Nr. | Nome da parte | Descrição | Fabricante |
1101 | BD980 | TRANSISTOR DO SILICONE DARLINGTON DE PNP | Siemens |
1102 | BDP947 | Transistor de poder do AF do silicone de NPN (para excitadores do AF e o ganho atual elevado elevado de corrente de coletor dos estágios da saída) | Siemens |
1103 | BDP948 | Transistor de poder do AF do silicone de PNP (para excitadores do AF e o ganho atual elevado elevado de corrente de coletor dos estágios da saída) | Siemens |
1104 | BDP949 | Transistor de poder do AF do silicone de NPN (para excitadores do AF e o ganho atual elevado elevado de corrente de coletor dos estágios da saída) | Siemens |
1105 | BDP950 | Transistor de poder do AF do silicone de PNP (para excitadores do AF e o ganho atual elevado elevado de corrente de coletor dos estágios da saída) | Siemens |
1106 | BDP951 | Transistor de poder do AF do silicone de NPN (para excitadores do AF e o ganho atual elevado elevado de corrente de coletor dos estágios da saída) | Siemens |
1107 | BDP952 | Transistor de poder do AF do silicone de PNP (para excitadores do AF e o ganho atual elevado elevado de corrente de coletor dos estágios da saída) | Siemens |
1108 | BDP953 | Transistor de poder do AF do silicone de NPN (para excitadores do AF e o ganho atual elevado elevado de corrente de coletor dos estágios da saída) | Siemens |
1109 | BDP954 | Transistor de poder do AF do silicone de PNP (para excitadores do AF e o ganho atual elevado elevado de corrente de coletor dos estágios da saída) | Siemens |
1110 | BDP955 | Transistor de poder do AF do silicone de NPN (para excitadores do AF e o ganho atual elevado elevado de corrente de coletor dos estágios da saída) | Siemens |
1111 | BDP956 | Transistor de poder do AF do silicone de PNP (para excitadores do AF e o ganho atual elevado elevado de corrente de coletor dos estágios da saída) | Siemens |
1112 | BDW25 | Silicone Trnasistors Planar de NPN | Siemens |
1113 | BDW25-10 | Silicone Trnasistors Planar de NPN | Siemens |
1114 | BDW25-4 | Silicone Trnasistors Planar de NPN | Siemens |
1115 | BDW25-6 | Silicone Trnasistors Planar de NPN | Siemens |
1116 | BDX27 | TRANSISTOR PLANAR DO SILICONE DE PNP | Siemens |
1117 | BDX27-10 | TRANSISTOR PLANAR DO SILICONE DE PNP | Siemens |
1118 | BDX27-16 | TRANSISTOR PLANAR DO SILICONE DE PNP | Siemens |
1119 | BDX27-6 | TRANSISTOR PLANAR DO SILICONE DE PNP | Siemens |
1120 | BDX28 | TRANSISTOR PLANAR DO SILICONE DE PNP | Siemens |
1121 | BDX28-10 | TRANSISTOR PLANAR DO SILICONE DE PNP | Siemens |
1122 | BDX28-16 | TRANSISTOR PLANAR DO SILICONE DE PNP | Siemens |
1123 | BDX28-6 | TRANSISTOR PLANAR DO SILICONE DE PNP | Siemens |
1124 | BDX29 | TRANSISTOR PLANAR DO SILICONE DE PNP | Siemens |
1125 | BDX29-10 | TRANSISTOR PLANAR DO SILICONE DE PNP | Siemens |
1126 | BDX29-6 | TRANSISTOR PLANAR DO SILICONE DE PNP | Siemens |
1127 | BDX30 | TRANSISTOR PLANAR DO SILICONE DE PNP | Siemens |
1128 | BDX30-10 | TRANSISTOR PLANAR DO SILICONE DE PNP | Siemens |
1129 | BDX30-6 | TRANSISTOR PLANAR DO SILICONE DE PNP | Siemens |
1130 | BDY12 | Silicone Trnasistors Planar de NPN | Siemens |
1131 | BDY12-10 | Silicone Trnasistors Planar de NPN | Siemens |
1132 | BDY12-16 | Silicone Trnasistors Planar de NPN | Siemens |
1133 | BDY12-6 | Silicone Trnasistors Planar de NPN | Siemens |
1134 | BDY13 | Silicone Trnasistors Planar de NPN | Siemens |
1135 | BDY13-10 | Silicone Trnasistors Planar de NPN | Siemens |
1136 | BDY13-16 | Silicone Trnasistors Planar de NPN | Siemens |
1137 | BDY13-6 | Silicone Trnasistors Planar de NPN | Siemens |
1138 | BF1005 | Tetrode do MOSFET da N-Canaleta do silicone (para o ruído baixo, a entrada controlada do ganho elevado encena até a rede diagonal estabilizada integrada 5V se operando da tensão do 1GHz) | Siemens |
