| Номер | Часть Имя | Описание | Производитель |
| 501 | 1N6384 | УСМИРИТЕЛЬ НАПРЯЖЕНИЯ ТОКА TRANSZORB
ПЕРЕХОДНЫЙ | General Semiconductor |
| 502 | 1N6385 | УСМИРИТЕЛЬ НАПРЯЖЕНИЯ ТОКА TRANSZORB
ПЕРЕХОДНЫЙ | General Semiconductor |
| 503 | 1N6478 | ПОВЕРХНОСТНЫМ ВЫПРЯМИТЕЛЬ ТОКА СОЕДИНЕНИЯ ДЕРЖАТЕЛЯ
ЗАПАССИВИРОВАННЫЙ СТЕКЛОМ | General Semiconductor |
| 504 | 1N6479 | ПОВЕРХНОСТНЫМ ВЫПРЯМИТЕЛЬ ТОКА СОЕДИНЕНИЯ ДЕРЖАТЕЛЯ
ЗАПАССИВИРОВАННЫЙ СТЕКЛОМ | General Semiconductor |
| 505 | 1N6480 | ПОВЕРХНОСТНЫМ ВЫПРЯМИТЕЛЬ ТОКА СОЕДИНЕНИЯ ДЕРЖАТЕЛЯ
ЗАПАССИВИРОВАННЫЙ СТЕКЛОМ | General Semiconductor |
| 506 | 1N6481 | ПОВЕРХНОСТНЫМ ВЫПРЯМИТЕЛЬ ТОКА СОЕДИНЕНИЯ ДЕРЖАТЕЛЯ
ЗАПАССИВИРОВАННЫЙ СТЕКЛОМ | General Semiconductor |
| 507 | 1N6482 | ПОВЕРХНОСТНЫМ ВЫПРЯМИТЕЛЬ ТОКА СОЕДИНЕНИЯ ДЕРЖАТЕЛЯ
ЗАПАССИВИРОВАННЫЙ СТЕКЛОМ | General Semiconductor |
| 508 | 1N6483 | ПОВЕРХНОСТНЫМ ВЫПРЯМИТЕЛЬ ТОКА СОЕДИНЕНИЯ ДЕРЖАТЕЛЯ
ЗАПАССИВИРОВАННЫЙ СТЕКЛОМ | General Semiconductor |
| 509 | 1N6484 | ПОВЕРХНОСТНЫМ ВЫПРЯМИТЕЛЬ ТОКА СОЕДИНЕНИЯ ДЕРЖАТЕЛЯ
ЗАПАССИВИРОВАННЫЙ СТЕКЛОМ | General Semiconductor |
| 510 | 1N746 | ДИОДЫ ZENER ПРЕССФОРМА 3-WTYRE1 200
mW МИНИАЯ | General Semiconductor |
| 511 | 1N746A | ДИОДЫ ZENER ПРЕССФОРМА 3-WTYRE1 200
mW МИНИАЯ | General Semiconductor |
| 512 | 1N747A | ДИОДЫ ZENER ПРЕССФОРМА 3-WTYRE1 200
mW МИНИАЯ | General Semiconductor |
| 513 | 1N748A | ДИОДЫ ZENER ПРЕССФОРМА 3-WTYRE1 200
mW МИНИАЯ | General Semiconductor |
| 514 | 1N749A | ДИОДЫ ZENER ПРЕССФОРМА 3-WTYRE1 200
mW МИНИАЯ | General Semiconductor |
| 515 | 1N750A | ДИОДЫ ZENER ПРЕССФОРМА 3-WTYRE1 200
mW МИНИАЯ | General Semiconductor |
| 516 | 1N751A | ДИОДЫ ZENER ПРЕССФОРМА 3-WTYRE1 200
mW МИНИАЯ | General Semiconductor |
| 517 | 1N752A | ДИОДЫ ZENER ПРЕССФОРМА 3-WTYRE1 200
mW МИНИАЯ | General Semiconductor |
| 518 | 1N753A | ДИОДЫ ZENER ПРЕССФОРМА 3-WTYRE1 200
mW МИНИАЯ | General Semiconductor |
| 519 | 1N754A | ДИОДЫ ZENER ПРЕССФОРМА 3-WTYRE1 200
mW МИНИАЯ | General Semiconductor |
| 520 | 1N755A | ДИОДЫ ZENER ПРЕССФОРМА 3-WTYRE1 200
mW МИНИАЯ | General Semiconductor |
| 521 | 1N756A | ДИОДЫ ZENER ПРЕССФОРМА 3-WTYRE1 200
mW МИНИАЯ | General Semiconductor |
| 522 | 1N757A | ДИОДЫ ZENER ПРЕССФОРМА 3-WTYRE1 200
mW МИНИАЯ | General Semiconductor |
| 523 | 1N758A | ДИОДЫ ZENER ПРЕССФОРМА 3-WTYRE1 200
mW МИНИАЯ | General Semiconductor |
| 524 | 1N759A | ДИОДЫ ZENER ПРЕССФОРМА 3-WTYRE1 200
mW МИНИАЯ | General Semiconductor |
| 525 | 1N914 | МАЛЫЕ ДИОДЫ СИГНАЛА | General Semiconductor |
