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Nr.Nome da parteDescriçãoFabricante
651SMLJ130A130.00V; 1mA; 3000W de potência de pico de pulso; montagem de superfície transiente supressor de transientes de tensão. Para aplicações bipolaresMDE Semiconductor
652SMLJ150150.00V; 1mA; 3000W de potência de pico de pulso; montagem de superfície transiente supressor de transientes de tensão. Para aplicações bipolaresMDE Semiconductor
653SMLJ150A150.00V; 1mA; 3000W de potência de pico de pulso; montagem de superfície transiente supressor de transientes de tensão. Para aplicações bipolaresMDE Semiconductor
654SMLJ160160.00V; 1mA; 3000W de potência de pico de pulso; montagem de superfície transiente supressor de transientes de tensão. Para aplicações bipolaresMDE Semiconductor
655SMLJ160A160.00V; 1mA; 3000W de potência de pico de pulso; montagem de superfície transiente supressor de transientes de tensão. Para aplicações bipolaresMDE Semiconductor
656SMLJ170170.00V; 1mA; 3000W de potência de pico de pulso; montagem de superfície transiente supressor de transientes de tensão. Para aplicações bipolaresMDE Semiconductor
657SMLJ170A170.00V; 1mA; 3000W de potência de pico de pulso; montagem de superfície transiente supressor de transientes de tensão. Para aplicações bipolaresMDE Semiconductor

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