| Номер | Часть Имя | Описание | Производитель |
| 1184121 | T2300F | 2.5-чувствительным затвором кремния симистор. Макс 3 мА ворота, Vdrom 50 В. | General Electric Solid State |
| 1184122 | T2300M | 2.5-чувствительным затвором кремния симистор. Макс 3 мА ворота, Vdrom 600 В. | General Electric Solid State |
| 1184123 | T2300N | 2.5-чувствительным затвором кремния симистор. Макс 3 мА ворота, Vdrom 800 В. | General Electric Solid State |
| 1184124 | T2301 | ЧУВСТВИТЕЛЬНЫЕ ТРИАКИ КРЕМНИЯ СТРОБА | General Electric Solid State |
| 1184125 | T2301A | 2.5-чувствительным затвором кремния симистор. Макс 4 мА ворота, Vdrom 100 В. | General Electric Solid State |
| 1184126 | T2301B | 2.5-чувствительным затвором кремния симистор. Макс 4 мА ворота, Vdrom 200 В. | General Electric Solid State |
| 1184127 | T2301D | 2.5-чувствительным затвором кремния симистор. Макс 4 мА ворота, Vdrom 400 В. | General Electric Solid State |
| 1184128 | T2301F | 2.5-чувствительным затвором кремния симистор. Макс 4 мА ворота, Vdrom 50 В. | General Electric Solid State |
| 1184129 | T2301M | 2.5-чувствительным затвором кремния симистор. Макс 4 мА ворота, Vdrom 600 В. | General Electric Solid State |
| 1184130 | T2301N | Вариант Puk Хоккея ТИРИСТОРОВ УПРАВЛЕНИЕМ УЧАСТКА | etc |
| 1184131 | T2301N | 2.5-чувствительным затвором кремния симистор. Макс 4 мА ворота, Vdrom 800 В. | General Electric Solid State |
| 1184132 | T2302 | ЧУВСТВИТЕЛЬНЫЕ ТРИАКИ КРЕМНИЯ СТРОБА | General Electric Solid State |
| 1184133 | T2302A | 2.5-чувствительным затвором кремния симистор. Макс 10 мА ворота, Vdrom 100 В. | General Electric Solid State |
| 1184134 | T2302B | 2.5-чувствительным затвором кремния симистор. Макс 10 мА ворота, Vdrom 200 В. | General Electric Solid State |
| 1184135 | T2302D | 2.5-чувствительным затвором кремния симистор. Макс 10 мА ворота, Vdrom 400 В. | General Electric Solid State |
| 1184136 | T2302F | 2.5-чувствительным затвором кремния симистор. Макс 10 мА ворота, Vdrom 50 В. | General Electric Solid State |
| 1184137 | T2302M | 2.5-чувствительным затвором кремния симистор. Макс 10 мА ворота, Vdrom 600 В. | General Electric Solid State |
| 1184138 | T2302N | 2.5-чувствительным затвором кремния симистор. Макс 10 мА ворота, Vdrom 800 В. | General Electric Solid State |
| 1184139 | T2316160A | РЕЖИМ СТРАНИЦЫ ДИНАМИЧЕСКОГО ШТОССЕЛЯ 16
