| Номер | Часть Имя | Описание | Производитель |
| 1175961 | STP260N6F6 | N-канальный 60 V, 0,0024 Ом, 120 STripFET (TM) VI DeepGATE (TM) Мощность MOSFET в TO-220 корпусе | ST Microelectronics |
| 1175962 | STP26NM60N | N-канальный 600 В, 0,135 Ом тип., 20 MDmesh (TM) II Мощность MOSFET в TO-220 пакет | ST Microelectronics |
| 1175963 | STP26NM60ND | N-канальный 600 В, 0,145 Ом тип., 21 FDmesh (TM) II Мощность MOSFET (с быстрым диодом) в К-220 пакета | ST Microelectronics |
| 1175964 | STP270N8F7 | N-канальный 80 В, 2,1 мОм ном., 180 STripFET (TM) VII DeepGATE (TM) Мощность MOSFET в TO-220 корпусе | ST Microelectronics |
| 1175965 | STP27N3LH5 | N-канальный 30 В, 0,014 Ом, 27, К-220 STripFET (TM) V Мощность MOSFET | ST Microelectronics |
| 1175966 | STP28N60M2 | N-канальный 600 В, 0,135 Ом тип., 22 MDmesh II Plus (TM) низкая Qg Полевые транзисторы в TO-220 корпусе | ST Microelectronics |
| 1175967 | STP28NM50N | N-канальный 500 В, 0,135 Ом тип., 21 MDmesh (TM) II Мощность MOSFET в TO-220 пакет | ST Microelectronics |
| 1175968 | STP28NM60ND | N-канальный 600 В, 0,120 Ом тип., 24 FDmesh (TM) II Мощность MOSFET (с быстрым диодом) в К-220 пакета | ST Microelectronics |
| 1175969 | STP2CMP | Низкое напряжение 2-канальный постоянный ток светодиодный драйвер с зарядом насоса | ST Microelectronics |
| 1175970 | STP2CMPQTR | Низкое напряжение 2-канальный постоянный ток светодиодный драйвер с зарядом насоса | ST Microelectronics |
| 1175971 | STP2HNC60 | MOSFET ОМА 2.2ЈA TO-220/TO-220FP
POWERMESH II N-CHANNEL 600V 4 | ST Microelectronics |
| 1175972 | STP2HNC60 | MOSFET ОМА 2.2ЈA TO-220/TO-220FP
POWERMESH II N-CHANNEL 600V 4 | SGS Thomson Microelectronics |
| 1175973 | STP2HNC60FP | MOSFET ОМА 2.2ЈA TO-220/TO-220FP
POWERMESH II N-CHANNEL 600V 4 | ST Microelectronics |
| 1175974 | STP2HNC60FP | MOSFET ОМА 2.2ЈA TO-220/TO-220FP
POWERMESH II N-CHANNEL 600V 4 | SGS Thomson Microelectronics |
| 1175975 | STP2N60 | СТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО
DESIGN-IN | ST Microelectronics |
| 1175976 | STP2N60 | Н - ТРАНЗИСТОР Mos СИЛЫ РЕЖИМА ПОВЫШЕНИЯ
КАНАЛА | SGS Thomson Microelectronics |
| 1175977 | STP2N60 | СТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО
DESIGN-IN | SGS Thomson Microelectronics |
| 1175978 | STP2N60FI | СТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО
DESIGN-IN | ST Microelectronics |
| 1175979 | STP2N60FI | Н - ТРАНЗИСТОР Mos СИЛЫ РЕЖИМА ПОВЫШЕНИЯ
КАНАЛА | SGS Thomson Microelectronics |
| 1175980 | STP2N60FI | СТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО
DESIGN-IN | SGS Thomson Microelectronics |
| 1175981 | STP2N62K3 | N-канальный 620 В, 3 Ом, 2,2, К-220 SuperMESH3 (TM) Мощность MOSFET | ST Microelectronics |
| 1175982 | STP2N80 | СТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО
DESIGN-IN | ST Microelectronics |
| 1175983 | STP2N80 | Н - ТРАНЗИСТОР Mos СИЛЫ РЕЖИМА ПОВЫШЕНИЯ
КАНАЛА | SGS Thomson Microelectronics |
| 1175984 | STP2N80 | СТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО
DESIGN-IN | SGS Thomson Microelectronics |
| 1175985 | STP2N80FI | СТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО
DESIGN-IN | ST Microelectronics |
| 1175986 | STP2N80FI | Н - ТРАНЗИСТОР Mos СИЛЫ РЕЖИМА ПОВЫШЕНИЯ
КАНАЛА | SGS Thomson Microelectronics |
| 1175987 | STP2N80FI | СТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО
DESIGN-IN | SGS Thomson Microelectronics |
| 1175988 | STP2N80K5 | N-канальный 800 В, 3,5 Ом тип., 2 стабилитрона защищен SuperMESH (TM) 5 Мощность MOSFET в TO-220 корпусе | ST Microelectronics |
| 1175989 | STP2N95K5 | N-канальный 950 В, 4,2 Ом тип., 2 стабилитрона защищен SuperMESH (TM) 5 Мощность MOSFET в TO-220 корпусе | ST Microelectronics |
| 1175990 | STP2NA50 | СТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО
DESIGN-IN | ST Microelectronics |
| 1175991 | STP2NA50 | Н - ТРАНЗИСТОР Mos СИЛЫ РЕЖИМА ПОВЫШЕНИЯ
КАНАЛА | SGS Thomson Microelectronics |
| 1175992 | STP2NA50 | СТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО
DESIGN-IN | SGS Thomson Microelectronics |
| 1175993 | STP2NA50FI | СТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО
DESIGN-IN | ST Microelectronics |
| 1175994 | STP2NA50FI | Н - ТРАНЗИСТОР Mos СИЛЫ РЕЖИМА ПОВЫШЕНИЯ
КАНАЛА | SGS Thomson Microelectronics |
| 1175995 | STP2NA50FI | СТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО
DESIGN-IN | SGS Thomson Microelectronics |
| 1175996 | STP2NC60 | MOSFET ОМА 1.9A TO-220/TO-220FP
POWERMESH II N-CHANNEL 600V 7 | ST Microelectronics |
| 1175997 | STP2NC60 | MOSFET ОМА 1.9A TO-220/TO-220FP
POWERMESH II N-CHANNEL 600V 7 | SGS Thomson Microelectronics |
| 1175998 | STP2NC60FP | MOSFET ОМА 1.9A TO-220/TO-220FP
POWERMESH II N-CHANNEL 600V 7 | ST Microelectronics |
| 1175999 | STP2NC60FP | MOSFET ОМА 1.9A TO-220/TO-220FP
POWERMESH II N-CHANNEL 600V 7 | SGS Thomson Microelectronics |
| 1176000 | STP2NC70Z | MOSFET ОМА 1.4ЈA
TO-220/TO-220FP/DPAK/IPAK ZENER-PROTECTED POWERMESH
III N-CHANNEL 700V 7.3 | ST Microelectronics |
| | | |
