 |
|
| | Главная страница | Все производители | В функции | |
|
| Быстрый переход к: 1N 2N 2SA 2SC 74 AD BA BC BD BF BU CXA HCF IRF KA KIA LA LM MC NE ST STK TDA TL UA |
| PBSS8110D изготавливается путем: | 
|
 | 100 в, 1 транзистор а NPN низкий VCEsat (BISS) | скачать PBSS8110D лист данных ( datasheet ) от Philips |
pdf 97 kb |
 | , 1 NPN низкий VCEsat (BISS) транзистор 100 В | скачать PBSS8110D лист данных ( datasheet ) от NXP Semiconductors |
pdf 159 kb |
| PBSS8110D; 100 в, 1 транзистор а NPN низкийв CEsat (BISS) | скачать PBSS8110D лист данных ( datasheet ) от Philips |
pdf 97 kb |
| PBSS8110AS | Посмотреть PBSS8110D в наш каталог | PBSS8110S |