|
| Главная страница | Все производители | В функции | |
|
Быстрый переход к: 1N 2N 2SA 2SC 74 AD BA BC BD BF BU CXA HCF IRF KA KIA LA LM MC NE ST STK TDA TL UA |
PDTD123YT изготавливается путем: |
NPN 500 мА, резистор оборудованных транзисторы 50 В; R1 = 2,2 кОм, R2 = 10 кОм | скачать PDTD123YT лист данных ( datasheet ) от NXP Semiconductors |
pdf 119 kb |
PDTD123TT | Посмотреть PDTD123YT в наш каталог | PDTD123YU |