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Nr.	Nome da parte	Descrição	Fabricante
1	128MX72 SDRAM (INTEL 1.2 VER BASE)	128Mx72 SDRAM DIMM com PLL & registo baseado em 128Mx4 empilhado, 4Banks 8K Ref., 3.3V SDRAMs com presença de série Detec do SPD	Samsung Electronic
2	128MX72 SDRAM (INTEL 1.2 VER BASE)	128Mx72 SDRAM DIMM com PLL & registo baseado em 128Mx4 empilhado, 4Banks 8K Ref., 3.3V SDRAMs com a folha de dados do SPD	Samsung Electronic
3	128MX72 SDRAM (INTEL 1.2 VER BASE)	128Mx72 SDRAM DIMM com PLL & registo baseado em 128Mx4 empilhado, 4Banks 8K Ref., 3.3V SDRAMs com a folha de dados do SPD	Samsung Electronic
4	16L102DA4	MÓDULO DE EXPOSIÇÃO FLUORESCENTE DO VÁCUO	Samsung Electronic
5	16T202DA1J	MÓDULO DE EXPOSIÇÃO FLUORESCENTE DO VÁCUO	Samsung Electronic
6	20S207DA4	MÓDULO DE EXPOSIÇÃO FLUORESCENTE DO VÁCUO	Samsung Electronic
7	256MBDDRSDRAM	DDRSDRAMSpecificationVersion0.3	Samsung Electronic
8	2N3903	transistor epitaxial do silicone do npn	Samsung Electronic
9	2N3905	TRANSISTOR EPITAXIAL DO SILICONE DE PNP	Samsung Electronic
10	2N4123	TRANSISTOR EPITAXIAL DO SILICONE DE NPN	Samsung Electronic
11	2N4124	TRANSISTOR EPITAXIAL DO SILICONE DE NPN	Samsung Electronic
12	2N4125	TRANSISTOR EPITAXIAL DO SILICONE DE PNP	Samsung Electronic
13	2N4126	TRANSISTOR EPITAXIAL DO SILICONE DE PNP	Samsung Electronic
14	2N5086	TRANSISTOR EPITAXIAL DO SILICONE DE PNP	Samsung Electronic
15	2N5089	TRANSISTOR EPITAXIAL DO SILICONE DE NPN	Samsung Electronic
16	2N5210	TRANSISTOR EPITAXIAL DO SILICONE DE NPN	Samsung Electronic
17	2N5400	TRANSISTOR EPITAXIAL DO SILICONE DE PNP	Samsung Electronic
18	2N5401	TRANSISTOR EPITAXIAL DO SILICONE DE PNP	Samsung Electronic
19	2N5550	TRANSISTOR EPITAXIAL DO SILICONE DE NPN	Samsung Electronic
20	2N6427	TRANSISTOR EPITAXIAL DO SILICONE DARLINGTON DE NPN	Samsung Electronic
21	2N6428	TRANSISTOR EPITAXIAL DO SILICONE DE NPN	Samsung Electronic
22	2N6428A	TRANSISTOR EPITAXIAL DO SILICONE DE NPN	Samsung Electronic
23	2N6516	TRANSISTOR EPITAXIAL DO SILICONE DE NPN	Samsung Electronic
24	2N6517	TRANSISTOR EPITAXIAL DO SILICONE DE NPN	Samsung Electronic
25	2N6518	TRANSISTOR EPITAXIAL DO SILICONE DE PNP	Samsung Electronic
26	2N6519	TRANSISTOR EPITAXIAL DO SILICONE DE PNP	Samsung Electronic
27	2N6520	TRANSISTOR EPITAXIAL DO SILICONE DE PNP	Samsung Electronic
28	62256	RAM baixa da estática do CMOS do poder do bocado 32Kx8	Samsung Electronic
29	B772	PNP (SWITCHING BAIXO DA VELOCIDADE DO AMPLIFICADOR DE PODER DA FREQÜÊNCIA AUDIO)	Samsung Electronic
30	BCW30	TRANSISTOR EPITAXIAL DO SILICONE DE PNP	Samsung Electronic
31	BCW32	TRANSISTOR EPITAXIAL DO SILICONE DE NPN	Samsung Electronic