| 526 | 1N957 | ДИОДЫ ZENER ПРЕССФОРМА 3-WTYRE1 200
mW МИНИАЯ | General Semiconductor |
| 527 | 1N957B | ДИОДЫ ZENER ПРЕССФОРМА 3-WTYRE1 200
mW МИНИАЯ | General Semiconductor |
| 528 | 1N958B | ДИОДЫ ZENER ПРЕССФОРМА 3-WTYRE1 200
mW МИНИАЯ | General Semiconductor |
| 529 | 1N959B | ДИОДЫ ZENER ПРЕССФОРМА 3-WTYRE1 200
mW МИНИАЯ | General Semiconductor |
| 530 | 1N960B | ДИОДЫ ZENER ПРЕССФОРМА 3-WTYRE1 200
mW МИНИАЯ | General Semiconductor |
| 531 | 1N961B | ДИОДЫ ZENER ПРЕССФОРМА 3-WTYRE1 200
mW МИНИАЯ | General Semiconductor |
| 532 | 1N962B | ДИОДЫ ZENER ПРЕССФОРМА 3-WTYRE1 200
mW МИНИАЯ | General Semiconductor |
| 533 | 1N963B | ДИОДЫ ZENER ПРЕССФОРМА 3-WTYRE1 200
mW МИНИАЯ | General Semiconductor |
| 534 | 1N964B | ДИОДЫ ZENER ПРЕССФОРМА 3-WTYRE1 200
mW МИНИАЯ | General Semiconductor |
| 535 | 1N965B | ДИОДЫ ZENER ПРЕССФОРМА 3-WTYRE1 200
mW МИНИАЯ | General Semiconductor |
| 536 | 1N966B | ДИОДЫ ZENER ПРЕССФОРМА 3-WTYRE1 200
mW МИНИАЯ | General Semiconductor |
| 537 | 1N967B | ДИОДЫ ZENER ПРЕССФОРМА 3-WTYRE1 200
mW МИНИАЯ | General Semiconductor |
| 538 | 1N968B | ДИОДЫ ZENER ПРЕССФОРМА 3-WTYRE1 200
mW МИНИАЯ | General Semiconductor |
| 539 | 1N969B | ДИОДЫ ZENER ПРЕССФОРМА 3-WTYRE1 200
mW МИНИАЯ | General Semiconductor |
| 540 | 1N970B | ДИОДЫ ZENER ПРЕССФОРМА 3-WTYRE1 200
mW МИНИАЯ | General Semiconductor |
| 541 | 1N971B | ДИОДЫ ZENER ПРЕССФОРМА 3-WTYRE1 200
mW МИНИАЯ | General Semiconductor |
| 542 | 1N972B | ДИОДЫ ZENER ПРЕССФОРМА 3-WTYRE1 200
mW МИНИАЯ | General Semiconductor |
| 543 | 1N973B | ДИОДЫ ZENER ПРЕССФОРМА 3-WTYRE1 200
mW МИНИАЯ | General Semiconductor |
| 544 | 1N974B | ДИОДЫ ZENER ПРЕССФОРМА 3-WTYRE1 200
mW МИНИАЯ | General Semiconductor |
| 545 | 1N975B | ДИОДЫ ZENER ПРЕССФОРМА 3-WTYRE1 200
mW МИНИАЯ | General Semiconductor |
| 546 | 1N976B | ДИОДЫ ZENER ПРЕССФОРМА 3-WTYRE1 200
mW МИНИАЯ | General Semiconductor |
| 547 | 1N977B | ДИОДЫ ZENER ПРЕССФОРМА 3-WTYRE1 200
mW МИНИАЯ | General Semiconductor |
| 548 | 1N978B | ДИОДЫ ZENER ПРЕССФОРМА 3-WTYRE1 200
mW МИНИАЯ | General Semiconductor |
| 549 | 1N979B | ДИОДЫ ZENER ПРЕССФОРМА 3-WTYRE1 200
mW МИНИАЯ | General Semiconductor |
| 550 | 27256 | 256K (prom nmos бита 32k x
8) UV стираемый | General Semiconductor |
| 551 | 27C128 | 128K (prom 16K x 8) cmos
UV стираемый | General Semiconductor |
| 552 | 27C256 | Prom 256K Cmos UV Стираемый
(32K X 8) | General Semiconductor |
| 553 | 2KBP005M | ЗАПАССИВИРОВАННЫЙ СТЕКЛОМ ВЫПРЯМИТЕЛЬ ТОКА МОСТА
