 |
|
| | Главная страница | Все производители | В функции | |
|
| Быстрый переход к: 1N 2N 2SA 2SC 74 AD BA BC BD BF BU CXA HCF IRF KA KIA LA LM MC NE ST STK TDA TL UA |
| TPC8104-H изготавливается путем: | 
|
 | Тип mos канала п кремния транзистора влияния поля (высокоскоростное U-MOSII) применения оборудования pCs тетради применений батареи иона лития конвертеров DC dc высокоскоростных и высокийа организационно-технический уровень портативные | скачать TPC8104-H лист данных ( datasheet ) от TOSHIBA |
pdf 321 kb |
| TPC8103 | Посмотреть TPC8104-H в наш каталог | TPC8105-H |