| Nr. | Nome da parte | Descrição | Fabricante |
| 6101 | Q62702-F1572 | Transistor do RF do silicone de NPN (para o amplificador broadband low-noise, high-gain em correntes de coletor de 0.5 a 12 miliampères) | Siemens |
| 6102 | Q62702-F1573 | Transistor do RF do silicone de NPN (para amplificadores broadband low-noise, high-gain em correntes de coletor de 1mA a 20mA.) | Siemens |
| 6103 | Q62702-F1574 | Transistor do RF do silicone de NPN (para o amplificador broadband low-noise, high-gain na corrente do colector de 2mA a 28mA) | Siemens |
| 6104 | Q62702-F1575 | Transistor do RF do silicone de NPN (para o amplificador de poder em sistemas de DECT e de PCN) | Siemens |
| 6105 | Q62702-F1576 | Ruído baixo do RF Transistor(For do silicone de NPN, amplificadores broadband da distorção baixa na antena e telecomunicações) | Siemens |
| 6106 | Q62702-F1577 | Transistor do RF do silicone de NPN (para o ruído baixo, amplificadores high-gain até 2GHz para amplificadores broadband lineares) | Siemens |
| 6107 | Q62702-F1582 | Transistor do RF do silicone de PNP (para osciladores, misturador e estágios self-oscilando do misturador no Tevê-tV-tuner DE FREQUÊNCIA ULTRAELEVADA) | Siemens |
| 6108 | Q62702-F1586 | Tetrode do MOSFET da N-Canaleta do silicone (transistor da Curto-canaleta com fator de qualidade elevado de S/C) | Siemens |
| 6109 | Q62702-F1587 | TETRODE do MOSFET do SILICONE N-CHANNEL (para a entrada low-noise, ganh-controlada encena até 1 gigahertz) | Siemens |
| 6110 | Q62702-F1590 | Transistor do RF do silicone de NPN (para amplificadores de poder médios) | Siemens |
| 6111 | Q62702-F1591 | Transistor do RF do silicone de NPN (para amplificadores baixos do ruído do ganho elevado para osciladores até 10 gigahertz) | Siemens |
| 6112 | Q62702-F1592 | Transistor do RF do silicone de NPN (para aplicações atuais baixas para osciladores até 12 gigahertz) | Siemens |
| 6113 | Q62702-F1594 | Transistor do RF do silicone de NPN (para o ruído baixo, amplificadores broadband high-gain em correntes de coletor de 2 miliampères a 28 miliampères) | Siemens |
| 6114 | Q62702-F1601 | Transistor do RF do silicone de NPN (para o ruído baixo, amplificadores broadband high-gain em correntes de coletor de 1mA a 20mA) | Siemens |
| 6115 | Q62702-F1611 | Transistor do RF do silicone de NPN (para amplificadores low-noise até 2GHz em correntes de coletor de 0.5 miliampère a 20 miliampères.) | Siemens |
| 6116 | Q62702-F1613 | Tetrode do MOSFET da N-Canaleta do silicone (para o ruído baixo, o ganho elevado controlou estágios da entrada até a rede diagonal estabilizada integrada V se operando da tensão 9 do 1GHz | Siemens |
| 6117 | Q62702-F1627 | Tetrode do MOSFET da N-Canaleta do silicone (para o ruído baixo, a entrada controlada do ganho elevado encena até a rede diagonal estabilizada integrada 5V se operando da tensão do 1GHz) | Siemens |
