|
| Главная страница | Все производители | В функции | |
|
Быстрый переход к: 1N 2N 2SA 2SC 74 AD BA BC BD BF BU CXA HCF IRF KA KIA LA LM MC NE ST STK TDA TL UA |
2SA1314 изготавливается путем: |
Применений вспышки строба типа кремния PNP транзистора применения силы эпитаксиальных (процесса pct) тональнозвуковые | скачать 2SA1314 лист данных ( datasheet ) от TOSHIBA |
pdf 150 kb |
2SA1313 | Посмотреть 2SA1314 в наш каталог | 2SA1315 |