SINGLE-PHASE | General Semiconductor |
| 554 | 2KBP01M | ЗАПАССИВИРОВАННЫЙ СТЕКЛОМ ВЫПРЯМИТЕЛЬ ТОКА МОСТА
SINGLE-PHASE | General Semiconductor |
| 555 | 2KBP02M | ЗАПАССИВИРОВАННЫЙ СТЕКЛОМ ВЫПРЯМИТЕЛЬ ТОКА МОСТА
SINGLE-PHASE | General Semiconductor |
| 556 | 2KBP04M | ЗАПАССИВИРОВАННЫЙ СТЕКЛОМ ВЫПРЯМИТЕЛЬ ТОКА МОСТА
SINGLE-PHASE | General Semiconductor |
| 557 | 2KBP06M | ЗАПАССИВИРОВАННЫЙ СТЕКЛОМ ВЫПРЯМИТЕЛЬ ТОКА МОСТА
SINGLE-PHASE | General Semiconductor |
| 558 | 2KBP08M | ЗАПАССИВИРОВАННЫЙ СТЕКЛОМ ВЫПРЯМИТЕЛЬ ТОКА МОСТА
SINGLE-PHASE | General Semiconductor |
| 559 | 2KBP10M | ЗАПАССИВИРОВАННЫЙ СТЕКЛОМ ВЫПРЯМИТЕЛЬ ТОКА МОСТА
SINGLE-PHASE | General Semiconductor |
| 560 | 2N3668 | ВЫПРЯМИТЕЛИ ТОКА КРЕМНИЯ 12.5ЈA CONTROLLED | General Semiconductor |
| 561 | 2N3904 | МАЛЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ СИГНАЛА (NPN) | General Semiconductor |
| 562 | 2N3906 | МАЛЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ СИГНАЛА (PNP) | General Semiconductor |
| 563 | 2N4124 | Малые Транзисторы Сигнала (NPN) | General Semiconductor |
| 564 | 2N4126 | Малые Транзисторы Сигнала (PNP) | General Semiconductor |
| 565 | 2N4208 | ТРАНЗИСТОР КРЕМНИЯ PNP | General Semiconductor |
| 566 | 2N4209 | ТРАНЗИСТОР КРЕМНИЯ PNP | General Semiconductor |
| 567 | 2N4401 | МАЛЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ СИГНАЛА (NPN) | General Semiconductor |
| 568 | 2N4403 | МАЛЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ СИГНАЛА (PNP) | General Semiconductor |
| 569 | 2N4987 | ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛЬ КРЕМНИЯ ОДНОСТОРОННЫЙ | General Semiconductor |
| 570 | 2N4987 | ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛЬ КРЕМНИЯ ОДНОСТОРОННЫЙ | General Semiconductor |
| 571 | 2N4988 | ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛЬ КРЕМНИЯ ОДНОСТОРОННЫЙ | General Semiconductor |
| 572 | 2N4988 | ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛЬ КРЕМНИЯ ОДНОСТОРОННЫЙ | General Semiconductor |
| 573 | 2N4989 | ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛЬ КРЕМНИЯ ОДНОСТОРОННЫЙ | General Semiconductor |
| 574 | 2N4989 | ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛЬ КРЕМНИЯ ОДНОСТОРОННЫЙ | General Semiconductor |
| 575 | 2N4990 | ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛЬ КРЕМНИЯ ОДНОСТОРОННЫЙ | General Semiconductor |
| 576 | 2N4990 | ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛЬ КРЕМНИЯ ОДНОСТОРОННЫЙ | General Semiconductor |