1024K x БЫСТРЫЙ | Taiwan Memory Technology |
| 1184140 | T2316160A | От 4,5 до 5,5; 1,2 Вт; 1024k х 16 Dynamic RAM: Быстрая мода Page | TM Technology |
| 1184141 | T2316160A-45 | РЕЖИМ СТРАНИЦЫ ДИНАМИЧЕСКОГО ШТОССЕЛЯ 16
1024K x БЫСТРЫЙ | Taiwan Memory Technology |
| 1184142 | T2316160A-60 | РЕЖИМ СТРАНИЦЫ ДИНАМИЧЕСКОГО ШТОССЕЛЯ 16
1024K x БЫСТРЫЙ | Taiwan Memory Technology |
| 1184143 | T2316162A | 1024K x 16 ДИНАМИЧЕСКИЙ РЕЖИМ СТРАНИЦЫ
ШТОССЕЛЯ EDO | Taiwan Memory Technology |
| 1184144 | T2316162A | От 4,5 до 5,5; 1,2 Вт; 1024k х 16 Dynamic RAM: ОКБ Page моды | TM Technology |
| 1184145 | T2316162A-45 | 1024K x 16 ДИНАМИЧЕСКИЙ РЕЖИМ СТРАНИЦЫ
ШТОССЕЛЯ EDO | Taiwan Memory Technology |
| 1184146 | T2316162A-50 | 1024K x 16 ДИНАМИЧЕСКИЙ РЕЖИМ СТРАНИЦЫ
ШТОССЕЛЯ EDO | Taiwan Memory Technology |
| 1184147 | T2316162A-60 | 1024K x 16 ДИНАМИЧЕСКИЙ РЕЖИМ СТРАНИЦЫ
ШТОССЕЛЯ EDO | Taiwan Memory Technology |
| 1184148 | T2316405A | 4M х 4 ДИНАМИЧЕСКИЙ РЕЖИМ СТРАНИЦЫ ШТОССЕЛЯ
EDO | Taiwan Memory Technology |
| 1184149 | T2316405A | От 0,5 до 4,6 В; 1,0 Вт; 4M х 4 Динамическая оперативная память: ОКБ Page моды | TM Technology |
| 1184150 | T2316405A-10 | 4M х 4 ДИНАМИЧЕСКИЙ РЕЖИМ СТРАНИЦЫ ШТОССЕЛЯ
EDO | Taiwan Memory Technology |
| 1184151 | T2316405A-50 | 4M х 4 ДИНАМИЧЕСКИЙ РЕЖИМ СТРАНИЦЫ ШТОССЕЛЯ
EDO | Taiwan Memory Technology |
| 1184152 | T2316405A-60 | 4M х 4 ДИНАМИЧЕСКИЙ РЕЖИМ СТРАНИЦЫ ШТОССЕЛЯ
EDO | Taiwan Memory Technology |
| 1184153 | T2316405A-70 | 4M х 4 ДИНАМИЧЕСКИЙ РЕЖИМ СТРАНИЦЫ ШТОССЕЛЯ
EDO | Taiwan Memory Technology |
| 1184154 | T2316407A | 4M х 4 ДИНАМИЧЕСКИЙ РЕЖИМ СТРАНИЦЫ ШТОССЕЛЯ
EDO | Taiwan Memory Technology |
| 1184155 | T2316407A | От 0,5 до 4,6 В; 1,0 Вт; 4M х 4 Динамическая оперативная память: ОКБ Page моды | TM Technology |
| 1184156 | T2316407A-10 | 4M х 4 ДИНАМИЧЕСКИЙ РЕЖИМ СТРАНИЦЫ ШТОССЕЛЯ
EDO | Taiwan Memory Technology |
| 1184157 | T2316407A-50 | 4M х 4 ДИНАМИЧЕСКИЙ РЕЖИМ СТРАНИЦЫ ШТОССЕЛЯ
EDO | Taiwan Memory Technology |
| 1184158 | T2316407A-60 | 4M х 4 ДИНАМИЧЕСКИЙ РЕЖИМ СТРАНИЦЫ ШТОССЕЛЯ
EDO | Taiwan Memory Technology |
| 1184159 | T2316407A-70 | 4M х 4 ДИНАМИЧЕСКИЙ РЕЖИМ СТРАНИЦЫ ШТОССЕЛЯ
EDO | Taiwan Memory Technology |
| 1184160 | T2320 | ЧУВСТВИТЕЛЬНЫЕ ТРИАКИ КРЕМНИЯ СТРОБА 2.5-A | General Electric Solid State |
| | | |
