| Номер | Часть Имя | Описание | Производитель |
| 1182321 | SX35 | ПОВЕРХНОСТНЫЙ ВЫПРЯМИТЕЛЬ ТОКА БАРЬЕРА
SCHOTTKY ДЕРЖАТЕЛЯ | Panjit International Inc |
| 1182322 | SX36 | ПОВЕРХНОСТНЫЙ ВЫПРЯМИТЕЛЬ ТОКА БАРЬЕРА
SCHOTTKY ДЕРЖАТЕЛЯ | Panjit International Inc |
| 1182323 | SX38 | ПОВЕРХНОСТНЫЙ ВЫПРЯМИТЕЛЬ ТОКА БАРЬЕРА
SCHOTTKY ДЕРЖАТЕЛЯ | Panjit International Inc |
| 1182324 | SX39 | ПОВЕРХНОСТНЫЙ ВЫПРЯМИТЕЛЬ ТОКА БАРЬЕРА
SCHOTTKY ДЕРЖАТЕЛЯ | Panjit International Inc |
| 1182325 | SX3LE-72S-1.27DSA | Гнездо Тангажа SIMM 1.27mm | Hirose Electric |
| 1182326 | SX400 | 400 ИСТОЧНИК ПИТАНИЯ ВАТТА AC/DC | C&D Technologies |
| 1182327 | SX400-U1A | 400 ИСТОЧНИК ПИТАНИЯ ВАТТА AC/DC | C&D Technologies |
| 1182328 | SX400-U1B | 400 ИСТОЧНИК ПИТАНИЯ ВАТТА AC/DC | C&D Technologies |
| 1182329 | SX400-U1C | 400 ИСТОЧНИК ПИТАНИЯ ВАТТА AC/DC | C&D Technologies |
| 1182330 | SX400-U1D | 400 ИСТОЧНИК ПИТАНИЯ ВАТТА AC/DC | C&D Technologies |
| 1182331 | SX4AB-168S-1.27DSA | Гнездо Тангажа 8Byte DIMM 1.27mm | Hirose Electric |
| 1182332 | SX4AB-168S-1.27DSH | Гнездо Тангажа 8Byte DIMM 1.27mm | Hirose Electric |
| 1182333 | SX4BA-168S-1.27DSA | Гнездо Тангажа 8Byte DIMM 1.27mm | Hirose Electric |
| 1182334 | SX4BA-168S-1.27DSD | Гнездо Тангажа 8Byte DIMM 1.27mm | Hirose Electric |
| 1182335 | SX500 | 500 ИСТОЧНИК ПИТАНИЯ ВАТТА AC/DC | C&D Technologies |
| 1182336 | SX500-U1A | 500 ИСТОЧНИК ПИТАНИЯ ВАТТА AC/DC | C&D Technologies |
| 1182337 | SX500-U1B | 500 ИСТОЧНИК ПИТАНИЯ ВАТТА AC/DC | C&D Technologies |
| 1182338 | SX500-U1C | 500 ИСТОЧНИК ПИТАНИЯ ВАТТА AC/DC | C&D Technologies |
| 1182339 | SX500-U1D | 500 ИСТОЧНИК ПИТАНИЯ ВАТТА AC/DC | C&D Technologies |
| 1182340 | SXA | Стандартные резисторы окиси металла, rugged пленка
окиси металла, высокое покрытие температуры, используемое в
применениях с высокой выносливостью требуют | Vishay |
| 1182341 | SXA-289 | 5-2000 МГц средней мощности GaAs HBT усилитель | Stanford Microdevices |
| 1182342 | SXH-189 | 5-2000 МГц мощность GaAs HBT усилитель среднего. Высокая 3-го порядка пересечения: 39 дБм, тип. в 1960 МГц. | Stanford Microdevices |
| 1182343 | SXI100-05S | 100 Вт, выходное напряжение 5 В (20 А) Импульсный источник здоро | TRACO Electronic AG |
| 1182344 | SXI100-12S | 100 Вт, выходное напряжение 12V (8.4A) импульсный источник здоро | TRACO Electronic AG |
| 1182345 | SXI100-24S | 100 Вт, выходное напряжение 24V (4.4A) импульсный источник здоро | TRACO Electronic AG |
| 1182346 | SXI15-0522T | 15 Вт, выходное напряжение 5 В (1,5 А) Импульсный источник здоро | TRACO Electronic AG |
| 1182347 | SXI15-0533T | 15 Вт, выходное напряжение 5 В (1,5 А) Импульсный источник здоро | TRACO Electronic AG |
| 1182348 | SXI150-05S | 150 Вт, выходное напряжение 5 В (30 А) Импульсный источник здоро | TRACO Electronic AG |
| 1182349 | SXI150-12S | 150 Вт, выходное напряжение 12V (12.5A) импульсный источник здоро | TRACO Electronic AG |
| 1182350 | SXI150-24S | 150 Вт, выходное напряжение 24V (6.5A) импульсный источник здоро | TRACO Electronic AG |
| 1182351 | SXI30-0522T | 30 Вт, выходное напряжение 5 В (4A) импульсный источник здоро | TRACO Electronic AG |
| 1182352 | SXI30-0533T | 30 Вт, выходное напряжение 5 В (4A) импульсный источник здоро | TRACO Electronic AG |
| 1182353 | SXI50-0522T | 50 Вт, выходное напряжение 5 В (6А) импульсный источник здоро | TRACO Electronic AG |
| 1182354 | SXI50-0533T | 50 Вт, выходное напряжение 5 В (6А) импульсный источник здоро | TRACO Electronic AG |
| 1182355 | SXL-189-EB | 800-1000 МГц, 50 Ом мощность МИС усилителя. Высокая производительность линейность: + 42dBm тип. на частоте 900 МГц. Оценочные платы. | Stanford Microdevices |
| 1182356 | SXL-208-BLK | 800-970 МГц, 50 Ом мощность МИС усилителя. Высокая 3-го порядка пересечения: + 46dBm тип. на частоте 900 МГц. Устройства на катушке 100 / лоток. | Stanford Microdevices |
| 1182357 | SXL-208-TR1 | 800-970 МГц, 50 Ом мощность МИС усилителя. Высокая 3-го порядка пересечения: + 46dBm тип. на частоте 900 МГц. Устройства на катушку 500. размера R | Stanford Microdevices |
| 1182358 | SXL-208-TR2 | 800-970 МГц, 50 Ом мощность МИС усилителя. Высокая 3-го порядка пересечения: + 46dBm тип. на частоте 900 МГц. Устройства на катушку 1000. размера | Stanford Microdevices |
| 1182359 | SXL-316-BLK | 800-970 МГц, 50 Ом модуль усилителя мощности. Высокая 3-го порядка пересечения: + 52dBm тип. на 850 МГц. Устройства на катушке 100 / лоток. | Stanford Microdevices |
| 1182360 | SXL-316-TR2 | 800-970 МГц, 50 Ом модуль усилителя мощности. Высокая 3-го порядка пересечения: + 52dBm тип. на 850 МГц. Устройства на катушку 1000. размера Reel 13 | Stanford Microdevices |
| | | |
