSFET da N-Canaleta hi-Rel-Rel em um pacote de TO-205AF | International Rectifier |
569342 | IRFF310 | 1.35A/ 400V/ Mosfet Do Poder Da N-Canaleta De 3.600 Ohms | Intersil |
569343 | IRFF310 | Potência MOSFET de potência de efeito de campo transistor. Tensão dreno-fonte de 400 V. | General Electric Solid State |
569344 | IRFF311 | Potência MOSFET de potência de efeito de campo transistor. Tensão dreno-fonte de 350 V. | General Electric Solid State |
569345 | IRFF312 | Potência MOSFET de potência de efeito de campo transistor. Tensão dreno-fonte de 400 V. | General Electric Solid State |
569346 | IRFF313 | Potência MOSFET de potência de efeito de campo transistor. Tensão dreno-fonte de 350 V. | General Electric Solid State |
569347 | IRFF320 | 400V escolhem o MOSFET da N-Canaleta hi-Rel-Rel em um pacote de TO-205AF | International Rectifier |
569348 | IRFF320 | 2.5A/ 400V/ Mosfet Do Poder Da N-Canaleta De 1.800 Ohm | Intersil |
569349 | IRFF330 | 400V escolhem o MOSFET da N-Canaleta hi-Rel-Rel em um pacote de TO-205AF | International Rectifier |
569350 | IRFF330 | 3.5A/ 400V/ Mosfet Do Poder Da N-Canaleta De 1.000 Ohm | Intersil |
569351 | IRFF420 | 500V escolhem o MOSFET da N-Canaleta hi-Rel-Rel em um pacote de TO-205AF | International Rectifier |
569352 | IRFF420 | MOSFET DO PODER DE N-CHANNEL | SemeLAB |
569353 | IRFF420 | 1.6A/ 500V/ Mosfet Do Poder Da N-Canaleta De 3.000 Ohms | Intersil |
569354 | IRFF430 | 500V escolhem o MOSFET da N-Canaleta hi-Rel-Rel em um pacote de TO-205AF | International Rectifier |
569355 | IRFF430 | 2.75A/ 500V/ Mosfet Do Poder Da N-Canaleta De 1.500 Ohm | Intersil |
569356 | IRFF9024 | -60V escolhem o MOSFET da P-Canaleta hi-Rel-Rel em um pacote de TO-205AF | International Rectifier |
569357 | IRFF9110 | -100V escolhem o MOSFET da P-Canaleta hi-Rel-Rel em um pacote de TO-205AF | International Rectifier |
569358 | IRFF9120 | -100V escolhem o MOSFET da P-Canaleta hi-Rel-Rel em um pacote de TO-205AF | International Rectifier |
569359 | IRFF9120 | 4A/ 100V/ Mosfet Do Poder Da P-Canaleta De 0.60 Ohm | Intersil |
569360 | IRFF9130 | -100V escolhem o MOSFET da P-Canaleta hi-Rel-Rel em um pacote de TO-205AF | International Rectifier |
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