|   Главная страница   |   Все производители   |   В функции   |  

Часть название, описание или производитель содержать:

   
Быстрый переход к:   1N  2N  2SA  2SC  74  AD  BA  BC  BD  BF  BU  CXA  HCF  IRF  KA  KIA  LA  LM  MC  NE  ST  STK  TDA  TL  UA  



Информация Найдено :: 420 English Version for this page Version française pour cette page Deutsche Version für diese Seite Versione italiana per questa pagina Versão portuguese para esta página
НомерЧасть ИмяОписаниеПроизводитель
351PTB2017555 Ватт, Транзистор Силы Rf Радиосвязь с сотовой структурой 1.9.2.0 ГигагерцевEricsson Microelectronics
352PTB201765 Ватт, Транзистор Силы 1.78.1.92 Гигагерцев RfEricsson Microelectronics
353PTB20177150 Ватт, Транзистор Силы Rf Радиосвязь с сотовой структурой 925.960 МегацикловEricsson Microelectronics
354PTB201790.4 Ватта, Транзистор Силы Rf Радиосвязь с сотовой структурой 1.8.2.0 ГигагерцевEricsson Microelectronics
355PTB201802.5 Ватта, Транзистор Силы Rf Радиосвязь с сотовой структурой 1.8.2.0 ГигагерцевEricsson Microelectronics
356PTB201874 Ватта, Транзистор Силы Rf Радиосвязь с сотовой структурой 1.8.2.0 ГигагерцевEricsson Microelectronics
357PTB201884 Ватта П-P-Sync, Транзистора Силы Uhf Tv 470.860 Мегациклов ЛинейногоEricsson Microelectronics
358PTB201891 Ватт, Транзистор Силы Rf Радиосвязь с сотовой структурой 900.960 МегацикловEricsson Microelectronics
359PTB20190175 Ватт, Транзистор Силы Телевидения 470.806 Мегациклов ЦифровEricsson Microelectronics
360PTB2019112 Ватта, Транзистор Силы 1.78.1.92 Гигагерцев RfEricsson Microelectronics
361PTB2019360 Ватт, Транзистор Силы Rf Радиосвязь с сотовой структурой 1.8.1.9 ГигагерцевEricsson Microelectronics
362PTB20195150 Ватт, Транзистор Силы Rf Радиосвязь с сотовой структурой 860.900 МегацикловEricsson Microelectronics
363PTB2020030 Вт, 380-500 МГц транзистор питания РФEricsson Microelectronics
364PTB20202125 Вт, 1465-1513 МГц сотовой / транзистор питания DAB РФEricsson Microelectronics
365PTB202041.0 Ватта, Транзистор Силы 380-500 Мегацикл RfEricsson Microelectronics
366PTB202061.0 Ватта, Транзистор Силы 470-860 Мегацикл RfEricsson Microelectronics
367PTB202166 Ватт, Транзистор Силы 1.8-2.0 Гигагерцев RfEricsson Microelectronics
368PTB2021970 Ватт, Транзистор Силы Rf Радиосвязь с сотовой структурой 925-960 МегациклEricsson Microelectronics
369PTB2022015 Ватт, Транзистор Силы Rf Радиосвязь с сотовой структурой 915-960 МегациклEricsson Microelectronics
370PTB202286.5 Ватта, Транзистор Силы 1.62-1.66 Гигагерцев RfEricsson Microelectronics
371PTB2023045 Ватт, 1.8.2.0 Транзистор Силы Гигагерца PCN/PCSEricsson Microelectronics
372PTB2023570 Ватт, 2.1.2.2 Транзистор Силы Гигагерца Широкополосный CDMAEricsson Microelectronics
373PTB20237150 Ватт, Транзистор Силы 470.860 Мегациклов UHF TvEricsson Microelectronics
374PTB2023912 Ватта, Транзистор Силы Rf Радиосвязь с сотовой структурой 1465.1513 МегацикловEricsson Microelectronics
375PTB2024535 Ватт, 2.1.2.2 Транзистор Силы Гигагерца Широкополосный CDMAEricsson Microelectronics
376PTB202480.7 Ватта, Транзистор Силы Rf Радиосвязь с сотовой структурой 1465.1513 МегацикловEricsson Microelectronics



