|   Главная страница   |   Все производители   |   В функции   |  

Часть название, описание или производитель содержать:

   
Быстрый переход к:   1N  2N  2SA  2SC  74  AD  BA  BC  BD  BF  BU  CXA  HCF  IRF  KA  KIA  LA  LM  MC  NE  ST  STK  TDA  TL  UA  



Информация Найдено :: 4244 English Version for this page Version française pour cette page Deutsche Version für diese Seite Versione italiana per questa pagina Versão portuguese para esta página
НомерЧасть ИмяОписаниеПроизводитель
201GM71VS17403CT-7CMOS DRAM 4194304 слов х 4 бит, 3,3, 70 нсHynix Semiconductor
202GM71VS18163CJ-51M слов х 16 бит CMOS динамического ОЗУ, 3,3, 50 нсHynix Semiconductor
203GM71VS18163CJ-61M слов х 16 бит CMOS динамического ОЗУ, 3,3, 60 нсHynix Semiconductor
204GM71VS18163CJ-71M слов х 16 бит CMOS динамического ОЗУ, 3,3, 70 нсHynix Semiconductor
205GM71VS18163CLJ-51M слов х 16 бит CMOS динамического ОЗУ, 3,3, 50 нсHynix Semiconductor
206GM71VS18163CLJ-61M слов х 16 бит CMOS динамического ОЗУ, 3,3, 60 нсHynix Semiconductor
207GM71VS18163CLJ-71M слов х 16 бит CMOS динамического ОЗУ, 3,3, 70 нсHynix Semiconductor
208GM72V66841ELT-10K2.097.152 БИТ WORD x 8 x ШТОССЕЛЬ 4 КРЕНОВ ОДНОВРЕМЕННЫЙ ДИНАМИЧЕСКИЙHynix Semiconductor
209GM72V66841ELT-72.097.152 БИТ WORD x 8 x ШТОССЕЛЬ 4 КРЕНОВ ОДНОВРЕМЕННЫЙ ДИНАМИЧЕСКИЙHynix Semiconductor
210GM72V66841ELT-752.097.152 БИТ WORD x 8 x ШТОССЕЛЬ 4 КРЕНОВ ОДНОВРЕМЕННЫЙ ДИНАМИЧЕСКИЙHynix Semiconductor
211GM72V66841ELT-7J2.097.152 БИТ WORD x 8 x ШТОССЕЛЬ 4 КРЕНОВ ОДНОВРЕМЕННЫЙ ДИНАМИЧЕСКИЙHynix Semiconductor
212GM72V66841ELT-7K2.097.152 БИТ WORD x 8 x ШТОССЕЛЬ 4 КРЕНОВ ОДНОВРЕМЕННЫЙ ДИНАМИЧЕСКИЙHynix Semiconductor
213GM72V66841ELT-82.097.152 БИТ WORD x 8 x ШТОССЕЛЬ 4 КРЕНОВ ОДНОВРЕМЕННЫЙ ДИНАМИЧЕСКИЙHynix Semiconductor
214GM72V66841ET2.097.152 БИТ WORD x 8 x ШТОССЕЛЬ 4 КРЕНОВ ОДНОВРЕМЕННЫЙ ДИНАМИЧЕСКИЙHynix Semiconductor
215GM72V66841ET-72.097.152 БИТ WORD x 8 x ШТОССЕЛЬ 4 КРЕНОВ ОДНОВРЕМЕННЫЙ ДИНАМИЧЕСКИЙHynix Semiconductor
216GM72V66841ET-7K2.097.152 БИТ WORD x 8 x ШТОССЕЛЬ 4 КРЕНОВ ОДНОВРЕМЕННЫЙ ДИНАМИЧЕСКИЙHynix Semiconductor
217GM76C256Cсила cmos медленное SRAM бита 5.0V 32K x8 низкаяHynix Semiconductor
218GM76C256CEсила cmos медленное SRAM бита 5.0V 32K x8 низкаяHynix Semiconductor
219GM76C256CLсила cmos медленное SRAM бита 5.0V 32K x8 низкаяHynix Semiconductor
220GM76C256CLEсила cmos медленное SRAM бита 5.0V 32K x8 низкаяHynix Semiconductor
221GM76C256CLEFWсила cmos медленное SRAM бита 5.0V 32K x8 низкаяHynix Semiconductor
222GM76C256CLETсила cmos медленное SRAM бита 5.0V 32K x8 низкаяHynix Semiconductor
