| Номер | Часть Имя | Описание | Производитель |
| 1181001 | STW50N10 | Н - ТРАНЗИСТОР Mos СИЛЫ РЕЖИМА ПОВЫШЕНИЯ
КАНАЛА | SGS Thomson Microelectronics |
| 1181002 | STW50N10 | СТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО
DESIGN-IN | SGS Thomson Microelectronics |
| 1181003 | STW50NB20 | N-CHANNEL 200V - 0.047 ОМА - 50A -
MOSFET TO-247 POWERMESH | ST Microelectronics |
| 1181004 | STW50NB20 | Н - КАНАЛ 200V - 0.047W - 50A -
Mosfet TO-247 PowerMESH | SGS Thomson Microelectronics |
| 1181005 | STW52NK25Z | Mosfet N-CHANNEL 250V-0.033ЈOhm-52ЈA
Зенер-Za5i5enny1 TO-247™SuperMESH | ST Microelectronics |
| 1181006 | STW54NK30Z | N-CHANNEL 300V - 0.052ЈOhm - 54ЈA
TO-247 | ST Microelectronics |
| 1181007 | STW54NM65ND | N-канальный 650 В, 0,055 Ом тип., 49 FDmesh (TM) II Мощность MOSFET (с быстрым диодом) в TO-247 корпусе | ST Microelectronics |
| 1181008 | STW55NE10 | Н - КАНАЛ 100V - 0.021Ohm - 55ЈA -
Mosfet СИЛЫ TO247 STripFET | SGS Thomson Microelectronics |
| 1181009 | STW55NE10 | N-CHANNEL 100V - 0.021 ОМА - MOSFET
СИЛЫ 55ЈA TO247 STRIPFET | ST Microelectronics |
| 1181010 | STW55NM60N | N-канальный 600 В, 0,047 Ом, 51 MDmesh (TM) II Мощность MOSFET TO-247 | ST Microelectronics |
| 1181011 | STW55NM60ND | N-канальный 600 В, 0,047 Ом, 51 В-247 FDmesh (TM) II Мощность MOSFET (с быстрым диодом) | ST Microelectronics |
| 1181012 | STW56NM60N | N-канальный 600 В, 0,05 Ом, 45, К-247 MDmesh (TM) II на MOSFET | ST Microelectronics |
| 1181013 | STW57N65M5 | N-канальный 650 В, 0,056 Ом тип., 42 MDmesh (TM) V MOSFET Власть в TO-247 корпусе | ST Microelectronics |
| 1181014 | STW57N65M5-4 | N-канальный 650 В, 0,056 Ом тип., 42 MDmesh (TM) V Мощность MOSFET в корпусе TO247-4 | ST Microelectronics |
| 1181015 | STW5NA100 | СТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО
DESIGN-IN | ST Microelectronics |
| 1181016 | STW5NA100 | Н - РЕЖИМ ПОВЫШЕНИЯ КАНАЛА, ТРАНЗИСТОРЫ Mos
СИЛЫ | SGS Thomson Microelectronics |
| 1181017 | STW5NA100 | СТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО
DESIGN-IN | SGS Thomson Microelectronics |
| 1181018 | STW5NA90 | СТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО
DESIGN-IN | ST Microelectronics |
| 1181019 | STW5NA90 | Н - ТРАНЗИСТОРЫ Mos СИЛЫ РЕЖИМА ПОВЫШЕНИЯ
КАНАЛА | SGS Thomson Microelectronics |
| 1181020 | STW5NA90 | СТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО
DESIGN-IN | SGS Thomson Microelectronics |
| 1181021 | STW5NB100 | N-CHANNEL ОТ 1000 ДО 4 ОМОВ - 4.3ЈA -
MOSFET TO-247 POWERMESH | ST Microelectronics |
| 1181022 | STW5NB100 | Н - КАНАЛ 1000V - 4W - 4.3ЈA -
TO-247, Mosfet PowerMESH | SGS Thomson Microelectronics |
| 1181023 | STW5NB90 | Н - КАНАЛ 900V - 2.3 Ома - 5.6ЈA -
Mosfet TO-247 PowerMESH | SGS Thomson Microelectronics |
| 1181024 | STW5NK100Z | N-CHANNEL 1000V - 2.7 Ома - 3.5ЈA -
Mosfet TO-220/TO-220FP/TO-247 ZENER-PROTECTED
SUPERMESH | ST Microelectronics |
| 1181025 | STW60N10 | СТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО
DESIGN-IN | ST Microelectronics |
| 1181026 | STW60N10 | СТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО
DESIGN-IN | SGS Thomson Microelectronics |
| 1181027 | STW60N10 | Н - ТРАНЗИСТОР Mos СИЛЫ РЕЖИМА ПОВЫШЕНИЯ
КАНАЛА | SGS Thomson Microelectronics |
| 1181028 | STW60NE10 | N-CHANNEL 100V - 0.016 ОМА - MOSFET
СИЛЫ 60A TO-247 STRIPFET | ST Microelectronics |
| 1181029 | STW60NE10 | Н - КАНАЛ 100V - 0.016ЈOhm -
Mosfet СИЛЫ 60A TO-247 STripFET | SGS Thomson Microelectronics |
| 1181030 | STW60NM50N | N-канальный 500 В, 0,035 Ом тип., 68, MDmesh (TM) II Мощность MOSFET в TO-247 пакет | ST Microelectronics |
| 1181031 | STW62N65M5 | Автомобильная класса N-канальный 650 В, 0,041 Ом тип., 46 MDmesh M5 питания MOSFET в TO-247 корпусе | ST Microelectronics |
| 1181032 | STW62NM60N | N-канальный 600 В, 0,04 Ом тип., 65 MDmesh (TM) II Мощность MOSFET в TO-247 пакет | ST Microelectronics |
| 1181033 | STW69N65M5 | N-канальный 650 В, 0,037 Ом, 58 MDmesh (TM) V MOSFET Власть в TO-247 корпусе | ST Microelectronics |
| 1181034 | STW69N65M5-4 | N-канальный 650 В, 0,037 Ом тип., 58 MDmesh (TM) V Мощность MOSFET в TO247-4 пакета | ST Microelectronics |
| 1181035 | STW6N120K3 | N-канальный 1200 V, 1,95 Ом, 6 стабилитрон с защитой SuperMESH3 (TM) Мощность MOSFET в TO-247 корпусе | ST Microelectronics |
| 1181036 | STW6N95K5 | N-канальный 950 В, 1 Ом тип., 9 стабилитрон с защитой SuperMESH (TM) 5 Мощность MOSFET в TO-247 корпусе | ST Microelectronics |
| 1181037 | STW6NA80 | СТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО
DESIGN-IN | ST Microelectronics |
| 1181038 | STW6NA80 | СТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО
DESIGN-IN | SGS Thomson Microelectronics |
| 1181039 | STW6NA80 | Н - КАНАЛ 800V - 1.8 Ома - 5.4ЈA -
TO-247/ISOWATT218 ГОЛОДАЮТ ТРАНЗИСТОР Mos СИЛЫ | SGS Thomson Microelectronics |
| 1181040 | STW6NA90 | СТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО
DESIGN-IN | ST Microelectronics |
| | | |
