| Номер | Часть Имя | Описание | Производитель |
| 1162601 | STB25NM60NT4 | Mosfet MDmesh ПОКОЛЕНИЯ N-CHANNEL
650 @Tjmax-0.140&-20A
TO-220/TO-220FP/D2PAK/I2PAK/TO-247 ВТОРОГО | ST Microelectronics |
| 1162602 | STB26NM60N | N-канальный 600 В, 0,135 Ом тип., 20 MDmesh (TM) II Мощность MOSFET в D2PAK пакета | ST Microelectronics |
| 1162603 | STB26NM60ND | N-канальный 600 В, 0,145 Ом тип., 21 FDmesh (TM) II Мощность MOSFET (с быстрым диодом) в D2PAK пакета | ST Microelectronics |
| 1162604 | STB270N4F3 | N-канальный 40 В, 1,6 мОм ном., 160 STripFET (TM) III PowerMOSFET в D2PAK пакета | ST Microelectronics |
| 1162605 | STB27NM60ND | N-канальный 600 В, 0,13 Ом, 21 FDmesh (TM) II Мощность MOSFET (с быстрым диодом) в D2PAK | ST Microelectronics |
| 1162606 | STB28N60M2 | N-канальный 600 В, 0,135 Ом тип., 22 MDmesh II Plus (TM) низкие Qg Полевые транзисторы в D2PAK пакета | ST Microelectronics |
| 1162607 | STB28NM50N | N-канальный 500 В, 0,135 Ом тип., 21 MDmesh (TM) II Мощность MOSFET в D2PAK пакета | ST Microelectronics |
| 1162608 | STB28NM60ND | N-канальный 600 В, 0,120 Ом тип., 24 FDmesh (TM) II Мощность MOSFET (с быстрым диодом) в D2PAK пакета | ST Microelectronics |
| 1162609 | STB2N62K3 | N-канальный 620 В, 3 Ом, 2,2, D2PAK SuperMESH3 (TM) Мощность MOSFET | ST Microelectronics |
| 1162610 | STB3015 | Н - КАНАЛ 30V - 0.013 ома - 40A -
mosfet СИЛЫ D2PAK/TO-220 STripFETO | ST Microelectronics |
| 1162611 | STB3015 | Н - КАНАЛ 30V - 0.013 ома - 40A -
mosfet СИЛЫ D2PAK/TO-220 STripFETO | ST Microelectronics |
| 1162612 | STB3015L | N-CHANNEL 30V - 0.013 ОМА - MOSFET
СИЛЫ 40A D2PAK/TO-220 STRIPFET | ST Microelectronics |
| 1162613 | STB3015L | Н - КАНАЛ 30V - 0.013 Ш - 40A -
Mosfet СИЛЫ Д 2 PAK/TO-220 STripFET | SGS Thomson Microelectronics |
| 1162614 | STB3015L | N-CHANNEL 30V - 0.013 ОМА - MOSFET
СИЛЫ 40A D2PAK/TO-220 STRIPFET | SGS Thomson Microelectronics |
| 1162615 | STB3020L | Н - КАНАЛ 30V - 0.019W - 40A -
Mosfet СИЛЫ Д 2 PAK STripFET | SGS Thomson Microelectronics |
| 1162616 | STB30N10 | СТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО
DESIGN-IN | ST Microelectronics |
| 1162617 | STB30N10 | СТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО
DESIGN-IN | SGS Thomson Microelectronics |
| 1162618 | STB30N10 | Н - КАНАЛ 100V - 0.06ЈOhm - 30A -
ТРАНЗИСТОР Mos СИЛЫ Д 2 PAK | SGS Thomson Microelectronics |
| 1162619 | STB30N65M5 | N-канальный 650 В, 0,125 Ом, 22, MDmesh (TM) V Мощность MOSFET D2PAK | ST Microelectronics |
| 1162620 | STB30NE06L | N-CHANNEL 60V - 0.35 ОМА - MOSFET
СИЛЫ 30A D2PAK STRIPFET | ST Microelectronics |
| 1162621 | STB30NE06L | N-CHANNEL 60V - 0.35 ОМА - MOSFET