223GM76C256CLFWсила cmos медленное SRAM бита 5.0V 32K x8 низкаяHynix Semiconductor
224GM76C256CLLсила cmos медленное SRAM бита 5.0V 32K x8 низкаяHynix Semiconductor
225GM76C256CLLEсила cmos медленное SRAM бита 5.0V 32K x8 низкаяHynix Semiconductor
226GM76C256CLLEFWсила cmos медленное SRAM бита 5.0V 32K x8 низкаяHynix Semiconductor
227GM76C256CLLETсила cmos медленное SRAM бита 5.0V 32K x8 низкаяHynix Semiconductor
228GM76C256CLLFWсила cmos медленное SRAM бита 5.0V 32K x8 низкаяHynix Semiconductor
229GM76C256CLLTсила cmos медленное SRAM бита 5.0V 32K x8 низкаяHynix Semiconductor
230GM76C256CLTсила cmos медленное SRAM бита 5.0V 32K x8 низкаяHynix Semiconductor
231GM76U256Cсила cmos медленное SRAM бита 3.0V 32K x8 низкаяHynix Semiconductor
232GM76U256CEсила cmos медленное SRAM бита 3.0V 32K x8 низкаяHynix Semiconductor
233GM76U256CLсила cmos медленное SRAM бита 3.0V 32K x8 низкаяHynix Semiconductor
234GM76U256CLEсила cmos медленное SRAM бита 3.0V 32K x8 низкаяHynix Semiconductor
235GM76U256CLEFWсила cmos медленное SRAM бита 3.0V 32K x8 низкаяHynix Semiconductor
236GM76U256CLETсила cmos медленное SRAM бита 3.0V 32K x8 низкаяHynix Semiconductor
237GM76U256CLFWсила cmos медленное SRAM бита 3.0V 32K x8 низкаяHynix Semiconductor
238GM76U256CLLсила cmos медленное SRAM бита 3.0V 32K x8 низкаяHynix Semiconductor
239GM76U256CLLEсила cmos медленное SRAM бита 3.0V 32K x8 низкаяHynix Semiconductor
240GM76U256CLLEFWсила cmos медленное SRAM бита 3.0V 32K x8 низкаяHynix Semiconductor
241GM76U256CLLETсила cmos медленное SRAM бита 3.0V 32K x8 низкаяHynix Semiconductor
242GM76U256CLLFWсила cmos медленное SRAM бита 3.0V 32K x8 низкаяHynix Semiconductor
243GM76U256CLLTсила cmos медленное SRAM бита 3.0V 32K x8 низкаяHynix Semiconductor
244GM76U256CLTсила cmos медленное SRAM бита 3.0V 32K x8 низкаяHynix Semiconductor
245GM76V256Cсила cmos медленное SRAM бита 3.3V 32K x8 низкаяHynix Semiconductor
246GM76V256CEсила cmos медленное SRAM бита 3.3V 32K x8 низкаяHynix Semiconductor
247GM76V256CLсила cmos медленное SRAM бита 3.3V 32K x8 низкаяHynix Semiconductor
248GM76V256CLEсила cmos медленное SRAM бита 3.3V 32K x8 низкаяHynix Semiconductor
249GM76V256CLEFWсила cmos медленное SRAM бита 3.3V 32K x8 низкаяHynix Semiconductor
250GM76V256CLETсила cmos медленное SRAM бита 3.3V 32K x8 низкаяHynix Semiconductor
251GM76V256CLFWсила cmos медленное SRAM бита 3.3V 32K x8 низкаяHynix Semiconductor
252GM76V256CLLсила cmos медленное SRAM бита 3.3V 32K x8 низкаяHynix Semiconductor
253GM76V256CLLEсила cmos медленное SRAM бита 3.3V 32K x8 низкаяHynix Semiconductor