377PTB202492.5 Ватта, Транзистор Силы Rf Радиосвязь с сотовой структурой 1465.1513 МегацикловEricsson Microelectronics
378PTB202586 Ватт, Транзистор Силы Rf Радиосвязь с сотовой структурой 915.960 МегацикловEricsson Microelectronics
379PTB2026410 Ватт, Транзистор Силы Rf Радиосвязь с сотовой структурой 1.8.1.9 ГигагерцевEricsson Microelectronics
380PTF1000735 Ватт, 1.0 Транзистор Влияния Поля Гигагерца GOLDMOSEricsson Microelectronics
381PTF1000985 Ватт, 1.0 Транзистор Влияния Поля Гигагерца GOLDMOSEricsson Microelectronics
382PTF1001550 Ватт, 300.960 Транзистор Влияния Поля Мегацикла GOLDMOSEricsson Microelectronics
383PTF10019ная<>Ericsson Microelectronics
384PTF10020125 Ватт, 860.960 Транзистор Влияния Поля Мегацикла GOLDMOSEricsson Microelectronics
385PTF1002130 Ватт, 1.4.1.6 Транзистор Влияния Поля Гигагерца GOLDMOSEricsson Microelectronics
386PTF1003150 Ватт, 1.0 Транзистор Влияния Поля Гигагерца GOLDMOSEricsson Microelectronics
387PTF1003685 Ватт, 860.960 Транзистор Влияния Поля Мегацикла GOLDMOSEricsson Microelectronics
388PTF1004312 Ватта, 1.9.2.0 Транзистор Влияния Поля Гигагерца GOLDMOSEricsson Microelectronics
389PTF1004530 Ватт, 1.60.1.65 Транзистор Влияния Поля Гигагерца GOLDMOSEricsson Microelectronics
390PTF1004830 Ватт, 2.1.2.2 Гигагерца, Транзистор Влияния Поля W-CDMA GOLDMOSEricsson Microelectronics
391PTF1005235 Ватт, 1.0 Транзистор Влияния Поля Гигагерца GOLDMOSEricsson Microelectronics
392PTF1005312 Ватта, 2.0 Транзистор Влияния Поля Гигагерца GOLDMOSEricsson Microelectronics
393PTF1006530 Ватт, 1.93.1.99 Транзистор Влияния Поля Гигагерца GOLDMOSEricsson Microelectronics
394PTF10100165 Ватт, 860.900 Транзистор Влияния Поля Мегацикла LDMOSEricsson Microelectronics
395PTF101075 Ватт, 2.0 Транзистор Влияния Поля Гигагерца GOLDMOSEricsson Microelectronics
396PTF101116 Ватт, 1.5 Транзистор Влияния Поля Гигагерца GOLDMOSEricsson Microelectronics
397PTF1011260 Ватт, 1.8.2.0 Транзистор Влияния Поля Гигагерца GOLDMOSEricsson Microelectronics
398PTF1011912 Ватта, 2.1.2.2 Транзистор Влияния Поля Гигагерца GOLDMOSEricsson Microelectronics
399PTF10120120 Ватт, 1.8.2.0 Транзистор Влияния Поля Гигагерца GOLDMOSEricsson Microelectronics
400PTF1012250 Ватт WCDMA, 2.1.2.2 Транзистора Влияния Поля Гигагерца GOLDMOSEricsson Microelectronics

Страница: | 1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 | 7 | 8 | 9 |


© 2023    www.datasheetcatalog.net/ru/ericssonmicroelectronics/1/