| 6118 | Q62702-F1628 | Tetrode do MOSFET da N-Canaleta do silicone (para o ruído baixo, a entrada controlada do ganho elevado encena até a rede diagonal integrada 9V se operando da tensão do 1GHz) | Siemens |
| 6119 | Q62702-F1645 | Transistor do RF do silicone de NPN (para amplificadores broadband até o 1GHz em correntes de coletor de 1mA a 20mA) | Siemens |
| 6120 | Q62702-F1645 | Transistor do RF do silicone de NPN (para amplificadores broadband até o 1GHz em correntes de coletor de 1mA a 20mA) | Siemens |
| 6121 | Q62702-F1665 | Tetrode do MOSFET da N-Canaleta do silicone (para o ruído baixo, a entrada controlada do ganho elevado encena até a rede diagonal estabilizada integrada 5V se operando da tensão do 1GHz) | Siemens |
| 6122 | Q62702-F1681 | Transistor do RF do silicone de PNP (para amplificadores broadband até 2GHz em correntes de coletor até 20mA) | Siemens |
| 6123 | Q62702-F1685 | Transistor do RF do silicone de NPN (para o ruído baixo, amplificadores broadband high-gain em correntes de coletor de 0.5mA a 12mA) | Siemens |
| 6124 | Q62702-F1771 | Tetrode do Mosfet Da Canaleta Do Silicone N | Siemens |
| 6125 | Q62702-F1772 | Tetrode do MOSFET da canaleta do silicone N (o transistor da Curto-canaleta com fator de qualidade elevado de S/C para a entrada low-noise, ganh-controlada encena até 1 gigahertz) | Siemens |
| 6126 | Q62702-F1773 | Tetrode do MOSFET da N-Canaleta do silicone (para o ruído baixo, a entrada controlada do ganho elevado encena até a tensão se operando 5V do 1GHz) | Siemens |
| 6127 | Q62702-F1774 | Tetrode do MOSFET da N-Canaleta do silicone (para o ruído baixo, a entrada controlada do ganho elevado encena até a tensão se operando 5V do 1GHz) | Siemens |
| 6128 | Q62702-F1775 | Tetrode do MOSFET da N-Canaleta do silicone (para o ruído baixo, a entrada controlada do ganho elevado encena até a tensão se operando 5V do 1GHz) | Siemens |
| 6129 | Q62702-F1776 | Tetrode do MOSFET da N-Canaleta do silicone (para o ruído baixo, a entrada controlada do ganho elevado encena até a tensão se operando 5V do 1GHz) | Siemens |
| 6130 | Q62702-F1794 | Transistor do RF do silicone de NPN (para o amplificador baixo do ruído do ganho o mais elevado em em 1.8 gigahertz e 2 V) miliampère/2 | Siemens |
| 6131 | Q62702-F182 | Transistor do campo-Efeito da junção da N-Canaleta | Siemens |
| 6132 | Q62702-F205 | Transistor do campo-Efeito da junção da N-Canaleta | Siemens |
| 6133 | Q62702-F209 | Transistor do campo-Efeito da junção da N-Canaleta | Siemens |
| 6134 | Q62702-F219 | TRANSISTOR DA JUNÇÃO FIELD-EFFECT DE N-CHANNEL | Siemens |
| 6135 | Q62702-F236 | Transistor do campo-Efeito da junção da N-Canaleta | Siemens |
| 6136 | Q62702-F250 | TRANSISTOR DA JUNÇÃO FIELD-EFFECT DE N-CHANNEL | Siemens |
| 6137 | Q62702-F254 | TRANSISTOR DA JUNÇÃO FIELD-EFFECT DE N-CHANNEL | Siemens |
| 6138 | Q62702-F296 | TRANSISTOR DO SILICONE DE NPN PARA O AMPLIFICADOR BROADBAND DO RF | Siemens |