254GM76V256CLLEFWсила cmos медленное SRAM бита 3.3V 32K x8 низкаяHynix Semiconductor
255GM76V256CLLETсила cmos медленное SRAM бита 3.3V 32K x8 низкаяHynix Semiconductor



256GM76V256CLLFWсила cmos медленное SRAM бита 3.3V 32K x8 низкаяHynix Semiconductor
257GM76V256CLLTсила cmos медленное SRAM бита 3.3V 32K x8 низкаяHynix Semiconductor
258GM76V256CLTсила cmos медленное SRAM бита 3.3V 32K x8 низкаяHynix Semiconductor
259GM82C765РЕГУЛЯТОР ПОДСИСТЕМЫ FLOPPY DISKHynix Semiconductor
260GM82C765BРЕГУЛЯТОР ПОДСИСТЕМЫ FLOPPY DISKHynix Semiconductor
261GMS30000EVA4-BIT ОПРЕДЕЛЯЮТ МИКРОКОМПЬЮТЕРЫ ОБЛОМОКАHynix Semiconductor
262GMS30000EVA4-BIT ОПРЕДЕЛЯЮТ МИКРОКОМПЬЮТЕРЫ ОБЛОМОКАHynix Semiconductor
263GMS300044-BIT ОПРЕДЕЛЯЮТ МИКРОКОМПЬЮТЕРЫ ОБЛОМОКАHynix Semiconductor
264GMS300124-BIT ОПРЕДЕЛЯЮТ МИКРОКОМПЬЮТЕРЫ ОБЛОМОКАHynix Semiconductor
265GMS301124-BIT ОПРЕДЕЛЯЮТ МИКРОКОМПЬЮТЕРЫ ОБЛОМОКАHynix Semiconductor
266GMS301204-BIT ОПРЕДЕЛЯЮТ МИКРОКОМПЬЮТЕРЫ ОБЛОМОКАHynix Semiconductor
267GMS301404-BIT ОПРЕДЕЛЯЮТ МИКРОКОМПЬЮТЕРЫ ОБЛОМОКАHynix Semiconductor
268GMS30C2116ПОТРЕБИТЕЛИ РУЧНЫЕHynix Semiconductor
269GMS30C2132ПОТРЕБИТЕЛИ РУЧНЫЕHynix Semiconductor
270GMS30C221616/32 БИТОВ RISC/DSPHynix Semiconductor
271GMS30C223216/32 БИТОВ RISC/DSPHynix Semiconductor
272GMS30C7201расхода энергии частоты деятельности 60MHz низкийHynix Semiconductor
273GMS340044-BIT ОПРЕДЕЛЯЮТ МИКРОКОМПЬЮТЕРЫ ОБЛОМОКАHynix Semiconductor
274GMS34004T4-BIT ОПРЕДЕЛЯЮТ МИКРОКОМПЬЮТЕРЫ ОБЛОМОКАHynix Semiconductor
275GMS34004TKПрограмма памяти: 512 байт, 300 кГц-500 кГц, 4-5 В, 4 разрядный однокристальный микрокомпьютерHynix Semiconductor
276GMS34004TK4-разрядный однокристальный микрокомпьютер. Программа памяти 512 байт. Память данных 32 х 4. Входные порты 4. Порты вывода 6. Рабочая чаHynix Semiconductor
277GMS34004TM4-разрядный однокристальный микрокомпьютер. Программа памяти 512 байт. Память данных 32 х 4. Входные порты 4. Порты вывода 6. Рабочая чаHynix Semiconductor
278GMS34004TMПрограмма памяти: 512 байт, 300 кГц-500 кГц, 4-5 В, 4 разрядный однокристальный микрокомпьютерHynix Semiconductor
279GMS34004TWПрограмма памяти: 512 байт, 300 кГц-500 кГц, 4-5 В, 4 разрядный однокристальный микрокомпьютерHynix Semiconductor
280GMS34004TW4-разрядный однокристальный микрокомпьютер. Программа памяти 512 байт. Память данных 32 х 4. Входные порты 4. Выходные порты 6. Рабочая Hynix Semiconductor
281GMS340124-BIT ОПРЕДЕЛЯЮТ МИКРОКОМПЬЮТЕРЫ ОБЛОМОКАHynix Semiconductor
282GMS341124-BIT ОПРЕДЕЛЯЮТ МИКРОКОМПЬЮТЕРЫ ОБЛОМОКАHynix Semiconductor
