| Nr. | Nome da parte | Descrição | Fabricante |
| 101 | 2N2907 | AMPLIFICADORES E INTERRUPTORES DA FINALIDADE GERAL | SGS Thomson Microelectronics |
| 102 | 2N2907 | AMPLIFICADORES E INTERRUPTORES DA FINALIDADE GERAL | SGS Thomson Microelectronics |
| 103 | 2N2907A | AMPLIFICADORES E INTERRUPTORES DA FINALIDADE GERAL | SGS Thomson Microelectronics |
| 104 | 2N2907A | AMPLIFICADORES E INTERRUPTORES DA FINALIDADE GERAL | SGS Thomson Microelectronics |
| 105 | 2N3019 | AMPLIFICADORES ALTAMENTE ATUAIS, DE ALTA FREQÜÊNCIA | SGS Thomson Microelectronics |
| 106 | 2N3055 | TRANSISTOR DE PODER COMPLEMENTARES DO SILICONE | SGS Thomson Microelectronics |
| 107 | 2N3055 | TRANSISTOR DE PODER COMPLEMENTARES DO SILICONE | SGS Thomson Microelectronics |
| 108 | 2N3209 | INTERRUPTORES SATURATED DE ALTA VELOCIDADE | SGS Thomson Microelectronics |
| 109 | 2N3439 | TRANSISTOR DO SILICONE NPN | SGS Thomson Microelectronics |
| 110 | 2N3439 | TRANSISTOR DO SILICONE NPN | SGS Thomson Microelectronics |
| 111 | 2N3440 | TRANSISTOR DO SILICONE NPN | SGS Thomson Microelectronics |
| 112 | 2N3440 | TRANSISTOR DO SILICONE NPN | SGS Thomson Microelectronics |
| 113 | 2N3600 | Osciladores e amplificadores de alta-freqüência | SGS Thomson Microelectronics |
| 114 | 2N3700 | AMPLIFICADORES DA FINALIDADE GERAL | SGS Thomson Microelectronics |
| 115 | 2N3725 | ALTA TENSÃO, INTERRUPTOR ATUAL ELEVADO | SGS Thomson Microelectronics |
| 116 | 2N3771 | TRANSISTOR DO SILICONE DO PODER ELEVADO NPN | SGS Thomson Microelectronics |
| 117 | 2N3771 | TRANSISTOR DO SILICONE DO PODER ELEVADO NPN | SGS Thomson Microelectronics |
| 118 | 2N3772 | TRANSISTOR DO SILICONE DO PODER ELEVADO NPN | SGS Thomson Microelectronics |
| 119 | 2N3772 | TRANSISTOR DO SILICONE DO PODER ELEVADO NPN | SGS Thomson Microelectronics |
| 120 | 2N3904 | TRANSISTOR PEQUENO DO SINAL NPN | SGS Thomson Microelectronics |
| 121 | 2N3904-AP | PEQUENO SINAL transistor NPN | SGS Thomson Microelectronics |
| 122 | 2N3906 | TRANSISTOR PEQUENO DO SINAL PNP | SGS Thomson Microelectronics |
| 123 | 2N3906-AP | PEQUENO SINAL PNP TRANSISTOR | SGS Thomson Microelectronics |
| 124 | 2N4014 | HIGH-VOLTAGE, INTERRUPTOR ATUAL ELEVADO | SGS Thomson Microelectronics |
| 125 | 2N4033 | AMPLIFICADOR E INTERRUPTOR DA FINALIDADE GERAL | SGS Thomson Microelectronics |
| 126 | 2N4036 | INTERRUPTOR DE MEDIUM-SPEED | SGS Thomson Microelectronics |
| 127 | 2N4427 | ft min 500MHz hfe min 10 Transistor polaridade NPN Ic atual max contínua 0.5 A tensão de 40 V VCBO VCEO Tensão 20 V Ic atual (HFE) 100mA Fonte Ptot 3,5 W | SGS Thomson Microelectronics |
| 128 | 2N5038 | TRANSISTOR ELEVADO DO SILICONE DA CORRENTE NPN | SGS Thomson Microelectronics |
| 129 | 2N5038 | TRANSISTOR ELEVADO DO SILICONE DA CORRENTE NPN | SGS Thomson Microelectronics |
| 130 | 2N5179 | TRANSISTOR | SGS Thomson Microelectronics |
| 131 | 2N5191 | TRANSISTOR MÉDIOS DO SILICONE DO PODER NPN | SGS Thomson Microelectronics |
| 132 | 2N5192 | TRANSISTOR MÉDIOS DO SILICONE DO PODER NPN | SGS Thomson Microelectronics |
| 133 | 2N5195 | TRANSISTOR MÉDIO DO SILICONE DO PODER PNP | SGS Thomson Microelectronics |
| 134 | 2N5320 | TRANSISTOR PEQUENOS DO SINAL NPN | SGS Thomson Microelectronics |
| 135 | 2N5321 | TRANSISTOR PEQUENOS DO SINAL NPN | SGS Thomson Microelectronics |