1139 | BF1005S | Tetrode do MOSFET da N-Canaleta do silicone (para o ruído baixo, a entrada controlada do ganho elevado encena até a rede diagonal estabilizada integrada 5V se operando da tensão do 1GHz) | Siemens |
1140 | BF1009 | Tetrode do MOSFET da N-Canaleta do silicone (para o ruído baixo, o ganho elevado controlou estágios da entrada até a rede diagonal estabilizada integrada V se operando da tensão 9 do 1GHz | Siemens |
1141 | BF1009S | Tetrode do MOSFET da N-Canaleta do silicone (para o ruído baixo, a entrada controlada do ganho elevado encena até a rede diagonal integrada 9V se operando da tensão do 1GHz) | Siemens |
1142 | BF1012 | Tetrode do MOSFET da N-Canaleta do silicone (para o ruído baixo, o ganho elevado controlou estágios da entrada até a rede diagonal estabilizada integrada 12V se operando da tensão do 1GHz | Siemens |
1143 | BF1012S | Tetrode do MOSFET da N-Canaleta do silicone (para o ruído baixo, a entrada controlada do ganho elevado encena até a rede diagonal estabilizada integrada 5V se operando da tensão do 1GHz) | Siemens |
1144 | BF1012W | TETRODE do MOSFET do SILICONE N-CHANNEL (para a entrada low-noise, ganh-controlada encena até 1 gigahertz) | Siemens |
1145 | BF198 | Transistor do Rf Do Silicone de NPN | Siemens |
1146 | BF2000 | Tetrode do Mosfet Da Canaleta Do Silicone N | Siemens |
1147 | BF2000W | Tetrode do MOSFET da canaleta do silicone N (o transistor da Curto-canaleta com fator de qualidade elevado de S/C para a entrada low-noise, ganh-controlada encena até 1 gigahertz) | Siemens |
1148 | BF2030 | Tetrode do MOSFET da N-Canaleta do silicone (para o ruído baixo, a entrada controlada do ganho elevado encena até a tensão se operando 5V do 1GHz) | Siemens |
1149 | BF2030W | Tetrode do MOSFET da N-Canaleta do silicone (para o ruído baixo, a entrada controlada do ganho elevado encena até a tensão se operando 5V do 1GHz) | Siemens |
1150 | BF2040 | Tetrode do MOSFET da N-Canaleta do silicone (para o ruído baixo, a entrada controlada do ganho elevado encena até a tensão se operando 5V do 1GHz) | Siemens |
1151 | BF2040W | Tetrode do MOSFET da N-Canaleta do silicone (para o ruído baixo, a entrada controlada do ganho elevado encena até a tensão se operando 5V do 1GHz) | Siemens |
1152 | BF245 | Transistor do campo-Efeito da junção da N-Canaleta | Siemens |
1153 | BF245A | Transistor do campo-Efeito da junção da N-Canaleta | Siemens |
1154 | BF245B | Transistor do campo-Efeito da junção da N-Canaleta | Siemens |
1155 | BF245C | Transistor do campo-Efeito da junção da N-Canaleta | Siemens |
1156 | BF246 | TRANSISTOR DA JUNÇÃO FIELD-EFFECT DE N-CHANNEL | Siemens |
1157 | BF246A | TRANSISTOR DA JUNÇÃO FIELD-EFFECT DE N-CHANNEL | Siemens |
1158 | BF246B | TRANSISTOR DA JUNÇÃO FIELD-EFFECT DE N-CHANNEL | Siemens |
1159 | BF246C | TRANSISTOR DA JUNÇÃO FIELD-EFFECT DE N-CHANNEL | Siemens |
1160 | BF254 | Transistor do Rf Do Silicone de NPN | Siemens |
1161 | BF324 | TRANSISTOR DO RF DO SILICONE DE PNP | Siemens |
1162 | BF362 | TRANSISTOR DO RF DO SILICONE DE NPN | Siemens |
1163 | BF363 | TRANSISTOR DO RF DO SILICONE DE NPN | Siemens |
1164 | BF410 | TRANSISTOR DA JUNÇÃO FIELD-EFFECT DE LOW-NOISE N-CHANNEL PARA APLICAÇÕES DO RF | Siemens |
1165 | BF410A | TRANSISTOR DA JUNÇÃO FIELD-EFFECT DE LOW-NOISE N-CHANNEL PARA APLICAÇÕES DO RF | Siemens |
1166 | BF410B | TRANSISTOR DA JUNÇÃO FIELD-EFFECT DE LOW-NOISE N-CHANNEL PARA APLICAÇÕES DO RF | Siemens |
1167 | BF410C | TRANSISTOR DA JUNÇÃO FIELD-EFFECT DE LOW-NOISE N-CHANNEL PARA APLICAÇÕES DO RF | Siemens |
1168 | BF410D | TRANSISTOR DA JUNÇÃO FIELD-EFFECT DE LOW-NOISE N-CHANNEL PARA APLICAÇÕES DO RF | Siemens |
1169 | BF414 | Transistor do RF do silicone de NPN (para estágios do VHF da base low-noise, comum e do FM) | Siemens |