283GMS34112T4-BIT ОПРЕДЕЛЯЮТ МИКРОКОМПЬЮТЕРЫ ОБЛОМОКАHynix Semiconductor
284GMS34112TK4-разрядный однокристальный микрокомпьютер. Программа памяти 1,024 байт. Память данных 32 х 4. I / O порты 4. Входные порты 4. Выходные портHynix Semiconductor
285GMS34112TKПрограмма памяти: 1024 байт, 300 кГц-500 кГц, 4-5 В, 4 разрядный однокристальный микрокомпьютерHynix Semiconductor
286GMS34112TMПрограмма памяти: 1024 байт, 300 кГц-500 кГц, 4-5 В, 4 разрядный однокристальный микрокомпьютерHynix Semiconductor
287GMS34112TM4-разрядный однокристальный микрокомпьютер. Программа памяти 1,024 байт. Память данных 32 х 4. I / O порты 4. Входные порты 4. Выходные портHynix Semiconductor
288GMS34112TW4-разрядный однокристальный микрокомпьютер. Программа памяти 1,024 байт. Память данных 32 х 4. I / O порты 4. Входные порты 4. Выходные портHynix Semiconductor
289GMS34112TWПрограмма памяти: 1024 байт, 300 кГц-500 кГц, 4-5 В, 4 разрядный однокристальный микрокомпьютерHynix Semiconductor
290GMS341204-BIT ОПРЕДЕЛЯЮТ МИКРОКОМПЬЮТЕРЫ ОБЛОМОКАHynix Semiconductor
291GMS341404-BIT ОПРЕДЕЛЯЮТ МИКРОКОМПЬЮТЕРЫ ОБЛОМОКАHynix Semiconductor
292GMS34140T4-BIT ОПРЕДЕЛЯЮТ МИКРОКОМПЬЮТЕРЫ ОБЛОМОКАHynix Semiconductor
293GMS34140TKПрограмма памяти: 1024 байт, 300 кГц-500 кГц, 4-5 В, 4 разрядный однокристальный микрокомпьютерHynix Semiconductor
294GMS34140TK4-разрядный однокристальный микрокомпьютер. Программа памяти 1,024 байт. Память данных 32 х 4. I / O порты 4. Входные порты 4. выходных портHynix Semiconductor
295GMS34140TMПрограмма памяти: 1024 байт, 300 кГц-500 кГц, 4-5 В, 4 разрядный однокристальный микрокомпьютерHynix Semiconductor
296GMS34140TM4-разрядный однокристальный микрокомпьютер. Программа памяти 1,024 байт. Память данных 32 х 4. I / O порты 4. Входные порты 4. выходных портHynix Semiconductor
297GMS34140TWПрограмма памяти: 1024 байт, 300 кГц-500 кГц, 4-5 В, 4 разрядный однокристальный микрокомпьютерHynix Semiconductor
298GMS34140TW4-разрядный однокристальный микрокомпьютер. Программа памяти 1,024 байт. Память данных 32 х 4. I / O порты 4. Входные порты 4. выходных портHynix Semiconductor
299GMS364-BIT ОПРЕДЕЛЯЮТ МИКРОКОМПЬЮТЕРЫ ОБЛОМОКАHynix Semiconductor
300GMS360044-BIT ОПРЕДЕЛЯЮТ МИКРОКОМПЬЮТЕРЫ ОБЛОМОКАHynix Semiconductor

Страница: | 1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 | 7 | 8 | 9 | 10 | 11 | 12 | 13 | 14 | 15 | 16 | 17 | 18 | 19 | 20 | 21 | 22 | 23 | 24 | 25 | 26 | 27 | 28 | 29 | 30 | 31 | 32 | 33 | 34 | 35 | 36 | 37 | 38 | 39 | 40 | 41 | 42 | 43 |


© 2023    www.datasheetcatalog.net/ru/hynixsemiconductor/1/