СИЛЫ 30A D2PAK STRIPFET | SGS Thomson Microelectronics |
| 1162622 | STB30NE06L | Н - КАНАЛ 60V - 0.35 Ома - 30A -
Mosfet СИЛЫ Д 2 PAK STripFET | SGS Thomson Microelectronics |
| 1162623 | STB30NF10 | MOSFET СИЛЫ II ОБЯЗАННОСТИ STRIPFET
СТРОБА ОМА 35ЈA TO-220/TO-220FP/D2PAK N-CHANNEL
100V 0.038 НИЗКИЙ | ST Microelectronics |
| 1162624 | STB30NF10 | MOSFET СИЛЫ II ОБЯЗАННОСТИ STRIPFET
СТРОБА ОМА 35ЈA TO-220/TO-220FP/D2PAK N-CHANNEL
100V 0.038 НИЗКИЙ | SGS Thomson Microelectronics |
| 1162625 | STB30NF10T4 | MOSFET СИЛЫ II ОБЯЗАННОСТИ STRIPFET
СТРОБА ОМА 35ЈA TO-220/TO-220FP/D2PAK N-CHANNEL
100V 0.038 НИЗКИЙ | ST Microelectronics |
| 1162626 | STB30NF20 | N-канальный 200 В, 0,065 Ом, 30, D2PAK STripFET (TM) Мощность MOSFET | ST Microelectronics |
| 1162627 | STB30NF20L | N-канальный 200 В, 0,065 Ом, 30, D2PAK STripFET (TM) Мощность MOSFET | ST Microelectronics |
| 1162628 | STB30NS15 | N-CHANNEL 150V - 0.075 ОМА - MOSFET
СИЛЫ ОБЯЗАННОСТИ STRIPFET СТРОБА 30A D2PAK НИЗКИЙ | ST Microelectronics |
| 1162629 | STB31N65M5 | N-канальный 650 В, 0,124 Ом, 22 MDmesh (TM) V Мощность MOSFET в D2PAK пакета | ST Microelectronics |
| 1162630 | STB32N65M5 | N-канальный 650 В, 0,095 Ом, 24, MDmesh (TM) V Мощность MOSFET в D2PAK | ST Microelectronics |
| 1162631 | STB32NM50N | N-канальный 500 В, 0,1 Ом тип., 22 MDmesh (TM) II Мощность MOSFET в D2PAK пакета | ST Microelectronics |
| 1162632 | STB33N60M2 | N-канальный 600 В, 0,108 Ом тип., 26 MDmesh II Plus (TM) низкие Qg Полевые транзисторы в D2PAK пакета | ST Microelectronics |
| 1162633 | STB34N65M5 | N-канальный 650 В, 0,09 Ом, 28 MDmesh (TM) V Мощность MOSFET в D2PAK пакета | ST Microelectronics |
| 1162634 | STB34NM60N | N-канальный 600 В, 0,092 Ом, 29, MDmesh (TM) II Мощность MOSFET в D2PAK | ST Microelectronics |
| 1162635 | STB34NM60ND | N-канальный 600 В, 0,097 Ом, 29 FDmesh (TM) II Мощность MOSFET (с быстрым диодом) D2PAK | ST Microelectronics |
| 1162636 | STB35N65M5 | N-канальный 650 В, 0,085 Ом, 27, MDmesh (TM) V Мощность MOSFET в D2PAK | ST Microelectronics |
| 1162637 | STB35NF10 | MOSFET СИЛЫ ОБЯЗАННОСТИ STRIPFET СТРОБА ОМА
40A TO-220/D2PAK N-CHANNEL 100V 0 030
НИЗКИЙ | ST Microelectronics |
| 1162638 | STB35NF10 | MOSFET СИЛЫ ОБЯЗАННОСТИ STRIPFET СТРОБА ОМА
40A TO-220/D2PAK N-CHANNEL 100V 0 030
НИЗКИЙ | SGS Thomson Microelectronics |
| 1162639 | STB35NF10T4 | MOSFET СИЛЫ ОБЯЗАННОСТИ STRIPFET СТРОБА ОМА
40A TO-220/D2PAK N-CHANNEL 100V 0 030
НИЗКИЙ | ST Microelectronics |
| 1162640 | STB36NF02L | N-CHANNEL 20V - 0.016 ОМА - 36ЈA -
MOSFET СИЛЫ ОБЯЗАННОСТИ STRIPFET СТРОБА D2PAK НИЗКИЙ | ST Microelectronics |
| | | |
