|   Primeira página   |   Todos os fabricantes   |   Pela Função   |  

Parte número, a descrição fabricante ou conter:    
Salto rápido a:   1N  2N  2SA  2SC  74  AD  BA  BC  BD  BF  BU  CXA  HCF  IRF  KA  KIA  LA  LM  MC  NE  ST  STK  TDA  TL  UA  



Folhas de dados encontradas :: 1351360Página: << | 15001 | 15002 | 15003 | 15004 | 15005 | 15006 | 15007 | 15008 | 15009 | 15010 | 15011 | >>
Nr.Nome da parteDescriçãoFabricante
600201K4R441869AM-CK7256K x 18 x 32s bancos dependentes RDRAM direta. Tempo de acesso: 45 ns, eu O freq /. 711 MHz.Samsung Electronic
600202K4R441869AM-CK8256K x 18 x 32s bancos dependentes RDRAM direta. Tempo de acesso: 45 ns, eu O freq /. 800 MHz.Samsung Electronic
600203K4R441869AN-CG6256K x 18 x 32s bancos dependentes RDRAM direta. Tempo de acesso: 53,3 ns, eu O freq /. 600 MHz.Samsung Electronic
600204K4R441869AN-CK7256K x 18 x 32s bancos dependentes RDRAM direta. Tempo de acesso: 45 ns, eu O freq /. 711 MHz.Samsung Electronic
600205K4R441869AN-CK8256K x 18 x 32s bancos dependentes RDRAM direta. Tempo de acesso: 45 ns, eu O freq /. 800 MHz.Samsung Electronic
600206K4R441869BK4R271669B:Direct RDRAM. Folha De DadosSamsung Electronic
600207K4R441869BRDRAM DiretoSamsung Electronic
600208K4R441869B-N(M)CG6256K x 16/18 os bancos do bocado x de 32s dirigem RDRAMTMSamsung Electronic
600209K4R441869B-N(M)CK7256K x 16/18 os bancos do bocado x de 32s dirigem RDRAMTMSamsung Electronic
600210K4R441869B-N(M)CK8256K x 16/18 os bancos do bocado x de 32s dirigem RDRAMTMSamsung Electronic
600211K4R521669A250 a 0.13V; 512 / 576Mbit canal nonstop RDRAM 1066 curto (A-die); 1M x 16/18 bits x 32s BanksSamsung Electronic
600212K4R57(88)16(8)69ARDRAM Direto. Folha De DadosSamsung Electronic
600213K4R571669D256/288Mbit RDRAM(D-die)Samsung Electronic
600214K4R571669MRDRAM Direto. Folha De DadosSamsung Electronic
600215K4R761869A250 a 0.13V; 512 / 576Mbit canal nonstop RDRAM 1066 curto (A-die); 1M x 16/18 bits x 32s BanksSamsung Electronic
600216K4R761869A-F1M x de 576Mbit RDRAM (Um-morra) bancos RDRAMTM direto de 18bit x de 32sSamsung Electronic
600217K4R761869A-FBCCN11M x de 576Mbit RDRAM (Um-morra) bancos RDRAMTM direto de 18bit x de 32sSamsung Electronic
600218K4R761869A-FCM81M x de 576Mbit RDRAM (Um-morra) bancos RDRAMTM direto de 18bit x de 32sSamsung Electronic
600219K4R761869A-FCT91M x de 576Mbit RDRAM (Um-morra) bancos RDRAMTM direto de 18bit x de 32sSamsung Electronic



600220K4R761869A-GCM81M x de 576Mbit RDRAM (Um-morra) bancos RDRAMTM direto de 18bit x de 32sSamsung Electronic
600221K4R761869A-GCN11M x de 576Mbit RDRAM (Um-morra) bancos RDRAMTM direto de 18bit x de 32sSamsung Electronic
600222K4R761869A-GCT91M x de 576Mbit RDRAM (Um-morra) bancos RDRAMTM direto de 18bit x de 32sSamsung Electronic
600223K4R881869288Mbit RDRAM 512K x 18 bancos 2*16 dependentes do bocado x dirigem RDRAMTMSamsung Electronic
600224K4R881869D256/288Mbit RDRAM(D-die)Samsung Electronic
600225K4R881869MRDRAM Direto. Folha De DadosSamsung Electronic
600226K4R881869MRDRAM DiretoSamsung Electronic
600227K4R881869M-NBCCG6288Mbit RDRAM 512K x 18 bancos 2*16 dependentes do bocado x dirigem RDRAMTMSamsung Electronic
600228K4R881869M-NCK7288Mbit RDRAM 512K x 18 bancos 2*16 dependentes do bocado x dirigem RDRAMTMSamsung Electronic
600229K4R881869M-NCK8288Mbit RDRAM 512K x 18 bancos 2*16 dependentes do bocado x dirigem RDRAMTMSamsung Electronic
600230K4S160822D1M x 8bit x DRAM synchronous LVTTL de 2 bancosSamsung Electronic
600231K4S160822DT-G/F101M x 8bit x de 2Mx8 SDRAM DRAM synchronous LVTTL de 2 bancosSamsung Electronic
600232K4S160822DT-G/F71M x 8bit x de 2Mx8 SDRAM DRAM synchronous LVTTL de 2 bancosSamsung Electronic
600233K4S160822DT-G/F81M x 8bit x de 2Mx8 SDRAM DRAM synchronous LVTTL de 2 bancosSamsung Electronic
600234K4S160822DT-G/FH1M x 8bit x de 2Mx8 SDRAM DRAM synchronous LVTTL de 2 bancosSamsung Electronic
600235K4S160822DT-G/FL1M x 8bit x de 2Mx8 SDRAM DRAM synchronous LVTTL de 2 bancosSamsung Electronic
600236K4S161622D512K x 16Bit x DRAM synchronous de 2 bancosSamsung Electronic
600237K4S161622D-TC/L/I/P512K x 16Bit x folha de 2 dados synchronous do DRAM dos bancosSamsung Electronic
600238K4S161622D-TC/L/I/P512K x 16Bit x folha de 2 dados synchronous do DRAM dos bancosSamsung Electronic
600239K4S161622D-TC/L10512K x 16Bit x DRAM synchronous de 2 bancosSamsung Electronic
600240K4S161622D-TC/L55512K x 16Bit x DRAM synchronous de 2 bancosSamsung Electronic
Folhas de dados encontradas :: 1351360Página: << | 15001 | 15002 | 15003 | 15004 | 15005 | 15006 | 15007 | 15008 | 15009 | 15010 | 15011 | >>
English Version for this page Version française pour cette page Deutsche Version für diese Seite Versión española para esta página Versione italiana Russian version Versiunea romaneasca



© 2024 - www.DatasheetCatalog.com