32	BCW33	TRANSISTOR EPITAXIAL DO SILICONE DE NPN	Samsung Electronic
33	BCW60A	TRANSISTOR EPITAXIAL DO SILICONE DE NPN	Samsung Electronic
34	BCW60B	TRANSISTOR EPITAXIAL DO SILICONE DE NPN	Samsung Electronic
35	BCW60C	TRANSISTOR EPITAXIAL DO SILICONE DE NPN	Samsung Electronic
36	BCW60D	TRANSISTOR EPITAXIAL DO SILICONE DE NPN	Samsung Electronic
37	BCW61A	TRANSISTOR EPITAXIAL DO SILICONE DE PNP	Samsung Electronic
38	BCW61B	TRANSISTOR EPITAXIAL DO SILICONE DE PNP	Samsung Electronic
39	BCW61C	TRANSISTOR EPITAXIAL DO SILICONE DE PNP	Samsung Electronic
40	BCW61D	TRANSISTOR EPITAXIAL DO SILICONE DE PNP	Samsung Electronic
41	BCW69	TRANSISTOR EPITAXIAL DO SILICONE DE PNP	Samsung Electronic
42	BCW70	TRANSISTOR EPITAXIAL DO SILICONE DE PNP	Samsung Electronic
43	BCW71	TRANSISTOR EPITAXIAL DO SILICONE DE NPN	Samsung Electronic
44	BCW72	TRANSISTOR EPITAXIAL DO SILICONE DE NPN	Samsung Electronic
45	BCX70G	TRANSISTOR EPITAXIAL DO SILICONE DE NPN	Samsung Electronic
46	BCX70H	TRANSISTOR EPITAXIAL DO SILICONE DE NPN	Samsung Electronic
47	BCX70J	TRANSISTOR EPITAXIAL DO SILICONE DE NPN	Samsung Electronic
48	BCX70K	TRANSISTOR EPITAXIAL DO SILICONE DE NPN	Samsung Electronic
49	BCX71G	TRANSISTOR EPITAXIAL DO SILICONE DE PNP	Samsung Electronic
50	BCX71H	TRANSISTOR EPITAXIAL DO SILICONE DE PNP	Samsung Electronic
51	BCX71J	TRANSISTOR EPITAXIAL DO SILICONE DE PNP	Samsung Electronic
52	BCX71K	TRANSISTOR EPITAXIAL DO SILICONE DE PNP	Samsung Electronic
53	BL8531H	12 Bocado 10MSPS CAD	Samsung Electronic
54	BL8531H-ADC	12 Bocado 10MSPS CAD	Samsung Electronic
55	BU406	400 V, 7 A, transistor NPN de silício epitaxial	Samsung Electronic
56	BU406H	400 V, 7 A, transistor NPN de silício epitaxial	Samsung Electronic
57	BU407	TRANSISTOR EPITAXIAL DO SILICONE DE NPN	Samsung Electronic
58	BU407H	330 V, 7 A, transistor NPN de silício epitaxial	Samsung Electronic

59	BU408	400 V, 7 A, transistor NPN de silício epitaxial	Samsung Electronic
60	BU806	400 V, 8 A, silício epitaxial transistor NPN Darlington	Samsung Electronic
61	BU807	400 V, 8 A, silício epitaxial transistor NPN Darlington	Samsung Electronic
62	C9658	MICROCONTROLADOR	Samsung Electronic
63	CL10B224	Capacitor Cerâmico Multilayer	Samsung Electronic
64	CL21C220	Capacitor Cerâmico Multilayer	Samsung Electronic
65	CM-1429	Diagrama De Circuito do PWB	Samsung Electronic
66	CM-1829	Diagrama De Circuito do PWB	Samsung Electronic
67	CM1419	8-2 Diagrama De Circuito do PWB	Samsung Electronic
68	CM1429	8-2 Diagrama De Circuito do PWB	Samsung Electronic
69	CM1819	8-2 Diagrama De Circuito do PWB	Samsung Electronic
70	CM1829	8-2 Diagrama De Circuito do PWB	Samsung Electronic
