|   Главная страница   |   Все производители   |   В функции   |  

Часть название, описание или производитель содержать:

   
Быстрый переход к:   1N  2N  2SA  2SC  74  AD  BA  BC  BD  BF  BU  CXA  HCF  IRF  KA  KIA  LA  LM  MC  NE  ST  STK  TDA  TL  UA  



Информация Найдено :: 1351360Страница: << | 33651 | 33652 | 33653 | 33654 | 33655 | 33656 | 33657 | 33658 | 33659 | 33660 | 33661 | >>
НомерЧасть ИмяОписаниеПроизводитель
1346201ZMM52ПОВЕРХНОСТНЫЙ ДЕРЖАТЕЛЬ ZENER DIODES/MINI MELFJinan Gude Electronic Device
1346202ZMM5221AДля установки на поверхности стабилитрон. Номинальная стабилитрон напряжение 2,4 В. Испытательный ток 20 мА. + -3% Допуск.Jinan Gude Electronic Device
1346203ZMM5221BПОВЕРХНОСТНЫЙ ДЕРЖАТЕЛЬ ZENER DIODES/MINI MELFJinan Gude Electronic Device
1346204ZMM5221BZENER DIODE 500mW 5% mini-M.E.L.FRectron Semiconductor
1346205ZMM5221BZENER DIODE ДЕРЖАТЕЛЯ ПОВЕРХНОСТИ 500MWDiodes
1346206ZMM5221CДля установки на поверхности стабилитрон. Номинальная стабилитрон напряжение 2,4 В. Испытательный ток 20 мА. + -10% Терпимость.Jinan Gude Electronic Device
1346207ZMM5221DДля установки на поверхности стабилитрон. Номинальная стабилитрон напряжение 2,4 В. Испытательный ток 20 мА. + -20% Терпимость.Jinan Gude Electronic Device
1346208ZMM5222AДля установки на поверхности стабилитрон. Номинальная стабилитрон напряжение 2,5 В. Испытательный ток 20 мА. + -3% Допуск.Jinan Gude Electronic Device
1346209ZMM5222BПОВЕРХНОСТНЫЙ ДЕРЖАТЕЛЬ ZENER DIODES/MINI MELFJinan Gude Electronic Device
1346210ZMM5222BZENER DIODE 500mW 5% mini-M.E.L.FRectron Semiconductor
1346211ZMM5222BZENER DIODE ДЕРЖАТЕЛЯ ПОВЕРХНОСТИ 500MWDiodes
1346212ZMM5222CДля установки на поверхности стабилитрон. Номинальная стабилитрон напряжение 2,5 В. Испытательный ток 20 мА. + -10% Терпимость.Jinan Gude Electronic Device
1346213ZMM5222DДля установки на поверхности стабилитрон. Номинальная стабилитрон напряжение 2,5 В. Испытательный ток 20 мА. + -20% Терпимость.Jinan Gude Electronic Device
1346214ZMM5223AДля установки на поверхности стабилитрон. Номинальная стабилитрон напряжение 2,7 В. Испытательный ток 20 мА. + -3% Допуск.Jinan Gude Electronic Device
1346215ZMM5223BПОВЕРХНОСТНЫЙ ДЕРЖАТЕЛЬ ZENER DIODES/MINI MELFJinan Gude Electronic Device
1346216ZMM5223BZENER DIODE 500mW 5% mini-M.E.L.FRectron Semiconductor
1346217ZMM5223BZENER DIODE ДЕРЖАТЕЛЯ ПОВЕРХНОСТИ 500MWDiodes
1346218ZMM5223CДля установки на поверхности стабилитрон. Номинальная стабилитрон напряжение 2,7 В. Испытательный ток 20 мА. + -10% Терпимость.Jinan Gude Electronic Device
