| Номер | Часть Имя | Описание | Производитель |
| 1175921 | STP21N06L | СТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО
DESIGN-IN | SGS Thomson Microelectronics |
| 1175922 | STP21N06LFI | СТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО
DESIGN-IN | ST Microelectronics |
| 1175923 | STP21N06LFI | Н - ТРАНЗИСТОР Mos СИЛЫ НИЗКИЙА ПОРОГ
РЕЖИМА ПОВЫШЕНИЯ КАНАЛА | SGS Thomson Microelectronics |
| 1175924 | STP21N06LFI | СТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО
DESIGN-IN | SGS Thomson Microelectronics |
| 1175925 | STP21N65M5 | N-канальный 650 В, 0,150 Ом, 17 MDmesh (TM) V MOSFET Власть в TO-220 | ST Microelectronics |
| 1175926 | STP21N90K5 | N-канальный 900 В, 0,25 Ом, 18,5 В-220 Зенера защищен SuperMESH (TM) 5 Мощность MOSFET | ST Microelectronics |
| 1175927 | STP21NM60ND | N-канальный 600 В, 0,17 Ом тип., 17, FDmesh (TM) II Мощность MOSFET (ничуть быстро диод) в TO-220 пакет | ST Microelectronics |
| 1175928 | STP22NE03 | Н - Mosfet СИЛЫ РАЗМЕРА ХАРАКТЕРИСТИКИ
РЕЖИМА ПОВЫШЕНИЯ КАНАЛА ОДИНОЧНЫЙ | ST Microelectronics |
| 1175929 | STP22NE03 | Н - Mosfet СИЛЫ РАЗМЕРА ХАРАКТЕРИСТИКИ
РЕЖИМА ПОВЫШЕНИЯ КАНАЛА ОДИНОЧНЫЙ | ST Microelectronics |
| 1175930 | STP22NE03L | MOSFET СИЛЫ РАЗМЕРА ХАРАКТЕРИСТИКИ РЕЖИМА
ПОВЫШЕНИЯ N-CHANNEL ОДИНОЧНЫЙ | ST Microelectronics |
| 1175931 | STP22NE03L | Н - РАЗМЕРА ХАРАКТЕРИСТИКИ РЕЖИМА ПОВЫШЕНИЯ
КАНАЛА "Mosfet СИЛЫ ОДИНОЧНОГО" | SGS Thomson Microelectronics |
| 1175932 | STP22NE10L | N-CHANNEL 55V - 0.07 ОМА - MOSFET
СИЛЫ 22ЈA STRIPFET | ST Microelectronics |
| 1175933 | STP22NE10L | Н - КАНАЛ 100V - 0.07 Ома - Mosfet
СИЛЫ 22ЈA TO-220 STripFET | SGS Thomson Microelectronics |
| 1175934 | STP22NF03L | MOSFET СИЛЫ ОМА 22ЈA TO-220
STRIPFET N-CHANNEL 30V 0.038 | ST Microelectronics |
| 1175935 | STP22NF03L | MOSFET СИЛЫ ОМА 22ЈA TO-220
STRIPFET N-CHANNEL 30V 0.038 | SGS Thomson Microelectronics |
| 1175936 | STP22NM50 | N-CHANNEL 500 В - 0.16 ОМА - 20
Mosfet СИЛЫ TO-220/FP/D2PAK/I2PAK MDMESH | ST Microelectronics |
| 1175937 | STP22NM50FP | N-CHANNEL 500 В - 0.16 ОМА - 20
Mosfet СИЛЫ TO-220/FP/D2PAK/I2PAK MDMESH | ST Microelectronics |
| 1175938 | STP22NM60 | N-CHANNEL 600 В - 0.19 ОМА - 22
Mosfet СИЛЫ TO-220/FP/D2PAK/I2PAK MDMESH | ST Microelectronics |
| 1175939 | STP22NM60FP | N-CHANNEL 600 В - 0.19 ОМА - 22
Mosfet СИЛЫ TO-220/FP/D2PAK/I2PAK MDMESH | ST Microelectronics |
| 1175940 | STP22NM60N | N-канальный 600 В, 0,2 Ом, 16 MDmesh (TM) II Мощность MOSFET в TO-220 | ST Microelectronics |
| 1175941 | STP22NS25Z | ОМ 22ЈA TO-220 N-CHANNEL 250V
0.13/$$ET-MOSFET ВЕРХНЕГО СЛОЯ СЕТКИ D2PAK
