 |
|
| | Главная страница | Все производители | В функции | |
|
| Быстрый переход к: 1N 2N 2SA 2SC 74 AD BA BC BD BF BU CXA HCF IRF KA KIA LA LM MC NE ST STK TDA TL UA |
| 2N4123 изготавливается путем: | 
|
 | Генеральный транзистор цель. Напряжение коллектор-эмиттер: 30V = VCEO. Напряжения коллектор-база: 40V = VCBO. Рассеиваемая Коллекционер: ПК | скачать 2N4123 лист данных ( datasheet ) от USHA India LTD |
pdf 50 kb |
 | Освинцованное Малое General purpose
Транзистора Сигнала Другие с той же файл данные: 2N4124, 2N4125, 2N4126, |
скачать 2N4123 лист данных ( datasheet ) от Central Semiconductor |
pdf 85 kb |
 | Общего назначения Кремний Transistors(NPN) | скачать 2N4123 лист данных ( datasheet ) от ON Semiconductor |
pdf 167 kb |
 | ТРАНЗИСТОР КРЕМНИЯ NPN ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ ДЛЯ UHF ТЮНЕРА OSC/MIX | скачать 2N4123 лист данных ( datasheet ) от Samsung Electronic |
pdf 35 kb |
 | ТРАНЗИСТОР КРЕМНИЯ NPN ПЛОСКОСТНОЙ ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ В ГЕРМЕТИЧНО ЗАГЕРМЕТИЗИРОВАННОМ СЛУЧАЕ МЕТАЛЛА | скачать 2N4123 лист данных ( datasheet ) от Micro Electronics |
pdf 91 kb |
 | Planar эпитаксиальных пассивированы кремния NPN транзистор. 30В, 200 мА. | скачать 2N4123 лист данных ( datasheet ) от General Electric Solid State |
pdf 179 kb |
 | Транзистор 625mW Кремния NPN Общего назначения | скачать 2N4123 лист данных ( datasheet ) от Micro Commercial Components |
pdf 749 kb |
 | Держатель Поверхности Транзисторов Усилителя NPN Общего назначения | скачать 2N4123 лист данных ( datasheet ) от Fairchild Semiconductor |
pdf 345 kb |
 | Ic = 200 мА, Vce = 1,0 транзистор | скачать 2N4123 лист данных ( datasheet ) от MCC |
pdf 749 kb |
| 2N4119A | Посмотреть 2N4123 в наш каталог | 2N4123-D |