71	CM1829-1429	Diagrama De Circuito do PWB	Samsung Electronic
72	CMOS DRAM	Modalidade do EDO, diagrama cronometrando do dispositivo x4 e x8	Samsung Electronic
73	CMOS SDRAM	Operações Do Dispositivo do Cmos SDRAM	Samsung Electronic
74	CW5322X	SDH104	Samsung Electronic
75	DA22497	EXTREMIDADE DIANTEIRA DE FM	Samsung Electronic
76	DA22497D	EXTREMIDADE DIANTEIRA DE FM	Samsung Electronic
77	DDRSDRAM	Versão 0.61 Da Especificação de DDR SDRAM	Samsung Electronic
78	DDRSDRAM1111	Versão 1.0 Da Especificação de DDR SDRAM	Samsung Electronic
79	DIRECT RDRAM	RDRAM Direto. Operação Do Dispositivo	Samsung Electronic
80	DS_K1S161611A	memória de acesso aleatório do Uni-Transistor do bocado 1Mx16	Samsung Electronic
81	DS_K1S16161CA	memória de acesso aleatório do Uni-Transistor da modalidade da página do bocado 1Mx16	Samsung Electronic
82	DS_K4D263238D	o 1M x 32Bit x 4 bancos dobra o DRAM synchronous da taxa de dados com o estroboscópio dos dados e o DLL bidirecionais	Samsung Electronic
83	DS_K4S161622D	1M x 16 SDRAM	Samsung Electronic
84	DS_K4S161622E	1M x 16 SDRAM	Samsung Electronic
85	DS_K6F1016U4C	RAM cheia da estática do CMOS do poder baixo super do bocado de 64Kx16 e da baixa tensão	Samsung Electronic
86	DS_K6F2008U2E	RAM cheia da estática do CMOS do poder baixo super do bocado 256Kx8 e da baixa tensão	Samsung Electronic
87	DS_K6F2016U4E	RAM cheia da estática do CMOS do poder baixo super do bocado de 128K x16 e da baixa tensão	Samsung Electronic
88	DS_K6F3216T6M	RAM cheia da estática do CMOS do poder baixo super do bocado x16 de 2M e da baixa tensão	Samsung Electronic
89	DS_K6F4016U6G	RAM cheia da estática do CMOS do poder baixo super do bocado 256Kx16 e da baixa tensão	Samsung Electronic
90	DS_K6F8016U6B	RAM cheia da estática do CMOS do poder baixo super do bocado de 512K x16 e da baixa tensão	Samsung Electronic
91	DS_K6F8016U6C	RAM cheia da estática do CMOS do poder baixo super do bocado de 512K x16 e da baixa tensão	Samsung Electronic
92	DS_K6X8008C2B	RAM da estática do CMOS do poder baixo do bocado 1Mx8 e da baixa tensão	Samsung Electronic
93	DS_K6X8008TBN	CMOS SRAM	Samsung Electronic
94	DS_K6X8016C3B	64Kx36 & 64Kx32-Bit Estouro Pipelined Synchronous SRAM	Samsung Electronic
95	DS_K7A803600B	256Kx36	Samsung Electronic
96	DS_K7B803625B	256Kx36 & 512Kx18-Bit Estouro Synchronous SRAM	Samsung Electronic
97	DS_K7M323625M	1Mx36 & 2Mx18 Flu-Através De NtRAM	Samsung Electronic
98	DS_K7M803625B	256Kx36 & 512Kx18-Bit Correm através De NtRAM	Samsung Electronic
99	DS_K7N163601A	512Kx36 & 1Mx18 Pipelined NtRAM	Samsung Electronic
100	DS_K7N323601M	1Mx36 & 2Mx18-Bit Pipelined NtRAM	Samsung Electronic

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