|   Главная страница   |   Все производители   |   В функции   |  

Часть название, описание или производитель содержать:

   
Быстрый переход к:   1N  2N  2SA  2SC  74  AD  BA  BC  BD  BF  BU  CXA  HCF  IRF  KA  KIA  LA  LM  MC  NE  ST  STK  TDA  TL  UA  



BU406H изготавливается путем:English Version for this page Version française pour cette page Deutsche Version für diese Seite Versione italiana per questa pagina Versão portuguese para esta página
Информация для частей производства Samsung Electronic400, 7, NPN кремния эпитаксиальный транзистор

Другие с той же файл данные:
BU406, BU408,
скачать BU406H лист данных ( datasheet ) от
Samsung Electronic
pdf
178 kb
Информация для частей производства Wing Shing Computer ComponentsNPN эпитаксиальным кремниевого транзистора. Высокая напряжение переключения для горизонтального выходного каскада прогиб. Коллек скачать BU406H лист данных ( datasheet ) от
Wing Shing Computer Components
pdf
29 kb
Информация для частей производства Fairchild SemiconductorТранзистор Кремния NPN Эпитаксиальный - Высоковольтный Транзистор скачать BU406H лист данных ( datasheet ) от
Fairchild Semiconductor
pdf
52 kb
BU406DПосмотреть BU406H в наш каталогBU406TU



© 2024 - www.DatasheetCatalog.com