|   Главная страница   |   Все производители   |   В функции   |  

Часть название, описание или производитель содержать:

   
Быстрый переход к:   1N  2N  2SA  2SC  74  AD  BA  BC  BD  BF  BU  CXA  HCF  IRF  KA  KIA  LA  LM  MC  NE  ST  STK  TDA  TL  UA  



Информация Найдено :: 1351360Страница: << | 29395 | 29396 | 29397 | 29398 | 29399 | 29400 | 29401 | 29402 | 29403 | 29404 | 29405 | >>
НомерЧасть ИмяОписаниеПроизводитель
1175961STP260N6F6N-канальный 60 V, 0,0024 Ом, 120 STripFET (TM) VI DeepGATE (TM) Мощность MOSFET в TO-220 корпусеST Microelectronics
1175962STP26NM60NN-канальный 600 В, 0,135 Ом тип., 20 MDmesh (TM) II Мощность MOSFET в TO-220 пакетST Microelectronics
1175963STP26NM60NDN-канальный 600 В, 0,145 Ом тип., 21 FDmesh (TM) II Мощность MOSFET (с быстрым диодом) в К-220 пакетаST Microelectronics
1175964STP270N8F7N-канальный 80 В, 2,1 мОм ном., 180 STripFET (TM) VII DeepGATE (TM) Мощность MOSFET в TO-220 корпусеST Microelectronics
1175965STP27N3LH5N-канальный 30 В, 0,014 Ом, 27, К-220 STripFET (TM) V Мощность MOSFETST Microelectronics
1175966STP28N60M2N-канальный 600 В, 0,135 Ом тип., 22 MDmesh II Plus (TM) низкая Qg Полевые транзисторы в TO-220 корпусеST Microelectronics
1175967STP28NM50NN-канальный 500 В, 0,135 Ом тип., 21 MDmesh (TM) II Мощность MOSFET в TO-220 пакетST Microelectronics
1175968STP28NM60NDN-канальный 600 В, 0,120 Ом тип., 24 FDmesh (TM) II Мощность MOSFET (с быстрым диодом) в К-220 пакетаST Microelectronics
1175969STP2CMPНизкое напряжение 2-канальный постоянный ток светодиодный драйвер с зарядом насосаST Microelectronics
1175970STP2CMPQTRНизкое напряжение 2-канальный постоянный ток светодиодный драйвер с зарядом насосаST Microelectronics
1175971STP2HNC60MOSFET ОМА 2.2ЈA TO-220/TO-220FP POWERMESH II N-CHANNEL 600V 4ST Microelectronics
1175972STP2HNC60MOSFET ОМА 2.2ЈA TO-220/TO-220FP POWERMESH II N-CHANNEL 600V 4SGS Thomson Microelectronics
1175973STP2HNC60FPMOSFET ОМА 2.2ЈA TO-220/TO-220FP POWERMESH II N-CHANNEL 600V 4ST Microelectronics
1175974STP2HNC60FPMOSFET ОМА 2.2ЈA TO-220/TO-220FP POWERMESH II N-CHANNEL 600V 4SGS Thomson Microelectronics
1175975STP2N60СТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО DESIGN-INST Microelectronics
1175976STP2N60Н - ТРАНЗИСТОР Mos СИЛЫ РЕЖИМА ПОВЫШЕНИЯ КАНАЛАSGS Thomson Microelectronics
1175977STP2N60СТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО DESIGN-INSGS Thomson Microelectronics
1175978STP2N60FIСТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО DESIGN-INST Microelectronics
1175979STP2N60FIН - ТРАНЗИСТОР Mos СИЛЫ РЕЖИМА ПОВЫШЕНИЯ КАНАЛАSGS Thomson Microelectronics
1175980STP2N60FIСТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО DESIGN-INSGS Thomson Microelectronics
1175981STP2N62K3N-канальный 620 В, 3 Ом, 2,2, К-220 SuperMESH3 (TM) Мощность MOSFETST Microelectronics
1175982STP2N80СТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО DESIGN-INST Microelectronics
1175983STP2N80Н - ТРАНЗИСТОР Mos СИЛЫ РЕЖИМА ПОВЫШЕНИЯ КАНАЛАSGS Thomson Microelectronics
1175984STP2N80СТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО DESIGN-INSGS Thomson Microelectronics
1175985STP2N80FIСТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО DESIGN-INST Microelectronics
1175986STP2N80FIН - ТРАНЗИСТОР Mos СИЛЫ РЕЖИМА ПОВЫШЕНИЯ КАНАЛАSGS Thomson Microelectronics
1175987STP2N80FIСТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО DESIGN-INSGS Thomson Microelectronics
1175988STP2N80K5N-канальный 800 В, 3,5 Ом тип., 2 стабилитрона защищен SuperMESH (TM) 5 Мощность MOSFET в TO-220 корпусеST Microelectronics
1175989STP2N95K5N-канальный 950 В, 4,2 Ом тип., 2 стабилитрона защищен SuperMESH (TM) 5 Мощность MOSFET в TO-220 корпусеST Microelectronics
1175990STP2NA50СТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО DESIGN-INST Microelectronics
1175991STP2NA50Н - ТРАНЗИСТОР Mos СИЛЫ РЕЖИМА ПОВЫШЕНИЯ КАНАЛАSGS Thomson Microelectronics
1175992STP2NA50СТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО DESIGN-INSGS Thomson Microelectronics
1175993STP2NA50FIСТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО DESIGN-INST Microelectronics
1175994STP2NA50FIН - ТРАНЗИСТОР Mos СИЛЫ РЕЖИМА ПОВЫШЕНИЯ КАНАЛАSGS Thomson Microelectronics
1175995STP2NA50FIСТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО DESIGN-INSGS Thomson Microelectronics
1175996STP2NC60MOSFET ОМА 1.9A TO-220/TO-220FP POWERMESH II N-CHANNEL 600V 7ST Microelectronics
1175997STP2NC60MOSFET ОМА 1.9A TO-220/TO-220FP POWERMESH II N-CHANNEL 600V 7SGS Thomson Microelectronics
1175998STP2NC60FPMOSFET ОМА 1.9A TO-220/TO-220FP POWERMESH II N-CHANNEL 600V 7ST Microelectronics
1175999STP2NC60FPMOSFET ОМА 1.9A TO-220/TO-220FP POWERMESH II N-CHANNEL 600V 7SGS Thomson Microelectronics
1176000STP2NC70ZMOSFET ОМА 1.4ЈA TO-220/TO-220FP/DPAK/IPAK ZENER-PROTECTED POWERMESH III N-CHANNEL 700V 7.3ST Microelectronics
Информация Найдено :: 1351360Страница: << | 29395 | 29396 | 29397 | 29398 | 29399 | 29400 | 29401 | 29402 | 29403 | 29404 | 29405 | >>
English Version for this page Version franaise pour cette page Deutsche Version fr diese Seite Verso portuguese para esta pgina



© 2021 - www.DatasheetCatalog.com