 |
|
| | Главная страница | Все производители | В функции | |
|
| Быстрый переход к: 1N 2N 2SA 2SC 74 AD BA BC BD BF BU CXA HCF IRF KA KIA LA LM MC NE ST STK TDA TL UA |
| SI2304DS изготавливается путем: | 
|
 | транзистор field-effect режима повышения Н-kanala | скачать SI2304DS лист данных ( datasheet ) от Philips |
pdf 102 kb |
 | N-канальные TrenchMOS промежуточный уровень FET | скачать SI2304DS лист данных ( datasheet ) от NXP Semiconductors |
pdf 101 kb |
 | 30-V (D-S), Одиночное | скачать SI2304DS лист данных ( datasheet ) от Vishay |
pdf 49 kb |
| SI2304BDS | Посмотреть SI2304DS в наш каталог | SI2305DS |