1170 | BF420 | Transistor Do Silicone de NPN Com Alta Tensão Reversa (Transistor Do Silicone de NPN Com Alta Tensão Reversa) | Siemens |
1171 | BF421 | Transistor do silicone de PNP (alta tensão baixa do saturation do collector-emitter da tensão de avaria) | Siemens |
1172 | BF422 | Transistor Do Silicone de NPN Com Alta Tensão Reversa (Transistor Do Silicone de NPN Com Alta Tensão Reversa) | Siemens |
1173 | BF423 | Transistor do silicone de PNP (alta tensão baixa do saturation do collector-emitter da tensão de avaria) | Siemens |
1174 | BF457 | TRANSISTOR DO RF DO SILICONE DE NPN | Siemens |
1175 | BF458 | TRANSISTOR DO RF DO SILICONE DE NPN | Siemens |
1176 | BF459 | TRANSISTOR DO RF DO SILICONE DE NPN | Siemens |
1177 | BF469 | TRANSISTOR PLANAR DO SILICONE DE NPN | Siemens |
1178 | BF470 | TRANSISTOR PLANAR DO SILICONE DE PNP | Siemens |
1179 | BF471 | TRANSISTOR PLANAR DO SILICONE DE NPN | Siemens |
1180 | BF472 | TRANSISTOR PLANAR DO SILICONE DE PNP | Siemens |
1181 | BF502 | TRANSISTOR DO RF DO SILICONE DE NPN | Siemens |
1182 | BF503 | TRANSISTOR DO RF DO SILICONE DE NPN | Siemens |
1183 | BF505 | TRANSISTOR DO RF DO SILICONE DE NPN | Siemens |
1184 | BF506 | Transistor do RF do silicone de PNP (para estágios do misturador e do oscilador do VHF) | Siemens |
1185 | BF507 | TRANSISTOR DO RF DO SILICONE DE NPN | Siemens |
1186 | BF517 | Transistor do RF do silicone de NPN (para aplicações do amplificador e do oscilador nos Tevê-tV-tuners) | Siemens |
1187 | BF543 | Triode do FET do MOS da canaleta do silicone N (para o RF encena até 300 megahertz preferivelmente em aplicações de FM) | Siemens |
1188 | BF550 | Transistor do RF do silicone de PNP (para estágios comuns do amplificador do emissor até 300 megahertz para aplicações do misturador em rádios de AM/FM e em tuners da tevê do VHF) | Siemens |
1189 | BF554 | Transistor do RF do silicone de NPN (para aplicações small-signal gerais do RF até 300 megahertz em circuitos do amplificador, do misturador e do oscilador) | Siemens |
1190 | BF562 | transistor do rf do silicone do npn | Siemens |
1191 | BF568 | TRANSISTOR PLANAR DO SILICONE DE PNP | Siemens |
1192 | BF569 | Transistor do RF do silicone de PNP (para OSCILADORES, MISTURADORES E ESTÁGIOS do MISTURADOR de SELF-OSCILLATING NOS TUNERS de frequência ultraelevada da tevê) | Siemens |
1193 | BF569W | Transistor do RF do silicone de PNP (para osciladores, misturador e estágios self-oscilando do misturador no Tevê-tV-tuner DE FREQUÊNCIA ULTRAELEVADA) | Siemens |
1194 | BF599 | Transistor do RF do silicone de NPN (capacidade de gabarito baixa do amplificador comum do emissor IF/RF devido à difusão do protetor) | Siemens |
1195 | BF622 | Transistor da Elevado-Tensão do silicone de NPN (apropriado para os estágios video da saída tensão baixa do saturation do collector-emitter da tensão de avaria dos jogos de tevê na alta) | Siemens |
1196 | BF623 | Transistor da Elevado-Tensão do silicone de PNP (apropriado para os estágios video da saída tensão baixa do saturation do collector-emitter da tensão de avaria dos jogos de tevê na alta) | Siemens |
1197 | BF660 | Transistor do RF do silicone de PNP (para aplicações do oscilador do VHF) | Siemens |
1198 | BF660W | Transistor do RF do silicone de PNP (para aplicações do oscilador do VHF) | Siemens |
1199 | BF720 | Transistor da Elevado-Tensão do silicone de NPN (apropriados para os estágios video da saída tensão da avaria das fontes de jogos de tevê e de alimentação do switching na alta) | Siemens |
1200 | BF721 | Transistor da Elevado-Tensão do silicone de PNP (apropriados para os estágios video da saída tensão da avaria das fontes de jogos de tevê e de alimentação do switching na alta) | Siemens |
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