| 6139 | Q62702-F311 | TRANSISTOR DO RF DO SILICONE DE PNP | Siemens |
| 6140 | Q62702-F315 | TRANSISTOR DO RF DO SILICONE DE NPN | Siemens |
| 6141 | Q62702-F316 | TRANSISTOR DO RF DO SILICONE DE NPN | Siemens |
| 6142 | Q62702-F317 | TRANSISTOR DO RF DO SILICONE DE NPN | Siemens |
| 6143 | Q62702-F319 | TRANSISTOR BROADBAND DO RF DO SILICONE DE NPN | Siemens |
| 6144 | Q62702-F320 | TRANSISTOR BROADBAND DO RF DO SILICONE DE NPN | Siemens |
| 6145 | Q62702-F321 | TRANSISTOR BROADBAND DO RF DO SILICONE DE NPN | Siemens |
| 6146 | Q62702-F346-S1 | TRANSISTOR DO SILICONE DE NPN PARA AMPLIFICADORES BROADBAND DE LOW-NOISE RF | Siemens |
| 6147 | Q62702-F347-S1 | TRANSISTOR DO SILICONE DE NPN PARA AMPLIFICADORES BROADBAND DE LOW-NOISE RF E APLICAÇÕES HIGH-SPEED DO SWITCHING | Siemens |
| 6148 | Q62702-F348 | transistor do rf do silicone do npn | Siemens |
| 6149 | Q62702-F349 | transistor do rf do silicone do npn | Siemens |
| 6150 | Q62702-F35 | TRIODE do MOSFET da CANALETA do SILICONE N (para estágios de alta freqüência até 300 megahertz, preferivelmente na potencialidade elevada da sobrecarga das aplicações de FM) | Siemens |
| 6151 | Q62702-F350 | TRANSISTOR DO RF DO SILICONE DE NPN | Siemens |
| 6152 | Q62702-F354 | Transistor do Rf Do Silicone de NPN | Siemens |
| 6153 | Q62702-F365 | TRANSISTOR BROADBAND DO RF DO SILICONE DE NPN | Siemens |
| 6154 | Q62702-F390 | TRANSISTOR BROADBAND DO RF DO SILICONE DE NPN | Siemens |
| 6155 | Q62702-F393 | TRANSISTOR DA JUNÇÃO FIELD-EFFECT DE N-CHANNEL | Siemens |
| 6156 | Q62702-F395 | TRANSISTOR DO RF DO SILICONE DE NPN | Siemens |
| 6157 | Q62702-F396 | TRANSISTOR DO RF DO SILICONE DE NPN | Siemens |
| 6158 | Q62702-F408 | TRANSISTOR PLANAR DO SILICONE DE PNP | Siemens |
| 6159 | Q62702-F414 | TRANSISTOR PLANAR DO SILICONE DE NPN | Siemens |
| 6160 | Q62702-F42 | Transistor do RF do silicone de NPN (para aplicações do amplificador e do oscilador nos Tevê-tV-tuners) | Siemens |
| 6161 | Q62702-F456 | TRANSISTOR BROADBAND DO SILICONE EXTREMAMENTE BAIXO DO RUÍDO NPN | Siemens |
| 6162 | Q62702-F457 | TRANSISTOR BROADBAND DO SILICONE EXTREMAMENTE BAIXO DO RUÍDO NPN | Siemens |
| 6163 | Q62702-F494 | TRANSISTOR DA MICROONDA DO SILICONE DE NPN ATÉ 2GHZ | Siemens |
| 6164 | Q62702-F495 | Transistor Do Silicone de NPN Com Alta Tensão Reversa (Transistor Do Silicone de NPN Com Alta Tensão Reversa) | Siemens |
| 6165 | Q62702-F496 | Transistor do silicone de PNP (alta tensão baixa do saturation do collector-emitter da tensão de avaria) | Siemens |
| 6166 | Q62702-F497 | TRANSISTOR PLANAR DO SILICONE DE NPN | Siemens |
| 6167 | Q62702-F498 | TRANSISTOR PLANAR DO SILICONE DE PNP | Siemens |
| 6168 | Q62702-F500 | TRANSISTOR DO SILICONE DE NPN PARA AMPLIFICADORES BROADBAND DE LOW-NOISE RF E APLICAÇÕES HIGH-SPEED DO SWITCHING | Siemens |
| 6169 | Q62702-F503 | TRANSISTOR PLANAR DO SILICONE DE PNP | Siemens |
| 6170 | Q62702-F506 | TRANSISTOR PLANAR DO SILICONE DE PNP | Siemens |