| 577 | 2N6576 | 15 СИЛА TRAN АМПЕРА NPN DARLINGTON | General Semiconductor |
| 578 | 2N6577 | 15 СИЛА TRAN АМПЕРА NPN DARLINGTON | General Semiconductor |
| 579 | 2N6578 | 15 СИЛА TRAN АМПЕРА NPN DARLINGTON | General Semiconductor |
| 580 | 2N7000 | Транзисторы DMOS (Н-Kanal) | General Semiconductor |
| 581 | 2N7002 | Транзисторы DMOS (Н-Kanal) | General Semiconductor |
| 582 | 2W005G | ЗАПАССИВИРОВАННЫЙ СТЕКЛОМ ВЫПРЯМИТЕЛЬ ТОКА МОСТА
SINGLE-PHASE | General Semiconductor |
| 583 | 2W01G | ЗАПАССИВИРОВАННЫЙ СТЕКЛОМ ВЫПРЯМИТЕЛЬ ТОКА МОСТА
SINGLE-PHASE | General Semiconductor |
| 584 | 2W02G | ЗАПАССИВИРОВАННЫЙ СТЕКЛОМ ВЫПРЯМИТЕЛЬ ТОКА МОСТА
SINGLE-PHASE | General Semiconductor |
| 585 | 2W04G | ЗАПАССИВИРОВАННЫЙ СТЕКЛОМ ВЫПРЯМИТЕЛЬ ТОКА МОСТА
SINGLE-PHASE | General Semiconductor |
| 586 | 2W06G | ЗАПАССИВИРОВАННЫЙ СТЕКЛОМ ВЫПРЯМИТЕЛЬ ТОКА МОСТА
SINGLE-PHASE | General Semiconductor |
| 587 | 2W08G | ЗАПАССИВИРОВАННЫЙ СТЕКЛОМ ВЫПРЯМИТЕЛЬ ТОКА МОСТА
SINGLE-PHASE | General Semiconductor |
| 588 | 2W10G | ЗАПАССИВИРОВАННЫЙ СТЕКЛОМ ВЫПРЯМИТЕЛЬ ТОКА МОСТА
SINGLE-PHASE | General Semiconductor |
| 589 | 31GF4 | Выпрямитель тока Ultrafast Пластичный, Переднее
Течение 1.0A, Обратное Напряжение тока 200V, Обратное
Временя восстановления 25ns | General Semiconductor |
| 590 | 31GF6 | Выпрямитель тока Ultrafast Пластичный, Переднее
Течение 1.0A, Обратное Напряжение тока 200V, Обратное
Временя восстановления 25ns | General Semiconductor |
| 591 | 3N246 | ЗАПАССИВИРОВАННЫЙ СТЕКЛОМ МОСТ ВЫПРЯМИТЕЛЯ ТОКА
SINGLE-PHASE | General Semiconductor |
| 592 | 3N247 | ЗАПАССИВИРОВАННЫЙ СТЕКЛОМ МОСТ ВЫПРЯМИТЕЛЯ ТОКА
SINGLE-PHASE | General Semiconductor |
| 593 | 3N248 | ЗАПАССИВИРОВАННЫЙ СТЕКЛОМ МОСТ ВЫПРЯМИТЕЛЯ ТОКА
SINGLE-PHASE | General Semiconductor |
| 594 | 3N249 | ЗАПАССИВИРОВАННЫЙ СТЕКЛОМ МОСТ ВЫПРЯМИТЕЛЯ ТОКА
SINGLE-PHASE | General Semiconductor |
| 595 | 3N250 | ЗАПАССИВИРОВАННЫЙ СТЕКЛОМ МОСТ ВЫПРЯМИТЕЛЯ ТОКА
SINGLE-PHASE | General Semiconductor |
| 596 | 3N251 | ЗАПАССИВИРОВАННЫЙ СТЕКЛОМ МОСТ ВЫПРЯМИТЕЛЯ ТОКА
SINGLE-PHASE | General Semiconductor |
| 597 | 3N252 | ЗАПАССИВИРОВАННЫЙ СТЕКЛОМ МОСТ ВЫПРЯМИТЕЛЯ ТОКА
SINGLE-PHASE | General Semiconductor |
| 598 | 3N253 | ЗАПАССИВИРОВАННЫЙ СТЕКЛОМ ВЫПРЯМИТЕЛЬ ТОКА МОСТА
SINGLE-PHASE | General Semiconductor |
| 599 | 3N254 | ЗАПАССИВИРОВАННЫЙ СТЕКЛОМ ВЫПРЯМИТЕЛЬ ТОКА МОСТА
SINGLE-PHASE | General Semiconductor |
| 600 | 3N255 | ЗАПАССИВИРОВАННЫЙ СТЕКЛОМ ВЫПРЯМИТЕЛЬ ТОКА МОСТА
SINGLE-PHASE | General Semiconductor |
| | | |
