| Номер | Часть Имя | Описание | Производитель |
| 1021281 | PSMN004-25B | транзистор TrenchMOS уровня логики Н-kanala | Philips |
| 1021282 | PSMN004-25P | транзистор TrenchMOS уровня логики Н-kanala | Philips |
| 1021283 | PSMN004-36B | транзистор field-effect режима повышения
Н-kanala | Philips |
| 1021284 | PSMN004-36P | транзистор field-effect режима повышения
Н-kanala | Philips |
| 1021285 | PSMN004-55W | транзистор TrenchMOS(tm) уровня логики
Н-kanala | Philips |
| 1021286 | PSMN004-60B | транзистор field-effect режима повышения
Н-kanala | Philips |
| 1021287 | PSMN004-60B | транзистор field-effect режима повышения
Н-kanala | Philips |
| 1021288 | PSMN004-60B | N-канальный TrenchMOS SiliconMAX стандартный уровень FET | NXP Semiconductors |
| 1021289 | PSMN004-60P | транзистор field-effect режима повышения
Н-kanala | Philips |
| 1021290 | PSMN004-60P | транзистор field-effect режима повышения
Н-kanala | Philips |
| 1021291 | PSMN005-25D | транзистор TrenchMOS(tm) уровня логики
Н-kanala | Philips |
| 1021292 | PSMN005-30K | Fet уровня логики TrenchMOS(tm) | Philips |
| 1021293 | PSMN005-30K | N-канальный TrenchMOS SiliconMAX логический уровень FET | NXP Semiconductors |
| 1021294 | PSMN005-55B | транзистор TrenchMOS(tm) уровня логики
Н-kanala | Philips |
| 1021295 | PSMN005-55P | транзистор TrenchMOS(tm) уровня логики
Н-kanala | Philips |
| 1021296 | PSMN005-75B | транзистор field-effect режима повышения
Н-kanala | Philips |
| 1021297 | PSMN005-75B | транзистор field-effect режима повышения
Н-kanala | Philips |
| 1021298 | PSMN005-75B | N-канальный TrenchMOS SiliconMAX стандартный уровень FET | NXP Semiconductors |
| 1021299 | PSMN005-75P | транзистор field-effect режима повышения
Н-kanala | Philips |
| 1021300 | PSMN005-75P | транзистор field-effect режима повышения
Н-kanala | Philips |
| 1021301 | PSMN005-75P | N-канальный TrenchMOS SiliconMAX стандартный уровень FET | NXP Semiconductors |
| 1021302 | PSMN006-20K | Fet ультра низкого уровня TrenchMOS(tm) | Philips |
| 1021303 | PSMN006-20K | N-канальный TrenchMOS SiliconMAX ультра FET низкий уровень | NXP Semiconductors |
| 1021304 | PSMN008-75B | транзистор field-effect режима повышения
Н-kanala | Philips |
| 1021305 | PSMN008-75B | N-канальный TrenchMOS SiliconMAX стандартный уровень FET | NXP Semiconductors |
| 1021306 | PSMN008-75P | транзистор field-effect режима повышения
Н-kanala | Philips |
| 1021307 | PSMN009-100B | транзистор field-effect режима повышения
Н-kanala | Philips |
| 1021308 | PSMN009-100B | N-канальный TrenchMOS SiliconMAX стандартный уровень FET | NXP Semiconductors |
| 1021309 | PSMN009-100P | транзистор field-effect режима повышения
Н-kanala | Philips |
| 1021310 | PSMN009-100P | N-канальный TrenchMOS SiliconMAX стандартный уровень FET | NXP Semiconductors |
| 1021311 | PSMN009-100W | Fet стандартный уровень транзистора
TrenchMOS | Philips |
| 1021312 | PSMN009-100W | транзистор TrenchMOS Н-kanala | Philips |
| 1021313 | PSMN010-25YLC | N-канальный V 10.6 мОм логический уровень MOSFET 25 в LFPAK с использованием технологии NextPower | NXP Semiconductors |
| 1021314 | PSMN010-55D | транзистор TrenchMOS(tm) уровня логики
Н-kanala | Philips |
| 1021315 | PSMN011-30YL | N-канальный 10,7 мОм 30 В TrenchMOS логический уровень FET в LFPAK | NXP Semiconductors |
| 1021316 | PSMN011-30YLC | N-канальный V 11.6 мОм логический уровень MOSFET 30 в LFPAK с использованием технологии NextPower | NXP Semiconductors |
| 1021317 | PSMN011-60ML | N-канальный V 11.3 мОм логический уровень MOSFET 60 в LFPAK33 | NXP Semiconductors |
| 1021318 | PSMN011-60MS | N-канальный 60 В 11,3 мОм стандартный уровень MOSFET в LFPAK33 | NXP Semiconductors |
| 1021319 | PSMN011-80YS | N-канальный LFPAK 80 В 11 мОм стандартный уровень MOSFET | NXP Semiconductors |
| 1021320 | PSMN012-100YS | N-канальный 100V 12mΩ стандартный уровень MOSFET в LFPAK | NXP Semiconductors |
| | | |
