|
| Главная страница | Все производители | В функции | |
|
Быстрый переход к: 1N 2N 2SA 2SC 74 AD BA BC BD BF BU CXA HCF IRF KA KIA LA LM MC NE ST STK TDA TL UA |
MTB3N100E изготавливается путем: |
Fet СИЛЫ TMOS 3.0 АМПЕРА 1000 ВОЛЬТОВ RDS(on) = 4.0 ОМА | скачать MTB3N100E лист данных ( datasheet ) от Motorola |
pdf 268 kb |
|
2 А D2PAK поверхностного монтажа Продукты, N-Channel, VDSS 1000 | скачать MTB3N100E лист данных ( datasheet ) от ON Semiconductor |
PDF 281 kb |
MTB36N06VT4 | Посмотреть MTB3N100E в наш каталог | MTB3N100E-D |