 |
|
| | Главная страница | Все производители | В функции | |
|
| Быстрый переход к: 1N 2N 2SA 2SC 74 AD BA BC BD BF BU CXA HCF IRF KA KIA LA LM MC NE ST STK TDA TL UA |
| IRF640 изготавливается путем: | 
|
 | УСТАРЕЛО - Мощность полевой транзистор | скачать IRF640 лист данных ( datasheet ) от ON Semiconductor |
PDF 139 kb |
 | транзистор TrenchMOS(tm) Н-kanala | скачать IRF640 лист данных ( datasheet ) от Philips |
pdf 100 kb |
 | 200V определяют mosfet силы Н-Kanala
HEXFET в пакете TO-220AB Другие с той же файл данные: IRF640PBF, |
скачать IRF640 лист данных ( datasheet ) от International Rectifier |
pdf 184 kb |
 | Н - КАНАЛ 200V - 0.150Ohm - Mosfet
ВЕРХНЕГО СЛОЯ СЕТКИ 18ЈA TO-220/TO-220FP Другие с той же файл данные: IRF640FP, |
скачать IRF640 лист данных ( datasheet ) от SGS Thomson Microelectronics |
pdf 112 kb |
| N-CHANNEL 200V - 0.150 ОМА - MOSFET ВЕРХНЕГО СЛОЯ СЕТКИ 18ЈA TO-220/TO-220FP | скачать IRF640 лист данных ( datasheet ) от SGS Thomson Microelectronics |
pdf 112 kb |
 | N-CHANNEL 200V - 0.150 ОМА - MOSFET ВЕРХНЕГО СЛОЯ СЕТКИ 18ЈA TO-220/TO-220FP | скачать IRF640 лист данных ( datasheet ) от ST Microelectronics |
pdf 373 kb |
 | 18А, 200В, 0,180 Ом, N-Channel Полевые транзисторы Другие с той же файл данные: RF1S640SM, |
скачать IRF640 лист данных ( datasheet ) от Intersil |
pdf 67 kb |
 | 18ЈA, 200V, 0.180 Ома, MOSFETs Силы Н-Kanala | скачать IRF640 лист данных ( datasheet ) от Fairchild Semiconductor |
pdf 135 kb |
| IRF634STRR | Посмотреть IRF640 в наш каталог | IRF640-D |