|
| Главная страница | Все производители | В функции | |
|
Быстрый переход к: 1N 2N 2SA 2SC 74 AD BA BC BD BF BU CXA HCF IRF KA KIA LA LM MC NE ST STK TDA TL UA |
MGFC39V5258A изготавливается путем: |
5,2-5,8 ГГц 8W внутренне согласованные GaAs FET | скачать MGFC39V5258A лист данных ( datasheet ) от Mitsubishi Electric Corporation |
pdf 98 kb |
MGFC39V5258 | Посмотреть MGFC39V5258A в наш каталог | MGFC39V5964 |