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Nr.Nome da parteDescriçãoFabricante
783081MBS2Ponte: PadrãoTaiwan Semiconductor
783082MBS28A28-Lead Diluem O Pacote Pequeno Do Esboço, Datilografam INational Semiconductor
783083MBS4Ponte: PadrãoTaiwan Semiconductor
783084MBS4991Tiristores Bidirectional De Switches(Diode Do Silicone)Motorola
783085MBS4991-DTiristores Bidirectional Do Diodo Dos Interruptores Do SiliconeON Semiconductor
783086MBS4992Tiristores Bidirectional De Switches(Diode Do Silicone)Motorola
783087MBS4993Tiristores Bidirectional De Switches(Diode Do Silicone)Motorola
783088MBS6Ponte: PadrãoTaiwan Semiconductor
783089MBS8Ponte: PadrãoTaiwan Semiconductor
783090MBT2222TRANSISTOR EPITAXIAL PLANAR DOS TRANSISTOR N-P-N DO SILICONEetc
783091MBT2222ATRANSISTOR EPITAXIAL PLANAR DOS TRANSISTOR N-P-N DO SILICONEetc
783092MBT2222ADW1T1Transistor Da Finalidade GeralON Semiconductor
783093MBT2222ADW1T1-DSilicone Do Transistor NPN Da Finalidade GeralON Semiconductor
783094MBT35200Transistor de superfície atual elevado do switching do silicone damontagem PNP para a gerência da carga em aplicações portáteisON Semiconductor
783095MBT35200Transistor de superfície atual elevado do switching do silicone damontagem PNP para a gerência da carga em aplicações portáteisON Semiconductor
783096MBT35200MT1Transistor de superfície atual elevado do switching do silicone damontagem PNP para a gerência da carga em aplicações portáteisON Semiconductor
783097MBT35200MT1Transistor de superfície atual elevado do switching do silicone damontagem PNP para a gerência da carga em aplicações portáteisON Semiconductor
783098MBT35200MT1-DTransistor de superfície atual elevado do switching do silicone damontagem PNP para a gerência da carga em aplicações portáteisON Semiconductor



783099MBT3904DW1Transistor Duplos Da Finalidade GeralON Semiconductor
783100MBT3904DW1T1Transistor Duplos Da Finalidade GeralLeshan Radio Company
783101MBT3904DW1T1Transistor Duplos Da Finalidade GeralON Semiconductor
783102MBT3904DW1T1-DTransistor Duplo Da Finalidade GeralON Semiconductor
783103MBT3904DW1T1GTransistor Duplos Da Finalidade GeralON Semiconductor
783104MBT3904DW1T3Transistor Duplos Da Finalidade GeralON Semiconductor
783105MBT3904DW2T1Transistor Duplos Da Finalidade GeralON Semiconductor
783106MBT3904DW2T1GTransistor Duplos Da Finalidade GeralON Semiconductor
783107MBT3906DWSilicone Duplo Do Transistor PNP+PNP Da Finalidade Geraletc
783108MBT3906DW1Transistor Duplos Da Finalidade GeralON Semiconductor
783109MBT3906DW1T1Transistor Duplos Da Finalidade GeralLeshan Radio Company
783110MBT3906DW1T1Transistor Duplos Da Finalidade GeralON Semiconductor
783111MBT3906DW1T1-DTransistor Duplo Da Finalidade GeralON Semiconductor
783112MBT3946DWTransistor Duplo Da Finalidade Geraletc
783113MBT3946DW1T1Transistor Duplos Da Finalidade GeralLeshan Radio Company
783114MBT3946DW1T1Complementar Transistor General PurposeON Semiconductor
783115MBT3946DW1T1-DTransistor Duplo Da Finalidade GeralON Semiconductor
783116MBT3946DW1T1GTransistor Duplo Da Finalidade GeralON Semiconductor
783117MBT3946DW1T2Transistor Duplo Da Finalidade GeralON Semiconductor
783118MBT3946DW1T2GTransistor Duplo Da Finalidade GeralON Semiconductor
783119MBT5401TRANSISTOR DO SILICONE P-N-P HIGH-VOLTAGEetc
783120MBT6429DW1T1Transistor Do AmplificadorON Semiconductor
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