|
| Главная страница | Все производители | В функции | |
|
Быстрый переход к: 1N 2N 2SA 2SC 74 AD BA BC BD BF BU CXA HCF IRF KA KIA LA LM MC NE ST STK TDA TL UA |
MMFT3055E-D изготавливается путем: |
Средств строб кремния TMOS режима повышения Н-Kanala транзистора влияния поля силы E-FET SOT-223 для поверхностного держателя | скачать MMFT3055E-D лист данных ( datasheet ) от ON Semiconductor |
PDF 208 kb |
MMFT3055E | Посмотреть MMFT3055E-D в наш каталог | MMFT3055EL |