| 136 | 2N5322 | TRANSISTOR PEQUENOS DO SINAL PNP | SGS Thomson Microelectronics |
| 137 | 2N5323 | TRANSISTORS PEQUENO SINAL PNP | SGS Thomson Microelectronics |
| 138 | 2N5415 | TRANSISTOR DO SILICONE PNP | SGS Thomson Microelectronics |
| 139 | 2N5415S | AMPLIFICADOR DE HIGH-VOLTAGE | SGS Thomson Microelectronics |
| 140 | 2N5416 | TRANSISTOR DO SILICONE PNP | SGS Thomson Microelectronics |
| 141 | 2N5641 | V (CBO): 65V; V (CEO): 35V; V (EBO): 4V; 15W; VHF poder transistor | SGS Thomson Microelectronics |
| 142 | 2N5642 | V (CBO): 65V; V (CEO): 35V; V (EBO): 4V; 30W; VHF poder transistor | SGS Thomson Microelectronics |
| 143 | 2N5643 | V (CBO): 65V; V (CEO): 35V; V (EBO): 4V; 60W; VHF poder transistor | SGS Thomson Microelectronics |
| 144 | 2N5657 | TRANSISTOR DO SILICONE NPN | SGS Thomson Microelectronics |
| 145 | 2N5657 | TRANSISTOR DO SILICONE NPN | SGS Thomson Microelectronics |
| 146 | 2N5681 | TRANSISTOR DO SILICONE NPN | SGS Thomson Microelectronics |
| 147 | 2N5681 | TRANSISTOR DO SILICONE NPN | SGS Thomson Microelectronics |
| 148 | 2N5682 | TRANSISTOR DO SILICONE NPN | SGS Thomson Microelectronics |
| 149 | 2N5682 | TRANSISTOR DO SILICONE NPN | SGS Thomson Microelectronics |
| 150 | 2N5884 | hfe min 20 Transistor polaridade PNP Ic corrente contínua max 25 A tensão VCEO 80 V Ic atual (HFE) 10 A Potência Ptot 200 W de potência de temperatura de 25? C Transistores de número 1 | SGS Thomson Microelectronics |
| 151 | 2N5886 | TRANSISTOR DE PODER ATUAL ELEVADO DO SILICONE NPN | SGS Thomson Microelectronics |
| 152 | 2N6034 | PNP Darlington potência média transistor, 4A, 40V | SGS Thomson Microelectronics |
| 153 | 2N6035 | PNP Darlington potência média transistor, 4A, 60V | SGS Thomson Microelectronics |
| 154 | 2N6036 | TRANSISTOR COMPLEMENTARES DO PODER DARLINGTON DO SILICONE | SGS Thomson Microelectronics |
| 155 | 2N6036 | TRANSISTOR COMPLEMENTARES DO PODER DARLINGTON DO SILICONE | SGS Thomson Microelectronics |
| 156 | 2N6037 | NPN Darlington potência média transistor, 4A, 40V | SGS Thomson Microelectronics |
| 157 | 2N6038 | NPN Darlington potência média transistor, 4A, 60V | SGS Thomson Microelectronics |
| 158 | 2N6039 | TRANSISTOR COMPLEMENTARES DO PODER DARLINGTON DO SILICONE | SGS Thomson Microelectronics |
| 159 | 2N6039 | TRANSISTOR COMPLEMENTARES DO PODER DARLINGTON DO SILICONE | SGS Thomson Microelectronics |
| 160 | 2N6059 | TRANSISTOR DO PODER DARLINGTON DO SILICONE NPN | SGS Thomson Microelectronics |
| 161 | 2N6080 | V (CBO): 36V; V (CEO): 18V; V (EBO): 4V; Transistor comunicações VHF | SGS Thomson Microelectronics |
| 162 | 2N6081 | V (CBO): 36V; V (CEO): 18V; V (EBO): 4V; Transistor comunicações VHF | SGS Thomson Microelectronics |
| 163 | 2N6082 | V (CBO): 36V; V (CEO): 18V; V (EBO): 4V; Transistor comunicações VHF | SGS Thomson Microelectronics |
| 164 | 2N6083 | V (CBO): 36V; V (CEO): 18V; V (EBO): 4V; Transistor comunicações VHF | SGS Thomson Microelectronics |
| 165 | 2N6084 | V (CBO): 36V; V (CEO): 18V; V (EBO): 4V; Transistor comunicações VHF | SGS Thomson Microelectronics |
| 166 | 2N6107 | TRANSISTOR DO SWITCHING DO SILICONE PNP | SGS Thomson Microelectronics |
| 167 | 2N6107 | TRANSISTOR DO SWITCHING DO SILICONE PNP | SGS Thomson Microelectronics |
