| Номер | Часть Имя | Описание | Производитель |
| 301 | HI882 | ТРАНЗИСТОР NPN ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ ПЛОСКОСТНОЙ | Hi-Sincerity Microelectronics |
| 302 | HIRF630 | MOSFETs Н-Kanala | Hi-Sincerity Microelectronics |
| 303 | HIRF840 | MOSFETs/ Силы Н-Kanala 18-20 A/
50 В | Hi-Sincerity Microelectronics |
| 304 | HIRF840F | MOSFETs/ Силы Н-Kanala 18-20 A/
50 В | Hi-Sincerity Microelectronics |
| 305 | HJ10387 | ТРАНЗИСТОР NPN ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ ПЛОСКОСТНОЙ | Hi-Sincerity Microelectronics |
| 306 | HJ1109 | ТРАНЗИСТОР PNP ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ ПЛОСКОСТНОЙ | Hi-Sincerity Microelectronics |
| 307 | HJ112 | ТРАНЗИСТОР NPN ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ ПЛОСКОСТНОЙ | Hi-Sincerity Microelectronics |
| 308 | HJ117 | ТРАНЗИСТОР PNP ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ ПЛОСКОСТНОЙ | Hi-Sincerity Microelectronics |
| 309 | HJ122 | ТРАНЗИСТОР NPN ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ ПЛОСКОСТНОЙ | Hi-Sincerity Microelectronics |
| 310 | HJ127 | ТРАНЗИСТОР PNP ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ ПЛОСКОСТНОЙ | Hi-Sincerity Microelectronics |
| 311 | HJ14C | ТРАНЗИСТОР NPN ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ ПЛОСКОСТНОЙ | Hi-Sincerity Microelectronics |
| 312 | HJ1538 | ТРАНЗИСТОР PNP ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ ПЛОСКОСТНОЙ | Hi-Sincerity Microelectronics |
| 313 | HJ1609 | ТРАНЗИСТОР NPN ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ ПЛОСКОСТНОЙ | Hi-Sincerity Microelectronics |
| 314 | HJ210 | ТРАНЗИСТОР PNP ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ ПЛОСКОСТНОЙ | Hi-Sincerity Microelectronics |
| 315 | HJ2584 | ТРАНЗИСТОР PNP ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ ПЛОСКОСТНОЙ | Hi-Sincerity Microelectronics |
| 316 | HJ2955 | ТРАНЗИСТОР PNP ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ ПЛОСКОСТНОЙ | Hi-Sincerity Microelectronics |
| 317 | HJ3055 | ТРАНЗИСТОР NPN ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ ПЛОСКОСТНОЙ | Hi-Sincerity Microelectronics |
| 318 | HJ31C | ТРАНЗИСТОР NPN ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ ПЛОСКОСТНОЙ | Hi-Sincerity Microelectronics |
| 319 | HJ32C | ТРАНЗИСТОР PNP ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ ПЛОСКОСТНОЙ | Hi-Sincerity Microelectronics |
| 320 | HJ340 | ТРАНЗИСТОР NPN ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ ПЛОСКОСТНОЙ | Hi-Sincerity Microelectronics |
| 321 | HJ350 | ТРАНЗИСТОР PNP ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ ПЛОСКОСТНОЙ | Hi-Sincerity Microelectronics |
| 322 | HJ3669 | ТРАНЗИСТОР NPN ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ ПЛОСКОСТНОЙ | Hi-Sincerity Microelectronics |
| 323 | HJ3953 | Излучатель для базового напряжения: 3В 200 мА NPN эпитаксиальный плоская транзистор | Hi-Sincerity Microelectronics |
| 324 | HJ42C | ТРАНЗИСТОР PNP ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ ПЛОСКОСТНОЙ | Hi-Sincerity Microelectronics |
| 325 | HJ44H11 | ТРАНЗИСТОР NPN ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ ПЛОСКОСТНОЙ | Hi-Sincerity Microelectronics |