ZENER-PROTECTED | ST Microelectronics |
| 1175942 | STP23NM50N | N-канальный 500 В, 0,162 Ом, 17, К-220 MDmesh (TM) II на MOSFET | ST Microelectronics |
| 1175943 | STP23NM60ND | N-канальный 600 В, 0,150 Ом, 19,5, FDmesh II Мощность MOSFET (с быстрым диодом) TO-220 | ST Microelectronics |
| 1175944 | STP240N10F7 | N-канальный 100 В, 2,5 мОм ном., 180 STripFET (TM) VI DeepGATE (TM) Мощность MOSFET в TO-220 корпусе | ST Microelectronics |
| 1175945 | STP24DP05 | 24-битный постоянного тока светодиодный драйвер раковина с обнаружением выход ошибки | ST Microelectronics |
| 1175946 | STP24DP05BTR | 24-битный постоянного тока светодиодный драйвер раковина с обнаружением выход ошибки | ST Microelectronics |
| 1175947 | STP24N60DM2 | N-канальный 600 В, 0,175 Ом тип., 18 FDmesh II Plus (TM) низкая Qg питания MOSFET в TO-220 корпусе | ST Microelectronics |
| 1175948 | STP24N60M2 | N-канальный 600 В, 0,168 Ом тип., 18 MDmesh II Plus (TM) низкая Qg питания MOSFET в TO-220 корпусе | ST Microelectronics |
| 1175949 | STP24NF10 | N-CHANNEL 100V - 0.055 ОМА - 26ЈA
TO-220/$$ET-MOSFET СИЛЫ ОБЯЗАННОСТИ STRIPFET II СТРОБА
D2PAK НИЗКИЙ | ST Microelectronics |
| 1175950 | STP24NF10 | Н - КАНАЛ 100V - 0.07Ohm - Mosfet
СИЛЫ STripFET ОБЯЗАННОСТИ СТРОБА 24ЈA TO-220 НИЗКИЙ | SGS Thomson Microelectronics |
| 1175951 | STP24NM60N | N-канальный 600 В, 0,168 Ом, 17 MDmesh (TM) II Мощность MOSFET TO-220 | ST Microelectronics |
| 1175952 | STP25N06 | СТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО
DESIGN-IN | ST Microelectronics |
| 1175953 | STP25N06 | Н - ТРАНЗИСТОР Mos СИЛЫ РЕЖИМА ПОВЫШЕНИЯ
КАНАЛА | SGS Thomson Microelectronics |
| 1175954 | STP25N06FI | СТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО
DESIGN-IN | ST Microelectronics |
| 1175955 | STP25N06FI | Н - ТРАНЗИСТОР Mos СИЛЫ РЕЖИМА ПОВЫШЕНИЯ
КАНАЛА | SGS Thomson Microelectronics |
| 1175956 | STP25N10F7 | N-канальный 100 В, 0,027 Ом тип., 25, STripFET (TM) VII DeepGATE (TM) Мощность MOSFET в TO-220 корпусе | ST Microelectronics |
| 1175957 | STP25N80K5 | N-канальный 800 В, 0,19 Ом тип., 19,5 SuperMESH (TM) 5 Мощность MOSFET в TO-220 пакет | ST Microelectronics |
| 1175958 | STP25NM50N | N-CHANNEL 550V @ TjMAX - 0.12 Ома -
21.5 Mosfet MDmesh ПОКОЛЕНИЯ А
TO-220/TO-220FP/D2PAK/I2PAK/TO-247 ВТОРОГО | ST Microelectronics |
| 1175959 | STP25NM60N | Mosfet MDmesh ПОКОЛЕНИЯ N-CHANNEL
650 @Tjmax-0.140&-20A
TO-220/TO-220FP/D2PAK/I2PAK/TO-247 ВТОРОГО | ST Microelectronics |
| 1175960 | STP25NM60ND | N-канальный 600 В, 0,13 Ом тип., 21 FDmesh (TM) II Мощность MOSFET (с быстрым диодом) в К-220 пакета | ST Microelectronics |
| | | |