| 168 | 2N6111 | TRANSISTOR DO SWITCHING DO SILICONE PNP | SGS Thomson Microelectronics |
| 169 | 2N6111 | TRANSISTOR DO SWITCHING DO SILICONE PNP | SGS Thomson Microelectronics |
| 170 | 2N6284 | TRANSISTOR COMPLEMENTARES DO PODER DARLINGTON DO SILICONE | SGS Thomson Microelectronics |
| 171 | 2N6284 | TRANSISTOR COMPLEMENTARES DO PODER DARLINGTON DO SILICONE | SGS Thomson Microelectronics |
| 172 | 2N6287 | TRANSISTOR COMPLEMENTARES DO PODER DARLINGTON DO SILICONE | SGS Thomson Microelectronics |
| 173 | 2N6287 | TRANSISTOR COMPLEMENTARES DO PODER DARLINGTON DO SILICONE | SGS Thomson Microelectronics |
| 174 | 2N6388 | TRANSISTOR DO PODER DARLINGTON DO SILICONE NPN | SGS Thomson Microelectronics |
| 175 | 2N6388 | TRANSISTOR DO PODER DARLINGTON DO SILICONE NPN | SGS Thomson Microelectronics |
| 176 | 2N6487 | TRANSISTOR DE PODER COMPLEMENTARES DO SILICONE | SGS Thomson Microelectronics |
| 177 | 2N6487 | TRANSISTOR DE PODER COMPLEMENTARES DO SILICONE | SGS Thomson Microelectronics |
| 178 | 2N6488 | TRANSISTOR DE PODER COMPLEMENTARES DO SILICONE | SGS Thomson Microelectronics |
| 179 | 2N6488 | TRANSISTOR DE PODER COMPLEMENTARES DO SILICONE | SGS Thomson Microelectronics |
| 180 | 2N6490 | TRANSISTOR DE PODER COMPLEMENTARES DO SILICONE | SGS Thomson Microelectronics |
| 181 | 2N6490 | TRANSISTOR DE PODER COMPLEMENTARES DO SILICONE | SGS Thomson Microelectronics |
| 182 | 2N6546 | MESA MULTIEPITAXIAL NPN | SGS Thomson Microelectronics |
| 183 | 2N6547 | TRANSISTOR DO SILICONE DO PODER ELEVADO NPN | SGS Thomson Microelectronics |
| 184 | 2N6668 | TRANSISTOR DO PODER DARLINGTON DO SILICONE PNP | SGS Thomson Microelectronics |
| 185 | 2N6668 | TRANSISTOR DO PODER DARLINGTON DO SILICONE PNP | SGS Thomson Microelectronics |
| 186 | 2N720A | FINALIDADE GERAL DE ALTA TENSÃO | SGS Thomson Microelectronics |
| 187 | 2N918 | hfe min 20 pés typ 600 MHz Transistor polaridade NPN Ic corrente contínua max 0,05 A Tensão Vcbo 30 V de tensão VCEO 15 V Ic atual (HFE) 3 mA de energia Ptot 0,2 W | SGS Thomson Microelectronics |
| 188 | 2N930 | TRANSISTOR | SGS Thomson Microelectronics |
| 189 | 2SD1398 | Aplicações 850-960 MHz RF & Microwave Transistor, 24 volts, 53W | SGS Thomson Microelectronics |
| 190 | 2SD1414 | RF e microondas TRANSISTORS 800-900 MHz APLICAÇÕES | SGS Thomson Microelectronics |
| 191 | 4027 | DUAL JK mestre-escravo FLIP-FLOP | SGS Thomson Microelectronics |
| 192 | 405 | Transistor NPN Silicon RF | SGS Thomson Microelectronics |
| 193 | 4066 | QUAD CHAVE BILATERAL DE TRANSMISSÃO OU multiplexagem de sinais digitais ou analógicos | SGS Thomson Microelectronics |
| 194 | 420 | Transistor NPN Silicon RF | SGS Thomson Microelectronics |
| 195 | 486DX-CORE | NÚCLEO INTEIRAMENTE DE ESTÁTICA DE 3.3V 486 ASIC | SGS Thomson Microelectronics |
| 196 | 7001 | 900 MHz TRÊS Nível de ganho LNA | SGS Thomson Microelectronics |
| 197 | 7002 | 1.8GHz TRÊS Nível de ganho LNA | SGS Thomson Microelectronics |
| 198 | 7003 | Tri-band GSM / DCS / PCS LNA | SGS Thomson Microelectronics |
| 199 | 7314 | Digital controlado PROCESSADOR AUDIO COM LOUDNESS | SGS Thomson Microelectronics |
| 200 | 7343 | PROCESSADOR DE AUDIO controlado digitalmente | SGS Thomson Microelectronics |
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