1346219ZMM5223DДля установки на поверхности стабилитрон. Номинальная стабилитрон напряжение 2,7 В. Испытательный ток 20 мА. + -20% Терпимость.Jinan Gude Electronic Device
1346220ZMM5224AДля установки на поверхности стабилитрон. Номинальная стабилитрон напряжение 2,8 В. Испытательный ток 20 мА. + -3% Допуск.Jinan Gude Electronic Device
1346221ZMM5224BПОВЕРХНОСТНЫЙ ДЕРЖАТЕЛЬ ZENER DIODES/MINI MELFJinan Gude Electronic Device
1346222ZMM5224BZENER DIODE 500mW 5% mini-M.E.L.FRectron Semiconductor
1346223ZMM5224BZENER DIODE ДЕРЖАТЕЛЯ ПОВЕРХНОСТИ 500MWDiodes
1346224ZMM5224CДля установки на поверхности стабилитрон. Номинальная стабилитрон напряжение 2,8 В. Испытательный ток 20 мА. + -10% Терпимость.Jinan Gude Electronic Device
1346225ZMM5224DДля установки на поверхности стабилитрон. Номинальная стабилитрон напряжение 2,8 В. Испытательный ток 20 мА. + -20% Терпимость.Jinan Gude Electronic Device
1346226ZMM5225ДИОДЫ ZENER ПРЕССФОРМА 3-WTYRE1 200 mW МИНИАЯGeneral Semiconductor
1346227ZMM5225Диоды Zener Кремния ПлоскостныеHoney Technology
1346228ZMM5225ДИОДЫ КРЕМНИЯ ПЛОСКОСТНЫЕ ZENER, 500MW, ПАКЕТ SOT-23GOOD-ARK Electronics
1346229ZMM5225ДИОДЫ СИЛЫ ZENER КРЕМНИЯ ПЛОСКОСТНЫЕ....Semtech
1346230ZMM5225AДля установки на поверхности стабилитрон. Номинальная стабилитрон напряжение 3,0 В. Испытательный ток 20 мА. + -3% Допуск.Jinan Gude Electronic Device
1346231ZMM5225BДиоды Zener в SOD-523Diodes
1346232ZMM5225BПОВЕРХНОСТНЫЙ ДЕРЖАТЕЛЬ ZENER DIODES/MINI MELFJinan Gude Electronic Device
1346233ZMM5225BZENER DIODE 500mW 5% mini-M.E.L.FRectron Semiconductor
1346234ZMM5225CДля установки на поверхности стабилитрон. Номинальная стабилитрон напряжение 3,0 В. Испытательный ток 20 мА. + -10% Терпимость.Jinan Gude Electronic Device
1346235ZMM5225DДля установки на поверхности стабилитрон. Номинальная стабилитрон напряжение 3,0 В. Испытательный ток 20 мА. + -20% Терпимость.Jinan Gude Electronic Device
1346236ZMM5226ДИОДЫ ZENER ПРЕССФОРМА 3-WTYRE1 200 mW МИНИАЯGeneral Semiconductor
1346237ZMM5226Диоды Zener Кремния ПлоскостныеHoney Technology
1346238ZMM5226ДИОДЫ КРЕМНИЯ ПЛОСКОСТНЫЕ ZENER, 500MW, ПАКЕТ SOT-23GOOD-ARK Electronics
1346239ZMM5226ДИОДЫ СИЛЫ ZENER КРЕМНИЯ ПЛОСКОСТНЫЕ....Semtech
1346240ZMM5226AДля установки на поверхности стабилитрон. Номинальная стабилитрон напряжение 3,3 В. Испытательный ток 20 мА. + -3% Допуск.Jinan Gude Electronic Device
Информация Найдено :: 1351360Страница: << | 33651 | 33652 | 33653 | 33654 | 33655 | 33656 | 33657 | 33658 | 33659 | 33660 | 33661 | >>
English Version for this page Version française pour cette page Deutsche Version für diese Seite Versão portuguese para esta página



© 2024 - www.DatasheetCatalog.com