| 326 | HJ45H11 | ТРАНЗИСТОР PNP ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ ПЛОСКОСТНОЙ | Hi-Sincerity Microelectronics |
| 327 | HJ47 | ТРАНЗИСТОР NPN ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ ПЛОСКОСТНОЙ | Hi-Sincerity Microelectronics |
| 328 | HJ50 | ТРАНЗИСТОР NPN ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ ПЛОСКОСТНОЙ | Hi-Sincerity Microelectronics |
| 329 | HJ649A | ТРАНЗИСТОР PNP ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ ПЛОСКОСТНОЙ | Hi-Sincerity Microelectronics |
| 330 | HJ6668 | ТРАНЗИСТОР PNP ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ ПЛОСКОСТНОЙ | Hi-Sincerity Microelectronics |
| 331 | HJ667A | ТРАНЗИСТОР PNP ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ ПЛОСКОСТНОЙ | Hi-Sincerity Microelectronics |
| 332 | HJ669A | ТРАНЗИСТОР NPN ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ ПЛОСКОСТНОЙ | Hi-Sincerity Microelectronics |
| 333 | HJ6718 | ТРАНЗИСТОР NPN ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ ПЛОСКОСТНОЙ | Hi-Sincerity Microelectronics |
| 334 | HJ772 | ТРАНЗИСТОР PNP ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ ПЛОСКОСТНОЙ | Hi-Sincerity Microelectronics |
| 335 | HJ882 | ТРАНЗИСТОР NPN ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ ПЛОСКОСТНОЙ | Hi-Sincerity Microelectronics |
| 336 | HLB120A | Транзисторы Высокого напряжения Типа NPN Втройне
Отраженные Плоскостные | Hi-Sincerity Microelectronics |
| 337 | HLB1211 | Транзисторы Высокого напряжения Типа NPN Втройне
Отраженные Плоскостные | Hi-Sincerity Microelectronics |
| 338 | HLB121I | ТРАНЗИСТОР ВЫСОКОГО НАПРЯЖЕНИЯ ТИПА NPN ВТРОЙНЕ
ОТРАЖЕННЫЙ ПЛОСКОСТНОЙ | Hi-Sincerity Microelectronics |
| 339 | HLB121J | Транзистор Высокого напряжения Типа NPN Втройне
Отраженный Плоскостной | Hi-Sincerity Microelectronics |
| 340 | HLB122I | Транзисторы Высокого напряжения Типа NPN Втройне
Отраженные Плоскостные | Hi-Sincerity Microelectronics |
| 341 | HLB122J | Транзистор Высокого напряжения Типа NPN Втройне
Отраженный Плоскостной | Hi-Sincerity Microelectronics |
| 342 | HLB122T | Транзистор Высокого напряжения Типа NPN Втройне
Отраженный Плоскостной | Hi-Sincerity Microelectronics |
| 343 | HLB123 | ТРАНЗИСТОР NPN ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ ПЛОСКОСТНОЙ | Hi-Sincerity Microelectronics |
| 344 | HLB123D | ТРАНЗИСТОР NPN ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ ПЛОСКОСТНОЙ | Hi-Sincerity Microelectronics |
| 345 | HLB123I | ТРАНЗИСТОР NPN ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ ПЛОСКОСТНОЙ | Hi-Sincerity Microelectronics |
| 346 | HLB123T | ТРАНЗИСТОР NPN ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ ПЛОСКОСТНОЙ | Hi-Sincerity Microelectronics |
| 347 | HLB124 | ТРАНЗИСТОР NPN ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ ПЛОСКОСТНОЙ | Hi-Sincerity Microelectronics |
| 348 | HLB124E | ТРАНЗИСТОР NPN ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ ПЛОСКОСТНОЙ | Hi-Sincerity Microelectronics |
| 349 | HLB125E | ТРАНЗИСТОР NPN ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ ПЛОСКОСТНОЙ | Hi-Sincerity Microelectronics |
| 350 | HM1300 | ПРИМЕНЕНИЯ УСИЛИТЕЛЯ СИЛЫ ТИПА КРЕМНИЯ PNP
ЭПИТАКСИАЛЬНЫЕ (ТРАНЗИСТОРА СИЛЫ DARLINGTON) | Hi-Sincerity Microelectronics |
| | | |
