 |
|
| | Главная страница | Все производители | В функции | |
|
| Быстрый переход к: 1N 2N 2SA 2SC 74 AD BA BC BD BF BU CXA HCF IRF KA KIA LA LM MC NE ST STK TDA TL UA |
| MTB3N60E изготавливается путем: | 
|
 | Fet СИЛЫ TMOS 3.0 АМПЕРА 600 ВОЛЬТОВ RDS(on) = 2.2 ОМА | скачать MTB3N60E лист данных ( datasheet ) от Motorola |
pdf 81 kb |
 | D2PAK для поверхностного монтажа N-Channel Enhancement-Mode Силиконовой ворот | скачать MTB3N60E лист данных ( datasheet ) от ON Semiconductor |
PDF 142 kb |
| MTB3N120E-D | Посмотреть MTB3N60E в наш каталог | MTB3N60E-D |