| Номер | Часть Имя | Описание | Производитель |
| 851 | EN29LV800B70RTI | память вспышки участка ботинка памяти 8 мегабитов
(1024K x 8ого-разрядн/512K x
шестнадцатиразрядного) внезапная, cmos 3.0
Vol6ta-tol6ko | Eon Silicon Solution |
| 852 | EN29LV800B70RTIP | память вспышки участка ботинка памяти 8 мегабитов
(1024K x 8ого-разрядн/512K x
шестнадцатиразрядного) внезапная, cmos 3.0
Vol6ta-tol6ko | Eon Silicon Solution |
| 853 | EN29LV800B70RTP | память вспышки участка ботинка памяти 8 мегабитов
(1024K x 8ого-разрядн/512K x
шестнадцатиразрядного) внезапная, cmos 3.0
Vol6ta-tol6ko | Eon Silicon Solution |
| 854 | EN29LV800B90S | память вспышки участка ботинка памяти 8 мегабитов
(1024K x 8ого-разрядн/512K x
шестнадцатиразрядного) внезапная, cmos 3.0
Vol6ta-tol6ko | Eon Silicon Solution |
| 855 | EN29LV800B90SI | память вспышки участка ботинка памяти 8 мегабитов
(1024K x 8ого-разрядн/512K x
шестнадцатиразрядного) внезапная, cmos 3.0
Vol6ta-tol6ko | Eon Silicon Solution |
| 856 | EN29LV800B90SIP | память вспышки участка ботинка памяти 8 мегабитов
(1024K x 8ого-разрядн/512K x
шестнадцатиразрядного) внезапная, cmos 3.0
Vol6ta-tol6ko | Eon Silicon Solution |
| 857 | EN29LV800B90SP | память вспышки участка ботинка памяти 8 мегабитов
(1024K x 8ого-разрядн/512K x
шестнадцатиразрядного) внезапная, cmos 3.0
Vol6ta-tol6ko | Eon Silicon Solution |
| 858 | EN29LV800B90T | память вспышки участка ботинка памяти 8 мегабитов
(1024K x 8ого-разрядн/512K x
шестнадцатиразрядного) внезапная, cmos 3.0
Vol6ta-tol6ko | Eon Silicon Solution |
| 859 | EN29LV800B90TI | память вспышки участка ботинка памяти 8 мегабитов
(1024K x 8ого-разрядн/512K x
шестнадцатиразрядного) внезапная, cmos 3.0
Vol6ta-tol6ko | Eon Silicon Solution |
| 860 | EN29LV800B90TIP | память вспышки участка ботинка памяти 8 мегабитов
(1024K x 8ого-разрядн/512K x
шестнадцатиразрядного) внезапная, cmos 3.0
Vol6ta-tol6ko | Eon Silicon Solution |
| 861 | EN29LV800B90TP | память вспышки участка ботинка памяти 8 мегабитов
(1024K x 8ого-разрядн/512K x
шестнадцатиразрядного) внезапная, cmos 3.0
Vol6ta-tol6ko | Eon Silicon Solution |
| 862 | EN29LV800J | память вспышки участка ботинка памяти 8 мегабитов
(1024K x 8ого-разрядн/512K x
шестнадцатиразрядного) внезапная, cmos 3.0
Vol6ta-tol6ko | Eon Silicon Solution |
| 863 | EN29LV800JB-70T | 8 Мегабит (1024k х 8-бит / 512 х 16-бит) Flach память. Загрузочный флэш-памяти сектор, CMOS 3.0 вольт только. Скорость 70 нс. Нижний сектор. | Eon Silicon Solution |
| 864 | EN29LV800JB-70TI | 8 Мегабит (1024k х 8-бит / 512 х 16-бит) Flach память. Загрузочный флэш-памяти сектор, CMOS 3.0 вольт только. Скорость 70 нс. Нижний сектор. | Eon Silicon Solution |
| 865 | EN29LV800JB-90T | 8 Мегабит (1024k х 8-бит / 512 х 16-бит) Flach память. Загрузочный флэш-памяти сектор, CMOS 3.0 вольт только. Скорость 90ns. Нижний сектор. | Eon Silicon Solution |
| 866 | EN29LV800JB-90TI | 8 Мегабит (1024k х 8-бит / 512 х 16-бит) Flach память. Загрузочный флэш-памяти сектор, CMOS 3.0 вольт только. Скорость 90ns. Нижний сектор. | Eon Silicon Solution |
| 867 | EN29LV800JT-70T | 8 Мегабит (1024k х 8-бит / 512 х 16-бит) Flach память. Загрузочный флэш-памяти сектор, CMOS 3.0 вольт только. Скорость 70 нс. Топ сектор. | Eon Silicon Solution |
| 868 | EN29LV800JT-70TI | 8 Мегабит (1024k х 8-бит / 512 х 16-бит) Flach память. Загрузочный флэш-памяти сектор, CMOS 3.0 вольт только. Скорость 70 нс. Топ сектор. | Eon Silicon Solution |
| 869 | EN29LV800JT-90T | 8 Мегабит (1024k х 8-бит / 512 х 16-бит) Flach память. Загрузочный флэш-памяти сектор, CMOS 3.0 вольт только. Скорость 90ns. Топ сектор. | Eon Silicon Solution |
| 870 | EN29LV800JT-90TI | 8 Мегабит (1024k х 8-бит / 512 х 16-бит) Flach память. Загрузочный флэш-памяти сектор, CMOS 3.0 вольт только. Скорость 90ns. Топ сектор. | Eon Silicon Solution |
