Номер | Часть Имя | Описание | Производитель |
1163881 | STD13N60M2 | N-канальный 600 В, 0,35 Ом тип., 11 MDmesh II Plus (TM) низкая Qg питания MOSFET в DPAK пакет | ST Microelectronics |
1163882 | STD13NM60N | N-канальный 600 В, 0,28 Ом тип., 11 MDmesh (TM) II Мощность MOSFET в DPAK пакет | ST Microelectronics |
1163883 | STD13NM60ND | N-канальный 600 В, 0,32 Ом тип., 11 FDmesh (TM) II Мощность MOSFET (с быстрым диодом) в DPAK пакет | ST Microelectronics |
1163884 | STD150 ASIC | Characteristics(Jan. 22. 2002) | Samsung Electronic |
1163885 | STD150 ASIC | Примитивное Flip/Flops | Samsung Electronic |
1163886 | STD150 ASIC | Примитивные Клетки Логики | Samsung Electronic |
1163887 | STD150 ASIC | Примитивный Обзор | Samsung Electronic |
1163888 | STD150 ASIC | Introduction(Jan. 22. 2002) | Samsung Electronic |
1163889 | STD150 ASIC | STD150 Брошюра Rev. 1.0 | Samsung Electronic |
1163890 | STD150 ASIC | Примитивные Защелки | Samsung Electronic |
1163891 | STD150 ASIC | Примитивные Miscellanies | Samsung Electronic |
1163892 | STD150 ASIC | Клетки I/O | Samsung Electronic |
1163893 | STD150 ASIC | Высокие Памяти Плотности | Samsung Electronic |
1163894 | STD150 ASIC | Timmings | Samsung Electronic |
1163895 | STD150 ASIC | PLL2108X (Jan 17, 2002) | Samsung Electronic |
1163896 | STD150 ASIC | Словарь сетноых-аналогов термин | Samsung Electronic |
1163897 | STD150 ASIC | Возможности Пакета | Samsung Electronic |
1163898 | STD150 ASIC | Клетки Ip I/O | Samsung Electronic |
1163899 | STD150 ASIC | Входной сигнал/Ые Клетки | Samsung Electronic |
1163900 | STD150 ASIC | Максимальное Fanouts | Samsung Electronic |
1163901 | STD150N3LLH6 | N-канальный 30 В, 0,0024 Ом, 80, DPAK питания MOSFET | ST Microelectronics |
1163902 | STD150NH02L | N-CHANNEL 24V - 0.0033 ОМА - MOSFET
150A CLIPPAK/IPAK STRIPFET III ДЛЯ
ПРЕОБРАЗОВАНИЯ DC-DC | ST Microelectronics |
1163903 | STD150NH02L | N-CHANNEL 24 - 0,0033 Ом - 150A CLIPPAK / IPAK STRIPFET III MOSFET ДЛЯ DC-DC КОНВЕРТАЦИИ | SGS Thomson Microelectronics |
1163904 | STD150NH02L-1 | N-CHANNEL 24V - 0.003 ОМА - MOSFET
150A CLIPPAK/IPAK STRIPFET III | ST Microelectronics |
1163905 | STD150NH02LT4 | N-CHANNEL 24V - 0.003 ОМА - MOSFET
150A CLIPPAK/IPAK STRIPFET III | ST Microelectronics |
1163906 | STD155N3H6 | N-канальный 30 В, 2,5 мОм, 80, DPAK STripFET (TM) VI DeepGATE (TM) Мощность MOSFET | ST Microelectronics |
1163907 | STD155N3LH6 | N-канальный 30 В, 0,0024 Ом, 80 STripFET (TM) VI DeepGATE (TM) Мощность MOSFET в DPAK пакет | ST Microelectronics |
1163908 | STD15N06 | СТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО
DESIGN-IN | ST Microelectronics |
1163909 | STD15N06 | СТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО
DESIGN-IN | SGS Thomson Microelectronics |
1163910 | STD15N06 | Н - ТРАНЗИСТОР Mos СИЛЫ РЕЖИМА ПОВЫШЕНИЯ
КАНАЛА | SGS Thomson Microelectronics |
1163911 | STD15N06L | СТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО
DESIGN-IN | ST Microelectronics |
1163912 | STD15N06L | СТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО
DESIGN-IN | SGS Thomson Microelectronics |
1163913 | STD15N06L | Н - ТРАНЗИСТОР Mos СИЛЫ НИЗКИЙА ПОРОГ
РЕЖИМА ПОВЫШЕНИЯ КАНАЛА | SGS Thomson Microelectronics |
1163914 | STD15N65M5 | N-канальный 650 В, 0,308 Ом, 11 MDmesh (TM) V MOSFET Власть в DPAK пакет | ST Microelectronics |
1163915 | STD15NF10 | N-CHANNEL 100V - 0.060 ОМА - MOSFET
СИЛЫ ОБЯЗАННОСТИ STRIPFET II СТРОБА 23ЈA DPAK
НИЗКИЙ | ST Microelectronics |
1163916 | STD15NF10 | N-CHANNEL 100V - 0.060 ОМА - MOSFET
СИЛЫ ОБЯЗАННОСТИ STRIPFET II СТРОБА 23ЈA DPAK
НИЗКИЙ | SGS Thomson Microelectronics |
1163917 | STD15NF10 | Н - КАНАЛ 100V - 0.073ЈOhm -
Mosfet СИЛЫ STripFET ОБЯЗАННОСТИ СТРОБА 15ЈA
TO-252 НИЗКИЙ | SGS Thomson Microelectronics |
1163918 | STD15NF10T4 | N-CHANNEL 100V - 0.060 ОМА - MOSFET
СИЛЫ ОБЯЗАННОСТИ STRIPFET II СТРОБА 23ЈA DPAK
НИЗКИЙ | ST Microelectronics |
1163919 | STD1664 | Транзистор Кремния Транзистора Кремния NPN
Плоскостной | AUK Corp |
1163920 | STD16N50M2 | N-канальный 500 В, 0,24 Ом тип., 13 MDmesh M2 питания MOSFET в DPAK пакет | ST Microelectronics |
| | | |