| 6171 | Q62702-F507 | TRANSISTOR PLANAR DO SILICONE DE NPN | Siemens |
| 6172 | Q62702-F513 | TRANSISTOR BROADBAND DO RF DO SILICONE DE NPN | Siemens |
| 6173 | Q62702-F517 | Transistor do RF do silicone de NPN (para estágios do VHF da base low-noise, comum e do FM) | Siemens |
| 6174 | Q62702-F527 | TRANSISTOR BAIXO DA MICROONDA DO SILICONE DO RUÍDO NPN ATÉ 4GHZ | Siemens |
| 6175 | Q62702-F528 | TRANSISTOR PLANAR DO SILICONE DE PNP | Siemens |
| 6176 | Q62702-F531 | Transistor Do Silicone de NPN Com Alta Tensão Reversa (Transistor Do Silicone de NPN Com Alta Tensão Reversa) | Siemens |
| 6177 | Q62702-F532 | Transistor do silicone de PNP (alta tensão baixa do saturation do collector-emitter da tensão de avaria) | Siemens |
| 6178 | Q62702-F534 | Transistor do RF do silicone de PNP (para estágios do misturador e do oscilador do VHF) | Siemens |
| 6179 | Q62702-F542 | transistor do rf do silicone do npn | Siemens |
| 6180 | Q62702-F543 | TRANSISTOR DA MICROONDA DO SILICONE DE NPN ATÉ 2GHZ | Siemens |
| 6181 | Q62702-F553 | TRANSISTOR PLANAR DO SILICONE DE PNP | Siemens |
| 6182 | Q62702-F571 | TRANSISTOR DO RF DO SILICONE DE NPN | Siemens |
| 6183 | Q62702-F572 | TRANSISTOR DO RF DO SILICONE DE NPN | Siemens |
| 6184 | Q62702-F573 | TRANSISTOR DO RF DO SILICONE DE NPN | Siemens |
| 6185 | Q62702-F574 | TRANSISTOR DO RF DO SILICONE DE NPN | Siemens |
| 6186 | Q62702-F587 | transistor do rf do silicone do npn | Siemens |
| 6187 | Q62702-F588 | transistor do rf do silicone do npn | Siemens |
| 6188 | Q62702-F589 | TRANSISTOR DO RF DO SILICONE DE NPN | Siemens |
| 6189 | Q62702-F59 | Transistor Planar Do Silicone de NPN | Siemens |
| 6190 | Q62702-F610 | TRANSISTOR PLANAR DO SILICONE DE PNP | Siemens |
| 6191 | Q62702-F612 | TRANSISTOR PLANAR DO SILICONE DE PNP | Siemens |
| 6192 | Q62702-F621 | Transistor do silicone de NPN (alta tensão l tensão baixa da avaria do saturation do collector-emitter) | Siemens |
| 6193 | Q62702-F622 | Transistor do silicone de PNP (alta tensão baixa do saturation do collector-emitter da tensão de avaria) | Siemens |
| 6194 | Q62702-F626 | TRANSISTOR PLANAR DO SILICONE DE PNP | Siemens |
| 6195 | Q62702-F640 | Transistor do RF do silicone de NPN (para aplicações do excitador do filtro da SERRA em tuners da tevê para estágios broadband lineares do amplificador do VHF) | Siemens |
| 6196 | Q62702-F65 | TRANSISTOR PLANAR DO SILICONE DE PNP | Siemens |
| 6197 | Q62702-F655 | TRANSISTOR BAIXO do SILICONE MICROVAVE do RUÍDO NPN ATÉ 2 Gigahertz | Siemens |
| 6198 | Q62702-F659 | Transistor do RF do silicone de NPN (para low-noise SE e amplificadores broadband até 1 gigahertz em correntes de coletor de 1 miliampère a 20 miliampères.) | Siemens |
| 6199 | Q62702-F66 | TRANSISTOR PLANAR DO SILICONE DE PNP | Siemens |
| 6200 | Q62702-F662 | TRANSISTOR DO RF DO SILICONE DE PNP | Siemens |
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