| 871 | EN29LV800T70RS | память вспышки участка ботинка памяти 8 мегабитов
(1024K x 8ого-разрядн/512K x
шестнадцатиразрядного) внезапная, cmos 3.0
Vol6ta-tol6ko | Eon Silicon Solution |
| 872 | EN29LV800T70RSI | память вспышки участка ботинка памяти 8 мегабитов
(1024K x 8ого-разрядн/512K x
шестнадцатиразрядного) внезапная, cmos 3.0
Vol6ta-tol6ko | Eon Silicon Solution |
| 873 | EN29LV800T70RSIP | память вспышки участка ботинка памяти 8 мегабитов
(1024K x 8ого-разрядн/512K x
шестнадцатиразрядного) внезапная, cmos 3.0
Vol6ta-tol6ko | Eon Silicon Solution |
| 874 | EN29LV800T70RSP | память вспышки участка ботинка памяти 8 мегабитов
(1024K x 8ого-разрядн/512K x
шестнадцатиразрядного) внезапная, cmos 3.0
Vol6ta-tol6ko | Eon Silicon Solution |
| 875 | EN29LV800T70RT | память вспышки участка ботинка памяти 8 мегабитов
(1024K x 8ого-разрядн/512K x
шестнадцатиразрядного) внезапная, cmos 3.0
Vol6ta-tol6ko | Eon Silicon Solution |
| 876 | EN29LV800T70RTI | память вспышки участка ботинка памяти 8 мегабитов
(1024K x 8ого-разрядн/512K x
шестнадцатиразрядного) внезапная, cmos 3.0
Vol6ta-tol6ko | Eon Silicon Solution |
| 877 | EN29LV800T70RTIP | память вспышки участка ботинка памяти 8 мегабитов
(1024K x 8ого-разрядн/512K x
шестнадцатиразрядного) внезапная, cmos 3.0
Vol6ta-tol6ko | Eon Silicon Solution |
| 878 | EN29LV800T70RTP | память вспышки участка ботинка памяти 8 мегабитов
(1024K x 8ого-разрядн/512K x
шестнадцатиразрядного) внезапная, cmos 3.0
Vol6ta-tol6ko | Eon Silicon Solution |
| 879 | EN29LV800T90S | память вспышки участка ботинка памяти 8 мегабитов
(1024K x 8ого-разрядн/512K x
шестнадцатиразрядного) внезапная, cmos 3.0
Vol6ta-tol6ko | Eon Silicon Solution |
| 880 | EN29LV800T90SI | память вспышки участка ботинка памяти 8 мегабитов
(1024K x 8ого-разрядн/512K x
шестнадцатиразрядного) внезапная, cmos 3.0
Vol6ta-tol6ko | Eon Silicon Solution |
| 881 | EN29LV800T90SIP | память вспышки участка ботинка памяти 8 мегабитов
(1024K x 8ого-разрядн/512K x
шестнадцатиразрядного) внезапная, cmos 3.0
Vol6ta-tol6ko | Eon Silicon Solution |
| 882 | EN29LV800T90SP | память вспышки участка ботинка памяти 8 мегабитов
(1024K x 8ого-разрядн/512K x
шестнадцатиразрядного) внезапная, cmos 3.0
Vol6ta-tol6ko | Eon Silicon Solution |
| 883 | EN29LV800T90T | память вспышки участка ботинка памяти 8 мегабитов
(1024K x 8ого-разрядн/512K x
шестнадцатиразрядного) внезапная, cmos 3.0
Vol6ta-tol6ko | Eon Silicon Solution |
| 884 | EN29LV800T90TI | память вспышки участка ботинка памяти 8 мегабитов
(1024K x 8ого-разрядн/512K x
шестнадцатиразрядного) внезапная, cmos 3.0
Vol6ta-tol6ko | Eon Silicon Solution |
| 885 | EN29LV800T90TIP | память вспышки участка ботинка памяти 8 мегабитов
(1024K x 8ого-разрядн/512K x
шестнадцатиразрядного) внезапная, cmos 3.0
Vol6ta-tol6ko | Eon Silicon Solution |
| 886 | EN29LV800T90TP | память вспышки участка ботинка памяти 8 мегабитов
(1024K x 8ого-разрядн/512K x
шестнадцатиразрядного) внезапная, cmos 3.0
Vol6ta-tol6ko | Eon Silicon Solution |
| 887 | EPA240D-SOT89 | Fet Силы Гетероперехода Высокийа
организационно-технический уровень DC-6GHz | Eon Silicon Solution |
| 888 | EPA480 | Fet Силы Гетероперехода Высокийа
организационно-технический уровень DC-6GHz | Eon Silicon Solution |
| 889 | EPA480C-SOT89 | Fet Силы Гетероперехода Высокийа
организационно-технический уровень DC-6GHz | Eon Silicon Solution |
| 890 | EPB018A5 | Fet Гетероперехода Увеличения Супер Низкого Шума
Высокий | Eon Silicon Solution |
| 891 | EPB018A5-70 | Fet Гетероперехода Увеличения Супер Низкого Шума
Высокий | Eon Silicon Solution |
| 892 | EPB018A7-70 | Fet Гетероперехода Увеличения Супер Низкого Шума
Высокий | Eon Silicon Solution |
| 893 | EPB018A9-70 | Fet Гетероперехода Увеличения Супер Низкого Шума
Высокий | Eon Silicon Solution |
| | | |
