|
| Главная страница | Все производители | В функции | |
|
Быстрый переход к: 1N 2N 2SA 2SC 74 AD BA BC BD BF BU CXA HCF IRF KA KIA LA LM MC NE ST STK TDA TL UA |
PDTB123TT изготавливается путем: |
PNP 500 мА, 50 В резистор оборудованных транзистор; R1 = 2,2 кОм, R2 = открыт | скачать PDTB123TT лист данных ( datasheet ) от NXP Semiconductors |
pdf 104 kb |
PDTB123EU | Посмотреть PDTB123TT в наш каталог | PDTB123Y |