|
| Главная страница | Все производители | В функции | |
|
Быстрый переход к: 1N 2N 2SA 2SC 74 AD BA BC BD BF BU CXA HCF IRF KA KIA LA LM MC NE ST STK TDA TL UA |
BF1009S изготавливается путем: |
Интегрированное RF-MOSFET - вполне склоняющ сеть,
VDS=9V, gfs=30mS, Gps=22dB, F=1.4dB;
Datasheet на требовании Другие с той же файл данные: BF1009SR, |
скачать BF1009S лист данных ( datasheet ) от Infineon |
pdf 255 kb |
|
Тетрод mosfet Н-Kanala кремния (для низкого
шума, входной сигнал высокого увеличения controlled ставит до
сети рабочего потенциала 1GHz интегрированной 9V косой) Другие с той же файл данные: Q62702-F1628, |
скачать BF1009S лист данных ( datasheet ) от Siemens |
pdf 56 kb |
|
Тетрод mosfet Н-Kanala кремния для... | скачать BF1009S лист данных ( datasheet ) от Infineon |
pdf 92 kb |
BF1009 | Посмотреть BF1009S в наш каталог | BF1009SR |